日韓中的半導(dǎo)體“三國殺”

　　三星在硅谷設(shè)立的研發(fā)團(tuán)隊專門招募韓裔的美國工程師，不少人在愛國情懷的感召下，放棄自己多年的事業(yè)，轉(zhuǎn)身回到韓國，夜以繼日地投入研發(fā)當(dāng)中。其有一個叫陳大濟(jì)的年輕人謝絕了IBM公司的再三挽留，義無反顧地加入了三星，理由就是“真想贏日本一次”。這個年輕人后來成了三星電子的CEO。

　　在這樣一支戰(zhàn)斗隊伍的配合下，三星僅用了一年時間就消化了64K DRAM技術(shù)并開始批量生產(chǎn)，而等到后來鎂光為了應(yīng)對日本重壓，將256K DRAM技術(shù)也授權(quán)給韓國企業(yè)時，進(jìn)入量產(chǎn)模式的時間又被壓縮了一半。

　　僅此一役，三星就將自己與美國日本的技術(shù)差距由4年縮短到了2年。

　　此時，韓國政府也全力配合，將日本“官產(chǎn)學(xué)”三位一體的研發(fā)模式有樣學(xué)樣，由韓國電子通信研究所(KIST)牽頭，聯(lián)合三星、LG、現(xiàn)代與韓國六所大學(xué)，一起對4M DRAM進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)。該項目持續(xù)了三年，研發(fā)費用高達(dá)1.1億美元，其中韓國政府承擔(dān)了57%。

　　1989年，三星成功量產(chǎn)4M DRAM，和日本幾乎同時投放市場。這時離韓國正式進(jìn)軍半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，僅僅過去了六年。

　　用了8年時間，韓國的DRAM產(chǎn)業(yè)完成了對日本的超越，資料來源：云鋒金融整理

　　“賭徒”三星

　　盡管韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)家史沾了美國大兵的光，但在之后的崛起過程中，美國漸漸失去了對韓國企業(yè)的控制。這其中的關(guān)鍵因素，就是三星這家獨一無二的“企業(yè)”。

　　在韓國，三星的影響力可謂“一手遮天”。這家公司每年的營收占了韓國GDP的20%，有人調(diào)侃，韓國人一生有三件事情無法避免——死亡、稅收和三星。

　　在半導(dǎo)體行業(yè)，三星最出名的就是其拼命三郎式的“反周期投資”策略。

　　在之前介紹的日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)史中，上世紀(jì)80年代后半段是行業(yè)的低潮期。三星在1984年推出64K DRAM時，恰逢內(nèi)存價格從每片4美元暴跌至每片30美分，由于三星的生產(chǎn)成本是1.3美元，所以每賣一片內(nèi)存，公司就要虧掉1美元。3年時間公司損失了3億美元，這足以讓三星電子的股權(quán)資本金全部歸零。

　　然而和當(dāng)時黯然退出DRAM行業(yè)的英特爾，以及大幅削減資本開支的NEC等日企不同，三星選擇了逆勢而上，像賭徒般瘋狂加碼。

　　“越是困難，就越要加大投資?！边@是李澤熙的斗志體現(xiàn)，而三星集權(quán)式的管理結(jié)構(gòu)成全了他。

　　好在半導(dǎo)體行業(yè)的周期并不長，1987年的日美半導(dǎo)體協(xié)議就讓DRAM內(nèi)存價格回升，三星活了過來。

　　韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資從此風(fēng)起云涌。從1990年開始，三星建立了26個研發(fā)中心，LG建立18個，現(xiàn)代建立14個，對半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)投入從1980年的850萬美金飆升至1994年的9億美金。在專利技術(shù)方面，1989年韓國的專利技術(shù)應(yīng)用有708項，1994年已經(jīng)上升到3336項。

　　不過更能體現(xiàn)三星投資特色的，還是2008年金融危機時的殊死一戰(zhàn)。

　　彼時，DRAM價格暴跌九成，就在全行業(yè)陷入虧損，眾廠商哀鴻遍野時，三星卻做出一個令人瞠目結(jié)舌的決定：將三星電子上一年的利潤全部用于擴(kuò)大產(chǎn)能，故意擴(kuò)大行業(yè)的虧損。

