5～12GHz新型復合管寬帶功率放大器設計
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可以看出，低頻時HBT的輸出阻抗等效為串聯(lián)的RC電路，而高頻時則等效為并聯(lián)的RC電路，在兩種等效電路的過渡過程中就出現(xiàn)了圖1中所示的拐點，即 Kink效應。為了有效消除HBT的Kink效應，文獻提出了基于負反饋技術的新型HBT復合晶體管結構，本文在該結構上另加1個電阻R2調整反饋強度和相位，其拓撲結構如圖2所示。
在圖2中，共射極連接的HBT1作為常規(guī)放大器件工作在放大狀態(tài)，HBT2作為HBT1的負反饋支路工作在反向狀態(tài)。HBT2發(fā)射極通過一個小電感L和一個小電阻R2連接到電路輸出端，由于該電感均衡寄生電容對輸出阻抗的影響，使得HBT在共發(fā)組態(tài)工作模式下，其小信號輸出阻抗在整個工作頻段內接近于一個簡單的RC串聯(lián)電路，且電阻值R為一常數(shù)，能夠有效消除HBT的小信號Kink效應。
1．2 大信號Kink效應及其消除
功率放大器工作在大信號狀態(tài)時，HBT放大管的工作狀態(tài)和等效電路模型不同于小信號情況。為了深入研究HBT的大信號Kink效應，分別采用新型HBT復合管和普通HBT管設計了兩個單級放大電路，如圖3所示，同時其大信號S22隨頻率變化的仿真曲線如圖4所示。
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