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LDO噪聲詳解

作者: 時間:2012-12-24 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

圖 10 RMS 噪聲與降噪電容的關(guān)系

圖 10 利用 10 Hz 到 100 kHz 更寬融合范圍,來捕捉低頻區(qū)域的性能差異。CNR=1pF 時,兩條曲線表現(xiàn)出非常高的RMS噪聲值。盡管圖 10 沒有顯示,但不管是否 CNR=1pF,都沒有 RMS 噪聲差異。這就是為什么在前面小節(jié)“放大參考噪聲”中,我們把GRC被看作等于 1 的原因。

正如我們預(yù)計的那樣,隨著 CNR 增加,RMS 噪聲下降,并在 CNR=1µF 時朝約12.5 µVRMS 的最小輸出噪聲匯聚。

CFF= 10 µF 時,放大器增益(1 + R1/R2)可以忽略不計。因此,方程式 8 可以簡寫為:

g10.jpg

正如我們看到的那樣,VN(Other) 并不受 CNR 影響。因此,CNR 保持 10.5 µVRMS,其由圖 6 所示數(shù)據(jù)曲線擬合度決定。方程式 10 可以表示為:

g10 2.jpg

接下來,我們要確定 GRC 降噪電容的影響,這一點很重要。圖 10 中曲線的最小測量噪聲,讓我們可以將方程式10改寫為:

g11.jpg

其中,求解VN(REF) × GRC 得到 2 µVRMS。增加 CNR 會使參考噪聲從19.5 µVRMS降至 2 µVRMS,也就是說,在 10 Hz 到 100 kHz 頻率范圍,GRC 從整數(shù)降至 0.1 (2/19.5) 平均數(shù)。

圖 11 顯示了 CNR 如何降低頻域中的噪聲。與圖 9 所示小 CFF 值一樣,更小的 CNR 開始在高頻起作用。請注意,CNR 最大值 1µF 表明最低噪聲。盡管 CNR = 10 Nf 曲線表明最小噪聲幾乎接近于 CNR = 1 µF 的曲線,10-Nf 曲線顯示30Hz 和100Hz 之間有一小塊突出部分。

圖 11 不同 CNR 值時輸出頻譜噪聲密度與頻率的關(guān)系.jpg

圖 11 不同 CNR 值時輸出頻譜噪聲密度與頻率的關(guān)系

圖8所示曲線(CNR = 1 pF),可改進(jìn)為圖 12(CNR = 1 µF)。圖 8 顯示 CFF = 100 Nf 和 CFF = 10 µF 之間幾乎沒有 RMS 噪聲差異,但是圖 12 清楚地顯示出了差異。

圖 12 中,不管輸出電壓是多少,CFF = 10 µF 和 CNR = 1 µF 均帶來最低噪聲值12.5 µVRMS,也即最小 GRC 值(換句話說,RC濾波器的最大效果)為 0.1。12.5 µVRMS 值為 TI 器件 TPS74401 的底限噪聲。

圖 12 噪聲優(yōu)化以后 RMS 噪聲與前饋電容的關(guān)系.jpg

圖 12 噪聲優(yōu)化以后 RMS 噪聲與前饋電容的關(guān)系

當(dāng)我們把一個新器件用于噪聲敏感型應(yīng)用時,利用大容量CFF和CNR電容確定這種器件的獨有本底噪聲是一種好方法。圖12表明RMS噪聲曲線匯聚于本底噪聲值。

其他技術(shù)考慮因素

降噪電容器的慢啟動效應(yīng)

除降噪以外,RC濾波器還會起到一個RC延遲電路的作用。因此,較大的CNR值會引起穩(wěn)壓器參考電壓的較大延遲。

前饋電容器的慢啟動效應(yīng)

CFF利用一種機(jī)制繞過R1反饋電阻AC信號,而憑借這種機(jī)制,其在激活事件發(fā)生后VOUT不斷上升時,也繞過輸出電壓反饋信息。直到CFF完全充電,誤差放大器才利用更大的負(fù)反饋信號,從而導(dǎo)致慢啟動。

為什么高VOUT值會導(dǎo)致更小的RMS噪聲

在圖8和圖10中,相比VOUT=0.8V的情況,VOUT=3.3V曲線的噪聲更小。我們知道,更高的電壓設(shè)置會增加參考噪聲,因此這看起來很奇怪。對于這種現(xiàn)象的解釋是,由于CFF連接至OUT節(jié)點,因此除繞過電阻器R1的噪聲信號以外,CFF還有增加輸出電容值的效果。圖12表明,由于參考噪聲被最小化,我們便可以觀測到這種現(xiàn)象。

RMS噪聲值

由于TPS74401的本底噪聲為12.5 µVRMS,它是市場上噪聲最低的之一。在設(shè)計一個超低噪聲穩(wěn)壓器過程中,12.5 µVRMS絕對值是一個較好的參考值。

結(jié)論

本文深入探討了器件的基本噪聲以及如何將其降至最小,具體包括:

l 每種電路模塊對輸出噪聲的影響程度

l 參考電壓如何成為主要的噪聲源(經(jīng)誤差放大器放大)

l 如何抵銷經(jīng)過放大的參考噪聲

l NR功能的工作原理

謹(jǐn)慎選擇降噪電容器 (CNR) 和前饋電容器 (CFF),可以將 LDO 輸出噪聲最小化至器件獨有的本底噪聲水平。利用這種噪聲最小化配置,LDO 器件便可保持本底噪聲值,讓其同非優(yōu)化配置中常常影響噪聲水平的一些參數(shù)無關(guān)。

給電路添加 CNR 和 CFF 時存在慢啟動副作用,因此我們必須認(rèn)真選擇這些電容器,以實現(xiàn)快速升壓。

本文所述方法已經(jīng)用于優(yōu)化 TI 的 TPS7A8101 LDO 的噪聲。在 TPS7A8101 產(chǎn)品說明書第 10 頁,不管參數(shù)如何變化,器件都擁有恒定的噪聲值。


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