　　很快，DRAM的價格就跌破材料成本，工廠全面陷入停工。最先倒下的是德國巨頭奇夢達(dá)，由于資金鏈斷裂，于2009年初破產(chǎn)。日本的爾必達(dá)在苦苦支撐數(shù)年后被美光收購。

　　這一役過后，整個DRAM行業(yè)只剩下三星、SK海力士和美光三大玩家。其中，三星和SK海力士兩大韓國巨頭獨占75%的份額，成為名副其實的行業(yè)霸主。

　　為什么三星可以如此不顧產(chǎn)業(yè)周期的進(jìn)行投資?為什么它又每次都能熬過最艱難的時期，死里逃生成為最后的贏家?

　　因為在它背后，有幅員遼闊的需求市場。不，我們說的不是“彈丸之地”的韓國。

　　1986年，在三星電子的股權(quán)資本金幾乎全部虧光的關(guān)鍵時刻，美國政府依據(jù)《日美半導(dǎo)體協(xié)議》對日本人的約束，對韓國企業(yè)打開了當(dāng)年全球最大的消費市場——美國國內(nèi)市場。韓國半導(dǎo)體企業(yè)迅速填補了日企留下的空白，占據(jù)了30%的美國DRAM市場份額。一年后，三星扭虧為盈，度過最危險的時刻。

　　十幾年后，向韓國半導(dǎo)體企業(yè)打開的市場變成了中國。除了無錫海力士工廠的案例讓其安然度過金融危機以外，三星在“韓日NAND FLASH戰(zhàn)斗”中的勝利也同樣要部分歸功于中國市場。

　　2011年，三星與日本東芝在NAND FLASH領(lǐng)域的全球競爭如火如荼。當(dāng)時三星在韓國和美國共有4座NAND FLASH 12英寸晶圓廠，年產(chǎn)能450萬片晶圓。為了拉開與東芝的差距，三星決定繼續(xù)追加投資新建工廠。

　　經(jīng)過談判，三星最終選擇落戶中國西安，項目總投資300億美金，分三期建設(shè)。要知道，2011年三星半導(dǎo)體的全球銷售金額不過才285億美金，而之所以敢在西安項目上砸下重金，和地方政府提供的巨額優(yōu)惠政策是分不開的。

　　當(dāng)三星的西安項目落成之后，其巨大的產(chǎn)能優(yōu)勢讓東芝唯有放棄了存儲部門，韓國人兵不血刃的拿下了這場戰(zhàn)爭。

　　可以說，三星“賭徒式”的反周期投資背后，是對投資和需求兩端的精準(zhǔn)把握。韓國人深刻領(lǐng)悟了這么一個道理——

　　“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是靠巨額投資拼出來的，而投資卻是要靠具有戰(zhàn)略縱深的需求市場托起來的”。

　　中國臺灣

　　要問誰對中國市場的重要性理解最深刻，韓國半導(dǎo)體行業(yè)未必比得過臺灣。然而，如果說韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是“政府意志+技術(shù)援助+企業(yè)投入”一整套日版故事的加強版，那么臺灣就可以算是這個故事的反面教材。

　　投入不足，選擇錯誤

　　上世紀(jì)七十年代初，臺灣的電子工業(yè)曾經(jīng)和同期的韓國一樣，僅僅是美日企業(yè)的出口加工地。彼時，集成電路還只是臺灣大學(xué)的一門課程，沒有人想到小小的臺灣可以在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有所作為。

　　轉(zhuǎn)折點發(fā)生在1975年，政府意志將臺灣推上了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的快車。

　　時任“臺灣省經(jīng)濟(jì)部長”的孫云璇在訪韓時看到韓國政府高薪聘請美國韓裔研究人員回國發(fā)展電子工業(yè)，受到了極大的觸動。韓國可以做到的，為什么臺灣不可以?

