非隔離式開(kāi)關(guān)電源的PCB布局考慮

離地方案，IC有外露的GND焊盤(pán)，應(yīng)焊到PCB上，以盡量減少電氣阻抗與熱阻。幾只關(guān)鍵去耦電容應(yīng)緊挨著IC引腳。

控制電路應(yīng)有一個(gè)不同于功率級(jí)地的獨(dú)立信號(hào)(模擬)地。如果控制器IC上有獨(dú)立的SGND(信號(hào)地)和PGND(功率地)引腳，則應(yīng)分別布線(xiàn)。對(duì)于集成了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的控制IC，小信號(hào)部分的IC引腳應(yīng)使用SGND。

信號(hào)地與功率地之間只需要一個(gè)連接點(diǎn)。合理方法是使信號(hào)地返回到功率地層的一個(gè)干凈點(diǎn)。只在控制器IC下連接兩種接地走線(xiàn)，就可以實(shí)現(xiàn)兩種地。圖12(略)給出了建議的LTC3855電源接地隔離法。在本例中，IC有一個(gè)外露的接地焊盤(pán)。此焊盤(pán)應(yīng)焊到PCB上，以盡量減少電氣阻抗與熱阻。應(yīng)在接地焊盤(pán)區(qū)放置多個(gè)過(guò)孔。

控制IC的去耦電容應(yīng)靠近各自的引腳。為盡量減少連接阻抗，好的方法是將去耦電容直接接到引腳上，而不通過(guò)過(guò)孔。如圖12(略)所示，應(yīng)靠近置放去耦電容的LTC3855引腳是電流檢測(cè)引腳Sense+/Sense-，補(bǔ)償引腳ITH，信號(hào)地SGND，反饋分壓器腳FB，IC VCC電壓引腳INTVCC，以及功率地引腳PGND?；芈访娣e與串?dāng)_

兩個(gè)或多個(gè)鄰近導(dǎo)體可以產(chǎn)生容性耦合。一個(gè)導(dǎo)體上的高dv/dt會(huì)通過(guò)寄生電容，在另一個(gè)導(dǎo)體上耦合出電流。為減少功率級(jí)對(duì)控制電路的耦合噪聲，高噪聲的開(kāi)關(guān)走線(xiàn)要遠(yuǎn)離敏感的小信號(hào)走線(xiàn)。如果可能的話(huà)，要將高噪聲走線(xiàn)與敏感走線(xiàn)布放在不同的層，并用內(nèi)部地層作為噪聲屏蔽。

空間允許的話(huà)，控制IC要距離功率MOSFET和電感有一個(gè)小的距離(0.5英寸~1英寸)，后者既有大噪聲又發(fā)熱。

LTC3855控制器上的FET驅(qū)動(dòng)器TG、BG、SW和BOOST引腳都有高的dv/dt開(kāi)關(guān)電壓。連接到最敏感小信號(hào)結(jié)點(diǎn)的LTC3855引腳是：Sense+/Sense-、FB、ITH和SGND。如果布局時(shí)將敏感的信號(hào)走線(xiàn)靠近了高dv/dt結(jié)點(diǎn)，則必須在信號(hào)走線(xiàn)與高dv/dt走線(xiàn)之間插入接地線(xiàn)或接地層，以屏蔽噪聲。

在布放柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，采用短而寬的走線(xiàn)有助于盡量減小柵極驅(qū)動(dòng)路徑中的阻抗。在圖13(略)中，布放的高FET驅(qū)動(dòng)器走線(xiàn)TG與SW應(yīng)有最小的回路面積，以盡量減小電感與高dv/dt噪聲。同樣，低FET驅(qū)動(dòng)器走線(xiàn)BG要靠近一根PGND走線(xiàn)。

如果在BG走線(xiàn)下布放了一個(gè)PGND層，低FET的交流地返回電流將自動(dòng)耦合到一個(gè)靠近BG走線(xiàn)的路徑中。交流電流會(huì)流向它所發(fā)現(xiàn)的最小回路/阻抗。此時(shí)，低柵極驅(qū)動(dòng)器不需要一個(gè)獨(dú)立的PGND返回走線(xiàn)。最好的辦法是盡量減少柵極驅(qū)動(dòng)走線(xiàn)通過(guò)的層數(shù)量，這樣可防止柵極噪聲傳播到其它層。

在所有小信號(hào)走線(xiàn)中，電流檢測(cè)走線(xiàn)對(duì)噪聲最為敏感。電流檢測(cè)信號(hào)的波幅通常小于100mV，這與噪聲的波幅相當(dāng)。以LTC3855為例，Sense+/Sense-走線(xiàn)應(yīng)以最小間距并行布放(Kelvin檢測(cè))，以盡量減少拾取di/dt相關(guān)噪聲的機(jī)會(huì)，如圖14(略)所示。

另外，電流檢測(cè)走線(xiàn)的濾波電阻與電容都應(yīng)盡可能靠近IC引腳。當(dāng)有噪聲注入長(zhǎng)的檢測(cè)線(xiàn)時(shí)，這種結(jié)構(gòu)的濾波效果最好。如果采用帶R/C網(wǎng)絡(luò)的電感DCR電流檢測(cè)方式，則DCR檢測(cè)電阻R應(yīng)靠近電感，而DCR檢測(cè)電容C則應(yīng)靠近IC。

如果在走線(xiàn)到Sense-的返回路徑上使用了一個(gè)過(guò)孔，則過(guò)孔不應(yīng)接觸到其它的內(nèi)部VOUT+層。否則，過(guò)孔可能會(huì)傳導(dǎo)大的VOUT+電流，所產(chǎn)生的壓降可能破壞電流檢測(cè)信號(hào)。要避免在高噪聲開(kāi)關(guān)結(jié)點(diǎn)(TG、BG、SW和BOOST走線(xiàn))附近布放電流檢測(cè)走線(xiàn)。如可能，在電流檢測(cè)走線(xiàn)所在層與功率級(jí)走線(xiàn)層之間放置地層。

如果控制器IC有差分電壓遠(yuǎn)程檢測(cè)引腳，則要為正、負(fù)遠(yuǎn)程檢測(cè)線(xiàn)采用獨(dú)立的走線(xiàn)，同時(shí)也采用Kelvin檢測(cè)連接。

走線(xiàn)寬度的選擇

對(duì)具體的控制器引腳，電流水平和噪聲敏感度都是唯一的，因此，必須為不同信號(hào)選擇特定的走線(xiàn)寬度。通常情況下，小信號(hào)網(wǎng)絡(luò)可以窄些，采用10mil~15mil寬度的走線(xiàn)。大電流網(wǎng)絡(luò)(柵極驅(qū)動(dòng)、VCC以及PGND)則應(yīng)采用短而寬的走線(xiàn)。這些網(wǎng)絡(luò)的走線(xiàn)建議至少為20mil寬。

布局檢查表

表1可從網(wǎng)上下載(http://bit.ly/Ruxanc)，它是圖10(略)所示LTC3855雙相電源的一個(gè)檢查表實(shí)例。采用這個(gè)檢查表有助于確保得到一個(gè)布局嚴(yán)謹(jǐn)?shù)碾娫丛O(shè)計(jì)。