適用于USB3.0接口的新電路保護(hù)方案

一臺(tái)USB3.0電子設(shè)備最多可以驅(qū)動(dòng)6臺(tái)USB裝置(標(biāo)準(zhǔn)連接器和微型連接器每端口最高900mA)。因此，USB3.0電流傳輸能力的提高對(duì)電路保護(hù)方案提出了新的要求。

深圳市集電通實(shí)業(yè)有限公司專業(yè)生產(chǎn)自恢復(fù)保險(xiǎn)絲，并指出協(xié)同電路保護(hù)方案將有助于在USB3.0應(yīng)用中防止因過(guò)中大電流、過(guò)高電壓和ESD瞬態(tài)電壓而受損。

在過(guò)流保護(hù)方面，USB3.0通過(guò)兩類器件供電，即標(biāo)準(zhǔn)主控設(shè)備(A型連接器)和新型供電設(shè)備(Powered-B連接器)。新的規(guī)范提高了流向USB設(shè)備的電流大小，從最大額定電流0.5A提高至0.9A。

Powered-B連接器可以通過(guò)從兩個(gè)額外連接器輸送最高1.0A的電流來(lái)對(duì)設(shè)備充電。由于過(guò)流條件會(huì)影響電源總線，因此所有功率源(如主機(jī)和集線器)都需要進(jìn)行過(guò)流保護(hù)。（相關(guān)閱讀：自恢復(fù)保險(xiǎn)絲在USB3.0接口的保護(hù)應(yīng)用）

USB3.0標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)方案必須支持每端口最小900mA的電流，過(guò)電流保護(hù)必須滿足發(fā)生故障時(shí)在60s內(nèi)將故障電流限制在5A以下。

與 USB2.0集線器可以通過(guò)總線供電不同，USB3.0將不會(huì)提供這種選擇，而只能通過(guò)自有電源供電。由于需要一個(gè)插孔端口對(duì)USB3.0集線器應(yīng)用中的所有連接器供電，因此該插孔上需要使用電路保護(hù)器件防止因過(guò)壓事件受損，這類事件可能有非穩(wěn)壓電源、逆向電壓或電壓瞬態(tài)。

在USB電壓源上（VBUS）串聯(lián)萬(wàn)瑞和過(guò)流/過(guò)壓協(xié)同保護(hù)器件以及在該器件端口上安裝六個(gè)小電容PESD器件（靜電保護(hù)器）的方法，能夠幫助實(shí)現(xiàn)協(xié)同的過(guò)流/過(guò)壓保護(hù)方案。

在過(guò)壓保護(hù)方面，USB3.0新規(guī)范的出臺(tái)將使傳統(tǒng)0.5A端口設(shè)計(jì)的過(guò)壓保護(hù)器件不再適用。如果一臺(tái)0.9A主機(jī)斷開(kāi)，將產(chǎn)生高感應(yīng)電壓尖峰，這會(huì)對(duì)仍然留在總線上的設(shè)備造成負(fù)面影響。

各種接口和充電系統(tǒng)都會(huì)因?yàn)槭褂貌徽_充電器、穩(wěn)壓不良的第三方充電器或者熱插拔事件而使便攜式電子設(shè)備面臨受損的危險(xiǎn)。

研究指出“雖然主要的手機(jī)OEM廠商都有內(nèi)部關(guān)于USB輸入口的過(guò)壓保護(hù)要求，以保證USB輸入端口可以承受16V到24V的電壓，但內(nèi)部測(cè)試表明，帶電熱插拔時(shí)所引起的瞬態(tài)脈沖，盡管非常短仍然會(huì)超過(guò)上述的16-24V電壓。我們建議在所有USB設(shè)備電源輸入端口進(jìn)行過(guò)壓保護(hù)。”

在所有USB受電設(shè)備，尤其是VBUS端口上安裝過(guò)壓保護(hù)器件可以有效防止因電壓瞬態(tài)而受損。對(duì)于USB3.0而言，PolyZen器件可酌情置于USB輸入端口、Power-B插頭和母插孔電源端口上。

他指出，USB3.0對(duì)于過(guò)壓保護(hù)的要求相對(duì)于USB2.0沒(méi)有任何變化，不會(huì)影響所推薦用于USB端口的過(guò)壓、ESD保護(hù)元件的型號(hào)。

過(guò)壓瞬態(tài)往往是ESD造成的，電源總線和數(shù)據(jù)總線上都可能出現(xiàn)?，F(xiàn)有USB2.0協(xié)議支持最高480Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，而USB3.0規(guī)范支持的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)5Gbps，因此USB3.0的數(shù)據(jù)線上需要具有快速鉗位和恢復(fù)響應(yīng)的極低電容ESD器件。

針對(duì)USB3.0的ESD保護(hù)電路，集電通指出了三個(gè)主要的考慮因素：

一是為滿足要高速度/電容要求，USB3.0的接口需要比USB2.0電容更低的ESD保護(hù)，必須采用小于1pF的ESD元件，增加極低電容PESD器件可以減小插入損耗；

二是動(dòng)作電壓的選用要與被保護(hù)IC芯片的ESD承受能力配合起來(lái)，還要考慮回路阻抗；（推薦知識(shí)：航天產(chǎn)品電子元器件的質(zhì)量控制）

三是滿足空間要求，采用更小尺寸的保護(hù)元件，靈活布局。出于空間的考慮可以選擇貼片保險(xiǎn)絲進(jìn)行保護(hù)。