PCB的布線原則介紹

3. 信號(hào)走線

3.1 Modem信號(hào)走線中，易產(chǎn)生噪聲的信號(hào)線和易受干擾的信號(hào)線盡量遠(yuǎn)離，如無法避免時(shí)要用中性信號(hào)線隔離。

Modem易產(chǎn)生噪聲的信號(hào)引腳、中性信號(hào)引腳、易受干擾的信號(hào)引腳如下表所示：

3.2 數(shù)字信號(hào)走線盡量放置在數(shù)字信號(hào)布線區(qū)域內(nèi);

模擬信號(hào)走線盡量放置在模擬信號(hào)布線區(qū)域內(nèi);

(可預(yù)先放置隔離走線加以限定，以防走線布出布線區(qū)域)

數(shù)字信號(hào)走線和模擬信號(hào)走線垂直以減小交叉耦合。

3.3 使用隔離走線(通常為地)將模擬信號(hào)走線限定在模擬信號(hào)布線區(qū)域。

a) 模擬區(qū)隔離地走線環(huán)繞模擬信號(hào)布線區(qū)域布在PCB板兩面，線寬50-100mil;

b) 數(shù)字區(qū)隔離地走線環(huán)繞數(shù)字信號(hào)布線區(qū)域布在PCB板兩面，線寬50-100mil，其中一面PCB板邊應(yīng)布200mil寬度。

3.4 并行總線接口信號(hào)走線線寬>10mil(一般為12-15mil)，如/HCS、/HRD、/HWT、/RESET。

3.5 模擬信號(hào)走線線寬>10mil(一般為12-15mil)，如MICM、MICV、SPKV、VC、VREF、TXA1、TXA2、RXA、TELIN、TELOUT。

3.6 所有其它信號(hào)走線盡量寬，線寬>5mil(一般為 10mil)，元器件間走線盡量短(放置器件時(shí)應(yīng)預(yù)先考慮)。

3.7 旁路電容到相應(yīng)IC的走線線寬>25mil，并盡量避免使用過孔。

3.8 通過不同區(qū)域的信號(hào)線(如典型的低速控制/狀態(tài)信號(hào))應(yīng)在一點(diǎn)(首選)或兩點(diǎn)通過隔離地線。如果走線只位於一面， 隔離地線可走到PCB的另一面以跳過信號(hào)走線而保持連續(xù)。

3.9 高頻信號(hào)走線避免使用90度角彎轉(zhuǎn)，應(yīng)使用平滑圓弧或45度角。

3.10 高頻信號(hào)走線應(yīng)減少使用過孔連接。

3.11 所有信號(hào)走線遠(yuǎn)離晶振電路。

3.12 對(duì)高頻信號(hào)走線應(yīng)采用單一連續(xù)走線，避免出現(xiàn)從一點(diǎn)延伸出幾段走線的情況。

3.13 DAA電路中，穿孔周圍(所有層面)留出至少60mil的空間。

3.14 清除地線環(huán)路，以防意外電流回饋影響電源。

4. 電源

4.1 確定電源連接關(guān)系。

4.2 數(shù)字信號(hào)布線區(qū)域中，用10uF電解電容或鉭電容與0.1uF瓷片電容并聯(lián)後接在電源/地之間。在PCB板電源入口端和最遠(yuǎn)端各放置一處，以防電源尖峰脈沖引發(fā)的噪聲干擾。

4.3 對(duì)雙面板，在用電電路相同層面中，用兩邊線寬為 200mil的電源走線環(huán)繞該電路。(另一面須用數(shù)字地做相同處理)

4.4 一般地，先布電源走線，再布信號(hào)走線。

5. 地

5.1雙面板中，數(shù)字和模擬元器件(除DAA)周圍及下方未使用之區(qū)域用數(shù)字地或模擬地區(qū)域填充，各層面同類地區(qū)域連接在一起，不同層面同類地區(qū)域通過多個(gè)過孔相連：Modem DGND引腳接至數(shù)字地區(qū)域，AGND引腳接至模擬地區(qū)域;數(shù)字地區(qū)域和模擬地區(qū)域用一條直的空隙隔開。

5.2 四層板中，使用數(shù)字和模擬地區(qū)域覆蓋數(shù)字和模擬元器件(除DAA);Modem DGND引腳接至數(shù)字地區(qū)域，AGND引腳接至模擬地區(qū)域;數(shù)字地區(qū)域和模擬地區(qū)域用一條直的空隙隔開。

5.3 如設(shè)計(jì)中須EMI過濾器，應(yīng)在接口插座端預(yù)留一定空間，絕大多數(shù)EMI器件(Bead/電容)均可放置在該區(qū)域;未使用之區(qū)域用地區(qū)域填充，如有屏蔽外殼也須與之相連。

5.4 每個(gè)功能模塊電源應(yīng)分開。功能模塊可分為：并行總線接口、顯示、數(shù)字電路(SRAM、EPROM、Modem)和DAA等，每個(gè)功能模塊的電源/地只能在電源/地的源點(diǎn)相連。

5.5 對(duì)串行DTE模塊，使用去耦電容減少電源耦合，對(duì)電話線也可做相同處理。

5.6 地線通過一點(diǎn)相連，如可能，使用Bead;如抑制EMI需要，允許地線在其它地方相連。

5.7 所有地線走線盡量寬，25-50mil。

5.8 所有IC電源/地間的電容走線盡量短，并不要使用過孔。

6. 晶振電路

6.1 所有連到晶振輸入/輸出端(如XTLI、XTLO)的走線盡量短，以減少噪聲干擾及分布電容對(duì)Crystal的影響。XTLO走線盡量短，且彎轉(zhuǎn)角度不小於45度。(因XTLO連接至上升時(shí)間快，大電流之驅(qū)動(dòng)器)

6.2 雙面板中沒有地線層，晶振電容地線應(yīng)使用盡量寬的短線連接至器件上離晶振最近的DGND引腳，且盡量減少過孔。

6.3 如可能，晶振外殼接地。

6.4 在XTLO引腳與晶振/電容節(jié)點(diǎn)處接一個(gè)100 Ohm電阻。

6.5 晶振電容的地直接連接至 Modem的GND引腳，不要使用地線區(qū)域或地線走線來連接電容和Modem的GND引腳。