詳細剖析數(shù)字隔離器結(jié)構(gòu)原理及優(yōu)勢

　　表1. 基于聚合物/聚酰亞胺的隔離器可提供最佳的隔離特性

　　安全標(biāo)準(zhǔn)通常規(guī)定1分鐘耐壓額定值（典型值2.5 kV rms至5 kV rms）和工作電壓（典型值125 V rms至400 V rms）。某些標(biāo)準(zhǔn)也會規(guī)定更短的持續(xù)時間、更高的電壓（如10 kV峰值并持續(xù)50 μs）作為增強絕緣認(rèn)證的一部分要求。基于聚合物/聚酰亞胺的隔離器可提高最佳的隔離特性，如表1所示。
　　基于聚酰亞胺的數(shù)字隔離器與光耦合器相似，在典型工作電壓時壽命更長?；赟iO2的隔離器對浪涌的防護能力相對較弱，不能用于醫(yī)療和其他應(yīng)用。
　　各種薄膜的固有應(yīng)力也不相同。聚酰亞胺薄膜的應(yīng)力低于SiO2薄膜，可以根據(jù)需要增加厚度。SiO2薄膜的厚度有限，因而隔離能力也會受限；超過15 μm時，應(yīng)力可能會導(dǎo)致晶圓在加工過程中開裂，或者在使用期間分層?；诰埘啺返臄?shù)字隔離器可以使用厚達26 μm的隔離層。
　　隔離器結(jié)構(gòu)
　　數(shù)字隔離器使用變壓器或電容將數(shù)據(jù)以磁性方式或容性方式耦合到隔離柵的另一端，光耦合器則是使用LED光。
　　如圖1所示，變壓器電流脈沖通過一個線圈，形成一個很小的局部磁場，從而在另一個線圈生成感應(yīng)電流。電流脈沖很短（1 ns），因此平均電流很低。
　　變壓采用差分連接，提供高達100 kV/μs的出色共模瞬變抗擾度（光耦合器通常約為15 kV/μs）。磁性耦合對變壓器線圈間距離的依賴性也弱于容性耦合對板間距離的依賴性，因此，變壓變壓器線圈之間的絕緣層可以更厚，從而獲得更高的隔離能力。結(jié)合聚酰亞胺薄膜的低應(yīng)力特性，使用聚酰亞胺的變壓器比使用SiO2的電容更容易實現(xiàn)高級隔離性能。
　　電容為單端連接，更容易受共模瞬變影響。雖然可以用差分電容對來彌補，但這會增大尺寸并提高成本。
　　電容的優(yōu)勢之一是它使用低電流來產(chǎn)生耦合電場。當(dāng)數(shù)據(jù)速率較高時（25 Mbps以上），這一優(yōu)勢就相當(dāng)明顯。
　　數(shù)據(jù)傳輸方法
　　光耦合器使用LED發(fā)出的光將數(shù)據(jù)傳輸?shù)礁綦x柵的另一端：LED點亮?xí)r表示邏輯高電平，熄滅時表示邏輯低電平。當(dāng)LED點亮?xí)r，光耦合器需要消耗電能；對于關(guān)注功耗的應(yīng)用，光耦合器不是一個好的選擇。多數(shù)光耦合器將輸入端和/或輸出端的信號調(diào)理留給設(shè)計人員實現(xiàn)，而這并不一定是非常簡單的工作。
　　數(shù)字隔離器使用更先進的電路來編碼和解碼數(shù)據(jù)，支持更快的數(shù)據(jù)傳輸速度，能夠處理USB和I2C等復(fù)雜的雙向接口。
　　一種方法是將上升沿和下降沿編碼為雙脈沖或單脈沖，以驅(qū)動變壓器（圖2）。這些脈沖在副邊解碼為上升沿或下降沿。這種方法的功耗比光耦合器低10倍到100倍，因為不像光耦合器，電源無需連續(xù)提供給器件。器件中可以包括刷新電路，以便定期更新直流電平。

　　圖2. 一種數(shù)據(jù)傳輸方法是將邊沿編碼為單脈沖或雙脈沖　　另一種方法是使用RF調(diào)制信號，其使用方式與光耦合器使用光的方式非常相似，邏輯高電平信號將引起連續(xù)RF傳輸。這種方法的功耗高于脈沖方法，因為邏輯高電平信號需要持續(xù)消耗電能。
　　也可以采用差分技術(shù)來提供共模抑制，不過，這些技術(shù)最好配合變壓器等差分元件使用。
　　選擇正確的組合
　　數(shù)字隔離器在尺寸、速度、功耗、易用性和可靠性方面具有光耦合器所無法比擬的巨大優(yōu)勢。在數(shù)字隔離器領(lǐng)域，不同的絕緣材料、結(jié)構(gòu)和數(shù)據(jù)傳輸方法組合造就不同的產(chǎn)品，而不同的產(chǎn)品適合不同的具體應(yīng)用。如上所述，基于聚合物的材料提供最魯棒的隔離能力，這種材料幾乎適合所有應(yīng)用，但醫(yī)療保健和重工業(yè)設(shè)備等要求最嚴(yán)格的應(yīng)用受益最大。為了實現(xiàn)最魯棒的隔離，聚酰亞胺厚度可以超過對電容而言的合理厚度；因此，基于電容的隔離最適合不需要安全隔離的功能隔離應(yīng)用。在這種情況下，基于變壓器的隔離可能是最合理的，特別是結(jié)合差分?jǐn)?shù)據(jù)傳輸方法，以便充分利用變壓器的差分特性。