LED芯片倒裝工藝原理以及發(fā)展趨勢

可靠性和壽命。同時，由于倒裝結構的良好散熱設計，倒裝1W芯片可以具有更好的L-I線性關系(見圖3)和飽和電流容忍能力及大電流承受能力。倒裝1W功率芯片可支持長期室溫780mA大電流老化。

　圖三

　　1W功率芯片安裝的路燈實例分析照明效果

　　LED倒裝芯片以其低電壓(3.0V以下)、高光效(100-110lm/W)、高穩(wěn)定性而逐漸被國內大多數(shù)燈具廠家應用于路燈照明中?，F(xiàn)以一客戶用倒裝芯片安裝的路燈為例對高壓鈉燈和LED路燈進行對比分析。港前大道在改造前采用400W(頂燈)+150W(腰燈)高壓鈉燈路燈，每桿日耗電量為6.6度，改造后采用180W(頂燈)+60W(腰燈)LED路燈，每桿日耗電量為3.1度，道路照明質量完全達到城市道路照明標準CJJ-45-2006的要求，節(jié)能53%。采用德國LM-1009道路專用窄視角亮度計，按道路照明亮度測量方法(測量儀器位于距離起始被測點60米處，儀器高度1.2米，沿車道中心線測量兩燈桿間亮度最高和最低處，逐點測量)，改造前該路面最大照度為42Lx，最小照度為8Lx，平均照度30Lx，均勻度0.3；改造后該路面最大照度為23Lx，最小照度為12Lx，平均照度18Lx，均勻度0.75。

　　由于LED光源的顯色性在70以上，亮度分布均勻，對目標的辨別能力遠好于顯色指數(shù)為23的高壓鈉燈，在道路照明的條件下(中間視覺)，適當降低白光LED的照度要求(降低1/3)，可以達到與高壓鈉燈同等的照明效果。此次在港前大道更換使用LED路燈后，路面總體均勻度、縱向均勻度、橫向均勻度均達到了0.70以上，取得很好的照明效果。

　　未來LED的芯片發(fā)展方向

　　目前高功率的LED路燈主要通過“多顆芯片金線串并聯(lián)”和“多顆LED通過PCB串并聯(lián)”的方式來實現(xiàn)。前者由于芯片之間需要進行光電參數(shù)的匹配，且多顆金線串并聯(lián)封裝的工藝不可靠性和低封裝良率，一直未被廣泛使用。而后者則需要對多顆LED進行嚴格的光電參數(shù)匹配，且光學設計困難。因此，“芯片級”模組化產(chǎn)品是未來LED芯片的一個重要發(fā)展方向。芯片級LED模組，單顆芯片間通過基板內的電路實現(xiàn)串并聯(lián)連接，解決傳統(tǒng)模組集成依靠金線進行串并聯(lián)的問題，大幅度提升產(chǎn)品良品率，極大地降低了整個封裝流程的生產(chǎn)成本，嚴格控制集成模組芯片的各芯片間的參數(shù)差異，保證模組芯片長期使用的可靠性，同時模組芯片可以作為單元，進行串并聯(lián)拼接，形成更大功率的模組。利用倒裝技術，可以在“芯片級”上實現(xiàn)不同尺寸、顏色、形狀、功率的多芯片集成，實現(xiàn)超大功率模組產(chǎn)品，這是任何其它的芯片技術不能達到的優(yōu)勢。