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ITO基礎知識講解

作者: 時間:2017-06-06 來源:網絡 收藏

液晶顯示器現已成為技術密集,資金密集型高新技術產業(yè),透明導電玻璃則是的三大主要材料之一。液晶顯示器之所以能顯示特定的圖形,就是利用導電玻璃上的透明導電電膜,經蝕刻制成特定形狀的電極,上下導電玻璃制成液晶盒后,在這些電極上加適當電壓信號,使具有偶極矩的液晶分子在電場作用下特定的方面排列,僅而顯示出與電極波長相對應的圖形。

在氧化物導電膜中,以摻Sn的In2O3()膜的透過率最高和導電性能最好,而且容易在酸液中蝕刻出微細的圖形。其透過率已達90%以上,中其透過率和阻值分別由In2O3與Sn2O3之比例來控制,通常SnO2:In2O3=1:9。

是一種N型氧化物半導體-氧化銦錫,ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜,通常有兩回事個主要的性能指針:電阻率和光透過率。

目前ITO膜層之電阻率一般在5*10-4左右,最好可達5*10-5,已接近金屬的電阻率,在實際應用時,常以方塊電阻來表征ITO的導電性能,其透過率則可達90%以上,ITO膜之透過率和阻值分別由In2O3與Sn2O3之比例控制,增加氧化錮比例則可提高ITO之透過率,通常Sn2O3: In2O3=1:9,因為氧化錫之厚度超過200Å時,通常透明度已不夠好---雖然導電性能很好。

如用是電流平行流經ITO脫層的情形,其中d為膜厚,I為電流,L1為在電流方向上膜厚層長度,L2為在垂直于電流方向上的膜層長主,當電流流過方形導電膜時,該層電阻R=PL1/dL2式中P為導電膜 之電阻率,對于給定膜層,P和d可視為定值,P/d,當L1=L2時,怒火正方形膜層,無論方塊大小如何,其電阻均為定值P/d,此即方塊電阻定義: R□=P/d,式中R□單位為:奧姆/□(Ω/□),由此可所出方塊電阻與IOT膜層電阻率P和ITO膜厚d有關且ITO膜阻值越低,膜厚越大。

目前在高檔STN液晶顯示屏中所用ITO玻璃,其R□可達10Ω/□左右,膜厚為100-200um,而一般低檔TN產品的ITO玻璃R□為100-300Ω/□,膜厚為20-30um。

在進行走線設計時,由ITO阻計算方式,可知影響ITO阻值有如下因素:

1、ITO玻璃之方塊電阻

要確保走線電阻小,應酬讓ITO玻璃方塊電阻小,因為R□=P/d,則必須選P小,d適當大些的材料。

2、L1/L2

L1/L2即走線在平行電流方向與垂直電流方向上的長度比,在R□一定時,要保證走線電阻值小,就要讓L1/L2小,當L1一定時,只有增大L2,也說法是在設計時,走線應盡可能加寬;而當L2一定時,L1就要小,即走線寬度一定時,細線應盡可能短。

3、ITO阻值影響

顯示屏設計當中,不僅要考慮走線布對ITO阻值的影響,還要考慮生產工藝對ITO阻值的影響,以便選擇適當方塊電阻的ITO玻璃,以便設計到制作的全面控制,生產高對比的LCD產品,這時高占空比及COG產品無為重要,如ITO膜厚的均勻性,因為ITO的耙材及工藝的為穩(wěn)定,會使同樣長度與寬度的ITO阻值發(fā)生變化,如目標值為10Ω時,其R□范圍在8-12Ω之間,所以在生產中要使用ITO膜厚均勻的導電玻璃,以減少電阻的變化,其次為ITO玻璃的耐高溫時性,酸堿性,因為通常LCD生產工藝中要使用高溫烘烤及各種酸堿液的浸泡,而一般在300°C *30min的環(huán)境中,會使R□增大2-3倍,而在10wt%NaOH*5min及6wt%HCL*2min(60°C)下也會增到1。1倍左右,由此可知,在生產工藝中不宜采用高溫生產及酸堿的長時清洗,若無法避免,則應盡量在低溫下進行并盡量縮短動作時間。

4、由于在液晶顯示器中,ITO方塊電阻等效于電路圖中的分壓電阻,其阻值大小直接影響電路兩端電壓的大小,即方塊電阻越大,LCD值電壓越大。有數據表明,ITO之方塊電阻由100Ω/□降至60Ω/□。(Cell Gap為6um)左右,Vth值會降低0。03V左右。


關鍵詞: LCD ITO

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