解讀FinFET存儲器的設(shè)計挑戰(zhàn)以及測試和修復(fù)方法

　　圖10：DesignWare STAR存儲器系統(tǒng)：多層次精密診斷

開發(fā)為SoC用戶（或存儲器IP設(shè)計人員）帶來高質(zhì)量結(jié)果的工具和IP是一個漫長而持續(xù)的過程。從深入的存儲器設(shè)計知識開始，早期接觸多家代工廠的制程參數(shù)、大量的故障注入模擬、硅芯片特征化和精確的行為和結(jié)構(gòu)模型，該過程可能需要三年以上。深入理解FinFET特有缺陷得到了對面積影響更小和測試時間更少的優(yōu)化測試算法，外加對使缺陷易于顯現(xiàn)的應(yīng)力條件的認(rèn)識。最后，所有這些知識全部結(jié)合在STAR存儲器系統(tǒng)中用于創(chuàng)建自動插入、快速測試和使產(chǎn)出最大化。

FinFET為使用預(yù)先插入的一組可調(diào)度的存儲器優(yōu)化時序提供了更多的可能性。BIST多路復(fù)用器可隨共享測試總線落實到位。這些測試總線可由定制數(shù)據(jù)通路創(chuàng)建者和處理器內(nèi)核進(jìn)行復(fù)用。Synopsys創(chuàng)立了多存儲器總線（MMB）處理器來充分利用FinFET提供的可能性。MMB與映射到該總線上的所有緩存共享BIST/BISR邏輯，因此不再需要存儲器包裝器，減小了面積占用和功率消耗（圖11）。

　　圖11：搭建在傳統(tǒng)STAR存儲器系統(tǒng)處理器上的MMB處理器獲得更高FinFET性能及更小面積

圖12展示了一個SoC實例，其中部分存儲器傳統(tǒng)地使用STAR存儲器系統(tǒng)，而CPU內(nèi)核中的存儲器則通過MMB處理器訪問。MMB處理器不直接處理包裝器，而是訪問圖12中紅色方框代表的總線端口。MMB處理器從CPU RTL中讀取信息，理解存儲器細(xì)節(jié)和寫入總線的配置，引起即時握手。

　　圖12：STAR存儲器系統(tǒng)MMB使用模型

維修故障

現(xiàn)代存儲器同時具有行和列冗余性（圖13）。檢測到故障時，可以通過在非易失性存儲器中記錄問題和使用維修方案配置冗余列。STAR存儲器系統(tǒng)通過縮小故障范圍和確定置換出故障的方法來自動進(jìn)行維修。這個過程可以對所有應(yīng)力角進(jìn)行優(yōu)化，故障在一個應(yīng)力角檢出并擴(kuò)大到下一個應(yīng)力角，以此類推。

　　圖13：使用行、列修復(fù)維持FinFET高良率

由于STAR存儲器系統(tǒng)的自動化程度如此之高，診斷和修復(fù)可以按預(yù)定間隔在現(xiàn)場重復(fù)進(jìn)行，比如系統(tǒng)上電時或按預(yù)定的時間長度。這種重復(fù)可以通過內(nèi)建冗余性消除因老化而產(chǎn)生的故障。

負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（NBTI）是FinFET最令人頭痛的一個特殊老化問題（平面晶體管沒有這樣的問題）。NBTI主要與溫度有關(guān)，會導(dǎo)致取決于FinFET工作溫度范圍的性能逐漸下降。

單粒子效應(yīng)和糾錯

不僅會發(fā)生可預(yù)測的錯誤，間歇性的軟性錯誤也會發(fā)生。間歇性軟性錯誤不需要用內(nèi)建冗余性修復(fù)。它們一般是高能粒子引起的。隨著位單元在較小的制程節(jié)點中靠得越來越近，單粒子效應(yīng)（SEE）可能會影響不止一位，而多位缺陷必須檢測并糾正。

為了應(yīng)對此類錯誤，STAR存儲器系統(tǒng)包含一個ECC編譯器。該編譯器不僅提供“經(jīng)典”存儲器ECC（一般允許檢測多位錯誤），而且還能處理一位糾錯。另一方面，該ECC編譯器還能處理多位糾錯。STAR存儲器系統(tǒng)ECC編譯器定義了相關(guān)的存儲器配置，用ECC存儲器取代了存儲器（當(dāng)然，它比需要的數(shù)據(jù)更寬：一個32位存儲器的寬度約為40位）。然后用所有系統(tǒng)測試和修復(fù)邏輯包裝該存儲器。

　　圖14：3D-IC中的外部存儲器測試

外部DRAM或memory-on-logic呈現(xiàn)出一組新的挑戰(zhàn)。利用硅通孔（TSV）或其他方法，DRAM的物理位置處在芯片上方，如圖14所示。不過，外界不可以直接訪問存儲器，或者至少沒有達(dá)到測試它們所需要的性能。如果它們使用高速接口的話（如DDR4、JEDEC Wide I/O或Micron的混合存儲器立方體），測試工具無法輕易地攔截存儲器與邏輯芯片之間的信號。相反，坐落在SoC上能夠與芯片之外的DRAM交互的引擎則能以需要的高速度驅(qū)動這些接口。就像使用片上存儲器一樣，使用外部DRAM的SoC必須找出哪個存儲器、哪一位或者芯片堆疊中的哪個互聯(lián)失效及失效原因。STAR存儲器系統(tǒng)能夠滿足這個要求并經(jīng)常對其進(jìn)行修復(fù)。

STAR層次化系統(tǒng)

所有FinFET SoC都包括存儲器之外的其他模塊。它們會有其他混合信號IP，如PCIe、USB、DDR、PLL等。所有這些接口都需要自測試，很多情況下，故障需要檢測和維修。對快速I/O接口來說，維修意味著調(diào)整、校準(zhǔn)和組幀。有些接口IP本身就包含存儲器，使得測試和維修更加復(fù)雜化。這種復(fù)雜系統(tǒng)需要象STAR層次化系統(tǒng)（如圖15所示）這樣的全面測試和維修基礎(chǔ)架構(gòu)。

　　圖15：DesignWare STAR層次化系統(tǒng)

STAR層次化系統(tǒng)是對STAR存儲器系統(tǒng)的補充，可以測試、調(diào)試和糾正混合信號非存儲器IP。作為一種層次化解決方案，STAR層次化系統(tǒng)能從次芯片級直至整個SoC取得IP及其測試向量，創(chuàng)建存取訪問和接口，并在下一個級別上建立測試向量。

小結(jié)

如今Synopsys全面支持各種制程節(jié)點，包括14nm和16nm FinFET，而在10nm和7nm工藝上的工作也正在進(jìn)行之中。利用從這些制程節(jié)點的測試芯片中獲得的知識，STAR存儲器系統(tǒng)的各項創(chuàng)新將繼續(xù)提高針對嵌入式存儲器的測試和診斷能力，同時增加了優(yōu)化SoC良率的功能。

Synopsys還提供了STAR層次化系統(tǒng)，通過利用任何現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)互連（如IEEE 1500）以及TAP控制器全面測試各種其他

混合信號和接口IP。

作者：Yervant Zorian博士，首席架構(gòu)師兼研究員Synopsys