盤點(diǎn)+點(diǎn)評：2016中國半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

　　6 貴州華芯通成立，目標(biāo)ARM架構(gòu)服務(wù)器芯片

　　2016年1月17日，高通公司與貴州省相關(guān)部門以18.5億元(約2.8億美元)合資成立貴州華芯通半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，進(jìn)行服務(wù)器芯片的設(shè)計(jì)、開發(fā)與銷售。2016年11月18日，華芯通宣布正式啟用位于北京望京地區(qū)的北京研發(fā)中心。目前，公司已獲得來自ARM v8-A架構(gòu)授權(quán)和技術(shù)轉(zhuǎn)移，將開發(fā)10納米的服務(wù)器芯片。

　　點(diǎn)評：長期以來，我國在通用CPU領(lǐng)域一直受制于人。信息通信技術(shù)的深度融合以及云計(jì)算/大數(shù)據(jù)和SDN/NFV的快速發(fā)展，正在推動計(jì)算架構(gòu)、網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)、存儲架構(gòu)向通用化方向演進(jìn)。這對互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)器CPU提出了全新的規(guī)格需求，同時(shí)也給我國發(fā)展CPU產(chǎn)業(yè)帶來了新一輪的黃金發(fā)展機(jī)遇期。以互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)器CPU為切入點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)在高端服務(wù)器及通用CPU領(lǐng)域的安全自主可控發(fā)展是當(dāng)務(wù)之急。

　　7 手機(jī)芯片開啟10nm時(shí)代，中國通信芯片走向高端

　　2016年，全球智能手機(jī)芯片市場的競爭越來越激烈，“寡頭競爭”趨勢已經(jīng)十分明顯。“寡頭”間的碰撞則不斷朝中高端市場延伸。高通采用10nm工藝的驍龍835發(fā)布，聯(lián)發(fā)科、華為海思也將采用該工藝生產(chǎn)芯片，華為海思將推出采用10nm工藝的麒麟970，聯(lián)發(fā)科的Helio X30也將采用10nm工藝。

　　點(diǎn)評：集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)。近年來，在國家一系列產(chǎn)業(yè)政策的扶持推動下，中國IC產(chǎn)業(yè)取得了一定發(fā)展。2016年，中國集成電路銷售收入預(yù)計(jì)達(dá)到1518.52億元(約合228.35億美元)，相比2015年增長23.04%。然而，另一方面，整體技術(shù)水平不高、核心產(chǎn)品創(chuàng)新能力不足等問題依然存在，特別是在CPU、存儲器等高端領(lǐng)域，芯片產(chǎn)品發(fā)展不力，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)存在著較為嚴(yán)重的缺位情況。目前，通信芯片是中國IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r最好的部分，下一步需要解決中國高端芯片發(fā)展不足的問題。

　　8 中芯長電半導(dǎo)體規(guī)模量產(chǎn)，進(jìn)入到14納米產(chǎn)業(yè)鏈

　　2016年7月28日，中芯國際與長電科技合資成立的中芯長電半導(dǎo)體有限公司舉行了14納米凸塊加工量產(chǎn)儀式。中芯長電半導(dǎo)體的12英寸28納米凸塊加工技術(shù)在2015年底已通過客戶的產(chǎn)品驗(yàn)證，成為國內(nèi)第一家、也是唯一一家可提供14納米凸塊加工中段硅片制造服務(wù)的公司。凸塊加工是中段硅片制造的基本工藝之一，在強(qiáng)調(diào)高性能、低功耗、小尺寸的移動智能芯片中被廣泛應(yīng)用。

　　點(diǎn)評：隨著移動智能時(shí)代的發(fā)展，集成電路芯片對性能、功耗、面積的要求越來越高，傳統(tǒng)的芯片架構(gòu)越來越力不從心，中段工藝在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈中已成為必不可少的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。中芯長電半導(dǎo)體項(xiàng)目量產(chǎn)表明我國在半導(dǎo)體制造工藝上取得重大突破，意味著我國首次成功打通了移動智能通信芯片加工制造產(chǎn)業(yè)鏈的全部環(huán)節(jié)，為我國集成電路企業(yè)參與國際頂級陣營的競爭，奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

　　9 硅襯底LED項(xiàng)目獲國家技術(shù)發(fā)明一等獎，核心專利實(shí)現(xiàn)突破

　　2016年1月8日，南昌大學(xué)硅襯底LED項(xiàng)目獲得2015年度國家技術(shù)發(fā)明獎中唯一的一等獎。根據(jù)生長襯底不同，藍(lán)光LED技術(shù)有三條主流技術(shù)路線：日本的藍(lán)寶石襯底LED技術(shù)、美國的碳化硅襯底LED技術(shù)和中國的硅襯底LED技術(shù)，而前兩條技術(shù)路線已經(jīng)被歐、美、日等國占盡先機(jī)。經(jīng)過多年的運(yùn)作，五家國際大企業(yè)已經(jīng)通過交叉授權(quán)等手段，在LED產(chǎn)業(yè)構(gòu)筑了森嚴(yán)的專利壁壘。硅襯底LED技術(shù)實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化，獲授權(quán)發(fā)明專利68項(xiàng)，實(shí)現(xiàn)了核心部件的每一層都有專利保護(hù)。

　　點(diǎn)評：硅襯底LED技術(shù)從源頭上避開了發(fā)達(dá)國家的技術(shù)壁壘，不僅從實(shí)驗(yàn)室走向了國際市場，更是已經(jīng)具備了大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化能力，成為提升我國LED照明產(chǎn)業(yè)國際地位和競爭力的關(guān)鍵。隨著硅襯底LED技術(shù)和工藝的成熟，產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程也將隨之加快，其產(chǎn)品有望向一系列性能更高、附加值更高的照明領(lǐng)域延伸。

　　10 2016年中國光伏裝機(jī)31GW，繼續(xù)領(lǐng)跑全球

　　太陽能行業(yè)咨詢公司Mercom Capital發(fā)布了一份研究報(bào)告：預(yù)測2016年光伏裝機(jī)量將高達(dá)76GW，而中國將以高達(dá)31GW的總裝機(jī)量繼續(xù)領(lǐng)跑全球光伏市場。這也是中國自2013年以來，連續(xù)四年獲得光伏裝機(jī)總量的第一名。該研究報(bào)告分析稱，中國光伏搶裝潮之后的需求放緩，導(dǎo)致市場出現(xiàn)供大于求的情況，致使組件價(jià)格大幅下跌，但低組件價(jià)格有助于2017年的需求恢復(fù)。預(yù)計(jì)2017年全球太陽能需求前景并不會像預(yù)期那樣放緩，反而有所改觀。

　　點(diǎn)評：2016年全球光伏裝機(jī)量驚人的增長速度部分原因可以歸功于中國在2016年上半年出現(xiàn)的光伏搶裝潮和第四季度的強(qiáng)勁表現(xiàn)。有研究報(bào)告稱，由于中國裝機(jī)量出現(xiàn)了前所未有的熱潮，國家能源局將太陽能安裝目標(biāo)從2020年的150GW減少到110GW，減少了27%。