正確選擇閃存寫入緩沖區(qū)大小，優(yōu)化擦寫速度
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圖3. 對(duì)小地址空間（64"512字節(jié)）進(jìn)行寫入操作時(shí)，采用不同緩沖區(qū)大小與寫入時(shí)間關(guān)系
大容量寫入緩沖區(qū)的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
再來(lái)對(duì)比Numonyx公司的M29EW與市場(chǎng)上的同類產(chǎn)品S29GL256P。M29EW具有1024字節(jié)的寫入緩沖區(qū)大小而S29GL256P最大的寫入緩沖區(qū)為64字節(jié)。為了說(shuō)明問(wèn)題，這里同時(shí)對(duì)兩種閃存芯片相同大小的地址空間進(jìn)行擦寫操作，如圖4所示。測(cè)試結(jié)果表明，M29EW整體的寫入時(shí)間是S29GL256P的30%，寫入效率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于S29GL256P。究其原因很簡(jiǎn)單，M29EW采用1024字節(jié)的寫入緩沖區(qū)大小，使得其在寫入時(shí)間相比最高采用64字節(jié)寫入緩沖區(qū)的S29GL256P，優(yōu)勢(shì)非常明顯。
圖4. M29EW與S29GL256P寫入速度比較
（均采用產(chǎn)品最大寫入緩沖區(qū)大小，M29EW是1024字節(jié)而S29Gl256P是64字節(jié)）
結(jié)論
綜上所述，我們對(duì)Numonyx公司的NOR型閃存M29EW進(jìn)行了測(cè)試分析，并與市場(chǎng)上同類的S29GL系列產(chǎn)品進(jìn)行了比較。分析結(jié)果表明，對(duì)于需要經(jīng)常進(jìn)行讀寫操作的電子產(chǎn)品，如移動(dòng)電子設(shè)備，汽車電子設(shè)備來(lái)說(shuō)，在設(shè)計(jì)過(guò)程中采用盡可能大的緩沖區(qū)大小，提高平均每字節(jié)寫入速度，是優(yōu)化提高讀寫速度的關(guān)鍵，同時(shí)也是最簡(jiǎn)單易行的方法。在執(zhí)行相同的寫入操作時(shí)，選用1024字節(jié)的寫入緩沖區(qū)大小，可使寫入速度相比使用64字節(jié)緩沖區(qū)至少提高2.5倍以上。
評(píng)論