　　回來后，他便主張成立了臺灣工業(yè)技術(shù)研究院(簡稱工研院)，下設(shè)電子所，并選派了一批相關(guān)學(xué)科的碩士和博士工程師到美國RCA公司學(xué)習(xí)集成電路的設(shè)計和制造技術(shù)。

　　為什么是RCA?因為彼時在這家公司擔(dān)任微波研究室主任的，正是臺灣人潘文淵。潘還幫助臺灣以4.89億元新臺幣(約1287萬美元)的價格購入了RCA的整條3英寸晶圓生產(chǎn)線。這讓臺灣在這一規(guī)格上的建廠速度領(lǐng)先了韓國一年時間。

　　而當(dāng)年送去美國學(xué)習(xí)技術(shù)的那群年輕人歸來后，成為臺灣集成電路行業(yè)的頂梁柱，配合著臺灣省政府三個階段的“電子工業(yè)研究發(fā)展計劃”，先后孕育了聯(lián)華電子、臺積電、臺灣光罩、世界先進(jìn)等多家集成電路制造公司。

　　1976年，美國佛羅里達(dá)州，臺灣工研院送到美國RCA接受3英寸晶圓廠培訓(xùn)人員。左起王國肇(創(chuàng)惟科技董事長)、林緒德、楊丁元(華邦電子創(chuàng)辦人)、蔡明介(聯(lián)發(fā)科創(chuàng)辦人)、萬學(xué)耘、章青駒(世界先進(jìn)董事長)、謝錦銘、謝開良、劉長誠。圖片來源：新浪微博

　　然而臺灣政府在將這些企業(yè)送上半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“快車”后，卻接連犯錯，最終讓五百億美元的投資、兩萬多名科技精英的心血在DRAM產(chǎn)業(yè)上打了水漂。

　　第一，日韓的歷史已經(jīng)證明，要想在半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)擁有立足之地，獨立自主的核心技術(shù)體系是不可或缺的底氣，而實現(xiàn)這一點的唯一手段就是不計成本的研發(fā)投入。企業(yè)自身很難擁有這樣的格局和投資能力，只有政府力量才能發(fā)揮引導(dǎo)和領(lǐng)投作用。

　　當(dāng)年的日本擁有“官產(chǎn)學(xué)”三位一體的力量攻關(guān)重點項目，韓國也曾依靠財閥和政府的互動關(guān)系屢屢進(jìn)行技術(shù)沖關(guān)，而臺灣在“民進(jìn)黨”上臺之后，卻盲目相信自由市場經(jīng)濟(jì)理論，再沒有這樣的“舉省體制”支持產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

　　一個典型案例就是金融危機時失敗的“DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案”。當(dāng)時臺灣的六家DRAM廠商虧損嚴(yán)重，資本實力最為雄厚的南亞科技從2007年起連續(xù)巨虧六年，累計虧損達(dá)到1608.6億新臺幣(約49億美元)，最慘的時候每股凈值只剩下0.09新臺幣。

　　為了應(yīng)對危機，臺灣省政府成立了臺灣記憶體公司TMC，由聯(lián)電副董事長宣明智負(fù)責(zé)，對六家DRAM廠商進(jìn)行控股整合。同時，TMC與爾必達(dá)和鎂光展開談判，期望共同合作推進(jìn)自主技術(shù)的研發(fā)。

　　彼時，在金融危機中陷入困境的爾必達(dá)非常愿意向臺灣人提供全部核心技術(shù)，以換取援助資金。但因為政府希望TMC是一家盡可能純粹的民營企業(yè)，因此并沒有主導(dǎo)這一項目，背后有著不同技術(shù)合作對象的六家臺灣DRAM廠商遲遲無法整合，和爾必達(dá)的談判推進(jìn)緩慢。

　　與此同時，臺灣媒體也在煽風(fēng)點火，“自由時報”就以《國發(fā)基金小心掉進(jìn)大錢坑》為標(biāo)題，宣稱TMC是個錢坑，DRAM產(chǎn)業(yè)面臨產(chǎn)能過剩、流血競爭等，不適合政府用納稅人的錢參與其中。

