精確把握DS18B20讀寫(xiě)時(shí)序延長(zhǎng)連接距離

換位理解DSl8B20傳感器對(duì)讀寫(xiě)時(shí)序的要求
圖2是對(duì)DS18B20傳感器讀寫(xiě)時(shí)序在主機(jī)處的波形圖，如果是在DS18B20處的話，其波形圖應(yīng)如圖5所示。考慮實(shí)際長(zhǎng)短數(shù)據(jù)線的影響，對(duì)讀寫(xiě)時(shí)序的要求理解為：對(duì)DSl8B20 寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)，主機(jī)產(chǎn)生讀時(shí)間片。當(dāng)主機(jī)把I／O數(shù)據(jù)線在7μs時(shí)間內(nèi)從高邏輯電平拉至低邏輯電平時(shí)，維持時(shí)間最少1μs就產(chǎn)生寫(xiě)時(shí)間片。如寫(xiě)入0，則應(yīng)維持低電平45～60μs以上，如寫(xiě)入1，應(yīng)在第8μs后釋放數(shù)據(jù)線，在7μs 時(shí)間內(nèi)拉到為邏輯高電壓， 并維持45～60μs以上。寫(xiě)時(shí)間片必須有最短為60μs的持續(xù)期，在各寫(xiě)周期之間必須有最短為1μs的恢復(fù)時(shí)間。從DS18B20 讀數(shù)據(jù)時(shí)，主機(jī)產(chǎn)生讀時(shí)間片。主機(jī)在7μs時(shí)間內(nèi)把數(shù)據(jù)線從邏輯高電平拉至低電平，產(chǎn)生讀時(shí)間片。數(shù)據(jù)線必須保持在邏輯低電平至少1μs；來(lái)自DS18B20的輸出數(shù)據(jù)在讀時(shí)間片下降沿之后15μs有效。因此，在產(chǎn)生讀時(shí)間片8μs后主機(jī)必應(yīng)把I／O 數(shù)據(jù)線釋放，由上拉電阻將數(shù)據(jù)線拉回至邏輯高電平，主機(jī)在15μs末期對(duì)數(shù)據(jù)線采樣，如果線為高電平，就讀為1，如果線為低電平，便讀為0。讀時(shí)間片的最短持續(xù)期限為60μs，各個(gè)讀時(shí)間片之間必須有最短為1μs的恢復(fù)時(shí)間。在考慮到線纜對(duì)波形的延遲和DS18B20傳感器發(fā)送數(shù)據(jù)表現(xiàn)的典型時(shí)間，在實(shí)際操作中，建議將主機(jī)對(duì)數(shù)據(jù)線的采樣滯后5～9μs，可提高正確讀取DS18B20的可靠性。

對(duì)DS18B20的讀寫(xiě)程序探討
經(jīng)過(guò)上面的分析和了解后，參見(jiàn)圖1，對(duì)接在P1.0口上的DS18B20傳感器讀寫(xiě)子程序進(jìn)行修改，分別見(jiàn)“寫(xiě)子程序”和“讀子程序”。將修改后的對(duì)DS18B20傳感器讀寫(xiě)子程序移入主程序并寫(xiě)入89C51單片機(jī)，對(duì)用RVV3×0.5mm2型線纜為傳感器連線，用1～50m傳感器連線，在高、低溫環(huán)境條件下進(jìn)行了試驗(yàn)驗(yàn)證，溫控儀工作正常，穩(wěn)定可靠。題圖為我公司溫控儀的照片。