一種超寬脈沖發(fā)生器的設(shè)計(jì)

當(dāng)負(fù)載很陡時(shí),如圖2中負(fù)載線II所示,它沒(méi)有與二次擊穿曲線相交而直接推而飽和區(qū),這時(shí)就不會(huì)獲得二次負(fù)阻區(qū)的加速。

本文介紹的超寬帶UWB極窄脈沖發(fā)生器即是利用雪崩管的二次負(fù)阻區(qū)加速作用,來(lái)達(dá)到產(chǎn)生極窄脈沖的目的。

2 UWB脈沖產(chǎn)生電路及分析

2.1 電路原理圖

UWB發(fā)射機(jī)系統(tǒng)的簡(jiǎn)化框圖如圖3所示,系統(tǒng)的信息調(diào)制采用PPM調(diào)制。本文主要討論UWB脈沖產(chǎn)生電路的設(shè)計(jì),電路原理圖如圖4所示。

2.2 電路分析

當(dāng)觸發(fā)脈沖尚未到達(dá)時(shí),雪崩管截止,電容C2、C4在Vcc的作用下分別通過(guò)電阻R1、R和R2、R3充電。電容C通過(guò)Rc充電（充電后其電壓近似等于電源電壓Vcc）。當(dāng)一個(gè)足夠大的觸發(fā)脈沖到來(lái)后,使晶體管工作點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到不穩(wěn)定的雪崩負(fù)阻區(qū),Q1雪骨擊穿,產(chǎn)生快速增大的雪崩電流,導(dǎo)致電容C經(jīng)由晶體管Q1快速放電,從而在負(fù)載電阻R上形成一個(gè)窄脈沖。由于雪崩電流很大,因此獲得的窄脈沖有較高的峰值;又由于電容C儲(chǔ)存的電荷很有限（一般電容量只有幾皮法至幾百皮法）,因此脈沖寬度也有限。也就是說(shuō),當(dāng)開(kāi)始雪崩以后,由于晶體管本身以及電路分布參數(shù)的影響,使得雪崩電流即電容C的放電電流只能逐漸增大;而到達(dá)某一峰值后,又出于電容C上電荷的減少使得放電電流逐漸減小。前者形成了脈沖的前沿,而后者形成了脈沖的后沿。

Q1雪崩擊穿后,電容C放電注入負(fù)載R。這人電壓經(jīng)過(guò)電容C2,導(dǎo)致Q2過(guò)壓并且雪崩擊穿。同理Q3也依次快速雪崩擊穿。由于雪崩過(guò)程極為迅速,因此這種依次雪崩的過(guò)程還是相當(dāng)快的,從宏觀上可以把它看作是同時(shí)觸發(fā)的。因此,在負(fù)載上就可以得到一個(gè)上升時(shí)間非常短的UWB極窄脈沖。

2.3 元件參數(shù)選擇

雪崩晶體管電路中應(yīng)選擇的電路參數(shù)主要為雪崩晶體管Vcc、C、Rc及加速電容等。

①雪崩晶體管：雪崩晶體管的選擇依據(jù)主要是雪崩管的輸出振幅及邊沿應(yīng)滿(mǎn)足要求。

②偏置電壓Vcc:必須適當(dāng)選擇偏置電壓Vcc,使雪崩晶體管能夠發(fā)生雪崩效應(yīng),同時(shí)還應(yīng)當(dāng)滿(mǎn)足Vcc≤Bvcbo。

③雪崩電壓：雪崩電容C不應(yīng)選擇太大,C太大,輸出脈沖寬度加寬,電路恢復(fù)期太長(zhǎng);但也不能太小,C太小,輸出脈沖振幅減小,而且影響電容分布。通常取為幾皮法到幾十皮法。一般應(yīng)選用瓷片電容或云母電容。

在一定范圍內(nèi),電容C值越小,脈沖寬度也越小,但幅度也會(huì)變得越小。這個(gè)結(jié)果由仿真和實(shí)驗(yàn)均得到驗(yàn)證如表1所示。

表1 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

當(dāng)電容C值小于3皮法時(shí),由于其他寄存參數(shù)的影響,寬度的減小已不明顯。

④集電極電阻Rc：集電極電阻Rc應(yīng)保證雪崩電路能夠在靜止期內(nèi)恢復(fù)完畢,即（3～5）（Rc+RL）C≤Ts,式中Ts為觸發(fā)脈沖重復(fù)周期。

通常Rc選為幾千歐姆到幾十千歐姆。若取Rc=5kΩ、C=50pF,則Ts≈1μs,觸發(fā)脈沖重復(fù)頻率應(yīng)小于100kHz。Rc不能選得太小,否則雪崩晶體管可能長(zhǎng)時(shí)間處于導(dǎo)通狀態(tài),導(dǎo)致溫度過(guò)度而燒壞。