　　2009年10月，“DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案”在臺灣省立法院審議時遭到否決，國發(fā)基金被禁止投資TMC公司，臺灣省DRAM產(chǎn)業(yè)整合計劃宣告失敗。而此時，全球DRAM行業(yè)已經(jīng)開始出現(xiàn)回暖，爾必達(dá)也不再尋求向臺灣轉(zhuǎn)讓核心技術(shù)。

　　曾經(jīng)放在臺灣半導(dǎo)體人面前短暫的發(fā)展窗口就這樣關(guān)閉了。臺灣DRAM行業(yè)從此一蹶不振，并在2015年鎂光收購華亞科技后徹底消失。

　　第二，由于“民進(jìn)黨政府”的錯誤選擇，臺灣放棄了大陸市場的戰(zhàn)略縱深。

　　日本在半導(dǎo)體核心技術(shù)的發(fā)展期擁有本土和美國的廣闊市場，而韓國先有美國開放市場，后又深入中國市場。臺灣則背道而馳，在民進(jìn)黨上臺后“拒絕西進(jìn)大陸”。

　　這一充滿政治意味的選擇，也是臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)在2008年金融危機時被血洗后無力回天，而韓國的海力士由于無錫工廠的投產(chǎn)和中國市場的旺盛需求，僅僅用了一年時間就扭虧為盈的關(guān)鍵原因。

　　企業(yè)投入：自主還是代工?

　　說到臺灣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，不得不提的霸主就是臺積電。然而正是臺積電的成功，讓臺灣的半導(dǎo)體行業(yè)全面轉(zhuǎn)向更“短平快”獲取利潤的代工模式，失去了研發(fā)核心技術(shù)的可能性。

　　其實臺積電的代工基因從一誕生便已注定。

　　1985年8月，德州儀器的資深副總裁張忠謀辭去工作，回到臺灣出任工研院負(fù)責(zé)人。張忠謀提出了設(shè)立專業(yè)芯片代工廠的設(shè)想，為那些沒有晶圓廠的半導(dǎo)體設(shè)計公司提供代工生產(chǎn)。恰巧此時，荷蘭飛利浦公司也希望在臺灣設(shè)立晶圓廠，兩者一拍即合。1987年，臺灣積體電路制造公司(TSMC)作為晶圓代工廠孕育而生。

　　在此之后，臺積電便如巨獸般不斷吞食擁有技術(shù)研發(fā)意愿，卻因為行業(yè)周期虧損而被拋棄的同行們。

　　1989年，臺灣宏碁電腦(占股74%)與美國德州儀器(占股26%)合資設(shè)立德碁半導(dǎo)體，這是臺灣第一家專業(yè)的DRAM生產(chǎn)廠。然而受到景氣周期影響，在亞洲金融危機期間德碁累計虧損超過50億新臺幣。此時，美國德州儀器終于不堪忍受，將DRAM業(yè)務(wù)甩賣給了鎂光。德碁失去了技術(shù)來源后，1999年被宏碁高價出售給了臺積電，隨后被臺積電改造成了晶圓代工廠。

　　1994年，臺灣省經(jīng)濟(jì)部在新竹園區(qū)投資180億新臺幣(5億多美元)，創(chuàng)辦世界先進(jìn)積體電路股份有限公司(簡稱世界先進(jìn))，以DRAM芯片為主攻業(yè)務(wù)，建成了臺灣第一座8英寸晶圓廠。然而由于投資規(guī)模太小，產(chǎn)能微不足道，世界先進(jìn)根本無力與韓國三星、日本NEC等巨無霸進(jìn)行同場廝殺，成立十年中僅盈利過兩年，到2003年已經(jīng)累計虧損達(dá)194.12億新臺幣，被迫退出了DRAM生產(chǎn)。隨后在持股30%的臺積電主導(dǎo)下，世界先進(jìn)也轉(zhuǎn)型成了晶圓代工廠。

