基于使LNA在5.5G~6.5G Hz頻段內具有優(yōu)良性能的目的,本設計中采用了具有低噪聲、較高關聯(lián)增益、PHEMT技術設計的ATF-35176晶體管,電路采用二級級聯(lián)放大的結構形式,利用微帶電路實現(xiàn)輸入輸出和級間匹配,通過ADS軟件提供的功能模塊和優(yōu)化環(huán)境對電路增益、噪聲系數(shù)、駐波比、穩(wěn)定系數(shù)等特性進行了研究設計,最終使得該LNA在5.5~6.5 GHz波段內增益大于20 dB,噪聲小于1.55 dB,輸入輸出電壓駐波比小于2,達到了設計指標的要求。
電子管相關文章:電子管原理
評論