瑞薩科技發(fā)布硅鍺功率晶體管應(yīng)用于無(wú)線LAN終端等功率放大器

　Renesas宣布RQG2003高性能的功率硅鍺HBT*1實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平性能，可用于諸如無(wú)線LAN終端、數(shù)字無(wú)繩電話和RF（射頻）標(biāo)簽讀/寫(xiě)機(jī)等產(chǎn)品。樣品供貨將于從2007年3月在日本開(kāi)始。

　　作為瑞薩科技目前HSG2002的后續(xù)產(chǎn)品，RQG2003是一種用于功率放大器的晶體管，它可以對(duì)傳輸無(wú)線LAN終端設(shè)備等RF前端功率進(jìn)行放大。

　　RQG2003的功能總結(jié)如下。

　　（1）業(yè)界最高的性能水平，有助于實(shí)現(xiàn)低功耗產(chǎn)品

　　在5GHz和2.4GHz頻段，RQG2003的性能達(dá)到了業(yè)界的最高水平，如下所述。

　?。╝）5GHz頻段：6.4dB的功率增益，26.5dBm條件下的1dB增益壓縮功率，5.8GHz條件下的功率增加效率*2為33.6%

　?。╞）2.4GHz頻段：13.0dB的功率增益，26.5dBm條件下1dB的增益壓縮功率，2.4GHz條件下的功率增加效率為66.0%

　　這些性能參數(shù)是對(duì)瑞薩科技目前的HSG2002的顯著改善，例如，5.8GHz條件下的功率增加效率大約提高了10%，2.4GHz的功率增加效率大約提高了20%。

　　該性能有助于降低   
IEEE802.11a*3 兼容的無(wú)線LAN設(shè)備、數(shù)字無(wú)繩電話等5GHz頻段設(shè)備的功耗，也可以降低使用2.4GHz頻段的IEEE802.11b/g*3 兼容的無(wú)線LAN設(shè)備、RF標(biāo)簽讀/寫(xiě)機(jī)及其他2.4GHz頻段應(yīng)用的功耗。

　　2）小而薄的無(wú)鉛封裝

　　該器件采用小型表面貼裝8引腳WQFN0202（瑞薩封裝代碼）封裝，尺寸為2.0mm

晶體管相關(guān)文章:晶體管工作原理

晶體管相關(guān)文章:晶體管原理