鐵電在電力參數(shù)監(jiān)測中的應(yīng)用

作者：時間：2004-12-08 來源：網(wǎng)絡(luò)

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　　電力參數(shù)監(jiān)測儀主要用于記錄電力用戶每個小時的用電量和整點時電流、電壓的瞬時值，這些數(shù)據(jù)需存于非易失性存儲器中，當(dāng)需要的時候經(jīng)過市話線路被送至供電管理部門，進(jìn)行處理。管理者通過這些數(shù)據(jù)可以及時、準(zhǔn)確地了解轄區(qū)內(nèi)各電力用戶詳細(xì)的用電情況，以便作出更加合理的決策，使有限的電力資源發(fā)揮更大的作用，同時使用電管理手段上一新的臺階。

　　通常情況下，停電是不可避免的，為了不破壞系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)，必須使用非易失性存儲器，如果使用EEPROM或閃速存儲器(Flash Memory)作為存儲介質(zhì)顯然是不合適的，因為它們的寫操作需要數(shù)十毫秒，特別是在實時性要求較高的場合必須用電池支持的SRAM，它既有RAM的讀寫速度，又有ROM掉電數(shù)據(jù)不丟失的特性。另外使用電池支持的SRAM，還有一個優(yōu)點就是可以在SRAM中放置一些密碼字，起到硬件加密的作用。但是電池支持的SRAM在實際使用過程中有數(shù)據(jù)不可靠，容易丟失。另外電池容易受到環(huán)境因數(shù)的影響，例如濕度，振動。RAMTRON公司研制的鐵電存儲器成功批量生產(chǎn)解決了電池問題。它有以下特點：

　　1．非易失性：掉電后數(shù)據(jù)能保存10 年，所有產(chǎn)品都是工業(yè)級。
　　2．擦寫次數(shù)多：5V供電的FRAM 的擦寫次數(shù)1010次，低電壓的FRAM 的擦寫次數(shù)為無限次。
　　3．速度快：串口總線的FRAM 的CLK的頻率高達(dá)20M，并且沒有10MS的寫等待周期，并口的訪問速度70NS。
　　4．功耗低：靜態(tài)電流小于10UA，讀寫電流小于150UA。
　　5．5V 供電的FRAM在讀寫次數(shù)超過100億次后還能和RAM一樣工作，只是數(shù)據(jù)不能保存。

　　存儲器模塊由Fm1808構(gòu)成，具體電路見本公司設(shè)計指南。Fm1808的片選引腳/CS信號與SRAM稍有不同，SRAM為低電平選通，而Fm1808為下降沿選通。（見下圖）掉電數(shù)據(jù)保護(hù)電路通過控制/CS保證了上電和掉電期間禁止Fm1808進(jìn)行寫操作。Fm1808有32K字節(jié)的空間。如需更大容量，可外擴(kuò)。在明年的上半年有望推出1Mbit鐵電存儲器。