　　世界先進(jìn)曾是臺灣唯一一家能夠進(jìn)行DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)的企業(yè)。通過對世界先進(jìn)，以及之后的力晶、世大等收購整合，臺積電成為全球半導(dǎo)體代工之王的同時，也消滅了臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)獨立自主開發(fā)的能力。

　　除了讓臺積電“背鍋”之外，沒有自主的核心技術(shù)體系也是臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資不足的原因。無論是日韓還是美國，DRAM巨頭們的研發(fā)費用平均占到營收的15-20%，而臺灣企業(yè)的研發(fā)費用比例僅為6%。這是因為每年臺灣半導(dǎo)體企業(yè)要向美日歐支付超過200億元新臺幣以上(6億美金)的技術(shù)授權(quán)費用，再加上巨額的進(jìn)口設(shè)備投資，使得臺灣企業(yè)根本無力再投入巨資進(jìn)行先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。

　　總結(jié)

　　縱觀幾十年來日韓和中國臺灣在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的搏殺史，我們可以嘗試著得出幾個結(jié)論：

　　1、半導(dǎo)體芯片這個行業(yè)，與其說是企業(yè)之間的拼殺，不如說是國力的比拼。與其他市場化競爭的行業(yè)不同，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要持續(xù)不斷巨額投入的同時，行業(yè)自身卻有著極強的周期性，這使得純粹以市場規(guī)律運行的商業(yè)公司難以憑借一己之力存活下去。

　　美國依靠軍用轉(zhuǎn)民用的道路和先發(fā)優(yōu)勢屹立不倒，日本曾經(jīng)靠“官產(chǎn)學(xué)”三位一體的集團(tuán)軍作戰(zhàn)方式獨占鰲頭，而韓國則是憑借國家的投入和三星財閥獨特的集權(quán)式管理殺出一條血路。

　　反觀臺灣，雖有美國不遺余力的技術(shù)支持和一代代精英人才的不懈努力，卻因為缺乏政府主導(dǎo)，也沒有志在高遠(yuǎn)的巨無霸企業(yè)，導(dǎo)致在全球半導(dǎo)體，尤其是DRAM產(chǎn)業(yè)中只能如流星劃過。

　　2、如果說政府投入是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵驅(qū)動力，那么擁有自主的核心技術(shù)體系就是產(chǎn)業(yè)賴以生存的靈魂。如果日本不是在七十年代末以舉國之力和巨額資金完成了“VLSI”項目從而一舉獲得了獨立自主的核心技術(shù)，如果韓國不是在八九十年代憑借三星財閥拼命三郎般的投資風(fēng)格得以擺脫對美國技術(shù)轉(zhuǎn)移的依賴，如果日韓政府不是高屋建瓴的培育產(chǎn)業(yè)鏈，包括打造上游的核心設(shè)備和原材料行業(yè)，那么他們總會在某次的行業(yè)低潮周期被他國一舉擊敗不得翻身，一如金融危機時的臺灣。

　　3、如果說技術(shù)這個產(chǎn)業(yè)靈魂還能靠不計成本的資金投入，以及學(xué)校實驗室、政府研究所的外部支援快速追趕，那么真正要在商業(yè)領(lǐng)域要和競爭對手進(jìn)行白刃戰(zhàn)，量產(chǎn)工藝是必須要解決的難題，而這就只能憑借時間積累或者技術(shù)轉(zhuǎn)移方能完成。

　　良品率的改善很難依靠某個天才的發(fā)明解決，工藝水平的提高要建立在無數(shù)個失敗的生產(chǎn)批次之上，而這一切都需要企業(yè)拋開短期的浮躁和盈利沖動，著眼大局和未來方可達(dá)成。這無疑需要政府在背后的大力支持，甚至需要一些“委曲求全”去換取他人已有的經(jīng)驗教訓(xùn)。

　　小不忍則亂大謀，這是深諳此道的日韓能夠在這一產(chǎn)業(yè)崛起的原因，也是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)想要走向輝煌的關(guān)鍵。