關(guān)鍵所在：利用射頻到熱和焊縫

感應(yīng)加熱不只是在金屬焊接使用。它也可以用于強(qiáng)化或加強(qiáng)通過退火金屬或熱氣體進(jìn)入等離子體為先進(jìn)的化學(xué)反應(yīng)和研究。在所有的情況下，高功率RF場(chǎng)需要和這些設(shè)計(jì)包括專門離散的，以及活性，組分。即使連接器必須仔細(xì)檢查，以確保它們傳遞能量，而不是吸收它。

設(shè)計(jì)高功率射頻感應(yīng)加熱

射頻感應(yīng)加熱基本有源和無(wú)源部件需要能夠處理大量的功率，并且它們必須被散熱器，它的熱傳導(dǎo)表面。液體冷卻可能要求為好，也就是說(shuō)即使該組件的外殼和身體可能需要是熱傳導(dǎo)到一個(gè)高度。簡(jiǎn)要千甲當(dāng)前突發(fā)，例如，即使是通過0.01歐姆電阻將需要消散萬(wàn)瓦的功率，而電流流過。

一些合適的電阻器制造商，如AVX，商Bourns，和TE連接提供了相當(dāng)不錯(cuò)的大功率和良好散熱器，它的電阻。這些通常將用在底盤安裝配置，以允許熱排氣和傳輸。

例如，一起來(lái)看看在商Bourns 50歐姆機(jī)箱安裝CHF190104CBF500L 800 W的電阻(圖4)。五十歐姆是一個(gè)神奇的甜蜜點(diǎn)RF匹配，高效的動(dòng)力傳輸和使用，無(wú)論傳輸線和天線大多是由投其所好到50歐姆的阻抗。

商Bourns 50歐姆的圖像底盤貼裝電阻為800 W的設(shè)計(jì)

圖4：50歐姆底盤貼裝電阻為800 W的設(shè)計(jì)允許最大功率傳輸?shù)纳漕l傳輸線的特性。

作為對(duì)供應(yīng)商的CHF射頻功率系列的一部分，它的特點(diǎn)是從0到1 GHz操作具有非常低(1.2)電壓駐波比(VSWR)，以最小化反射的信號(hào)和不必要的加熱。

可其他的值，如12.5，25和100歐姆。注意所選擇的值是如何可以把串聯(lián)和并聯(lián)，同時(shí)散發(fā)的熱量，以創(chuàng)造更高的功率水平。 1000瓦的版本，商Bourns CHF190104KBF500L，也可

高功率射頻電容器并不常見電阻器，晶體管和電感器，特別是當(dāng)它涉及到射頻感應(yīng)技術(shù)。在大多數(shù)情況下，series'ed和并聯(lián)陣列可能需要專門為一個(gè)設(shè)計(jì)而成。

這里重要的是保持等效串聯(lián)電阻和等效串聯(lián)電感低。由于潛在的高電流，IIR加熱是一個(gè)問題，甚至是相當(dāng)高的，高溫陶瓷電容器可迅速降解。

你不想使用電解或鉭電容器用于這些應(yīng)用。這兩種類型的不喜歡過應(yīng)力和災(zāi)難性故障時(shí)可實(shí)際發(fā)生爆炸猛烈。高電壓版本的陶瓷電容可能是最好用，即使電壓并不高。有了感性負(fù)載，非常高的水平尖峰和浪涌可以在緊密間隔的陶瓷電容弧。年紀(jì)大了，高壓電容器聚酯薄膜和聚苯乙烯可以提供良好的耐老化性能和嚴(yán)格的公差，并能幫助消除電弧，因?yàn)檫@些技術(shù)比表面貼裝陶瓷大。

使連接

設(shè)計(jì)被設(shè)計(jì)成加熱金屬高功率RF鏈接時(shí)，連接器可以具有十分重要的意義。畢竟，連接器使用的金屬，留給我們一個(gè)難題：金屬做一個(gè)好盾牌和射頻連接器，如BNC，F(xiàn)型，MCX，SMA，和其他人使用的金屬外殼與屏蔽的利益阻抗控制的一部分。

但是，這些相對(duì)小尺寸的連接器沒有太多總表面積和散熱可能是一個(gè)問題。這意味著，當(dāng)需要高功率鏈路，小型和低成本的連接器是不適合的。

一旦你這樣做的工程，你可以使自己的實(shí)體是正確的構(gòu)圖，造型，以及有效的耦合密度。對(duì)于中等功率，預(yù)最終放大級(jí)，老式和較大的射頻連接器，如舊UHF和N型，可以是最好的。

底盤貼裝部件，如腰帶26-8011有很多熱物質(zhì)和使成固體底盤和/或散熱片(圖5)具有良好的熱連接。他們的特點(diǎn)是在50歐姆，用摩擦相關(guān)的聯(lián)鎖可靠的螺絲接觸代替。這可以使他們?cè)谡饎?dòng)和沖擊的存在更安全。

阻抗控制的射頻連接器圖片

圖5：用大量的熱質(zhì)量，可以有效地將熱量傳遞到機(jī)箱或散熱器的阻抗控制的射頻連接器是用于中等功率水平是有用的?？赡苄枰ㄖ频慕鉀Q方案非常大功率的最后階段，最終的功率放大后。

配合電纜的RG-8，213，58，和59，例如，使用公插頭還與很多熱質(zhì)量。黃銅和鎳涂層應(yīng)該足以滿足大多數(shù)應(yīng)用高達(dá)500兆赫。

功率晶體管

很少管設(shè)計(jì)正在發(fā)生和高壓大功率半導(dǎo)體技術(shù)的蓬勃發(fā)展，許多美好的半導(dǎo)體器件已準(zhǔn)備好處理的射頻功率相當(dāng)不錯(cuò)的金額。

雖然在多數(shù)情況下，頻率也不會(huì)那么高，載流容量和電壓的可能。在大多數(shù)情況下，場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)是最好的，因?yàn)樗梢杂盟鼣y帶非常低的RDS(ON)規(guī)格，而這樣做的切換做好。必須小心，以保護(hù)FET的從過應(yīng)力由于薄氧化物層在柵極可能破裂。

像NXP BLF578,112部件的位置不錯(cuò)的選擇(圖6)。這LDMOS RF FET可處理多達(dá)88條的速度高達(dá)108 MHz和實(shí)現(xiàn)1000 W的輸出電平。注意陶瓷封裝具有較大的熱容量和散熱片。同時(shí)還提供了BLF178P，112，配置為半橋雙版本。

NXP BLF578,112的圖像

圖6：所有的高功率組件，可能需要散熱和冷卻，但要小心：如果案件和熱安裝非電隔離，他們可能有不同的電壓，并且不能安裝到公共導(dǎo)體。

評(píng)估您的需求

最終，這將是要焊接或退火，這將決定您需要的最佳頻率選擇(頻率或混合)材料的種類。更重要的是，這將是你的愿望來(lái)加熱或焊接，將決定的功率水平將需要的體積和截面面積。

除了烹飪和焊接，也有該技術(shù)的要求不高用途。例如，一金屬編織，可以使用在TFT顯示器，以允許精確和有效的加熱控制，使得一個(gè)顯示在-50℃下操作。與往常一樣，知道射頻技術(shù)和部件的能力，你將需要實(shí)現(xiàn)這些和其他的應(yīng)用是成功的一半。