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晶體變換器的概要及設(shè)計

作者: 時間:2010-05-28 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

圖20所示的為各種性能。由其中的圖(C)所示的順方向傳達(dá)電導(dǎo)|yfs|特征,可以知道VG1S=0.5V,VD2S=4V時,|yfs|=23mS。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/188021.htm

圖20 3SK73的諸項特性
(此為使用廠商的數(shù)據(jù)規(guī)格所做的設(shè)計。在G2電壓(AGC電壓)為0~2V時,電功率放大率為l0~24dB變化。)
根據(jù)以上的條件,從圖(a)與圖(b)的特性可以求出漏極電流ID=14mA。
可是,如圖(e)所示,在外部溫度Ta達(dá)到75℃時,漏極電功率損失PD必須控制在150mW以下。此時,可以求出漏極-源極間電壓VDS=150/14=10.7V。
根據(jù)3SK73GR的IDSS分類,有6mA~14mA。由特性圖可以看出,所流通的ID值較大,為考慮余裕度,電源電壓設(shè)計為6V。
圖(d)所示的為AGC (Automatic Gain Contro1)電壓與噪聲指數(shù)NF,以及電功率放大率Gps的關(guān)系。此所示的雖然為在VG1S=0V時的數(shù)據(jù),但是,相當(dāng)不太大,因此,可以直接如此使用。
ACC電壓是指VG2S,在VG2S=4V時,NF約為2dB。此一數(shù)值對于高頻率放大電路而言,還算可以。
電功率放大率約為25dB。VG2S為0~4V變化時,其放大率為在+10~+25dB間變化。也即是,利用VC2S,可以改變的放大率約為15dB。


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