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低功耗6管SRAM單元設計方案

作者: 時間:2013-09-23 來源:網絡 收藏

引言

  在傳統(tǒng)6T-SRAM結構里,數(shù)據(jù)存儲節(jié)點通過存取管直接連接到位線上。這樣在讀過程中,由于存取管和下拉管之間的分壓作用會使存儲節(jié)點數(shù)據(jù)受到干擾,另外由于這種直接讀/寫機制會使存儲節(jié)點很容易受到外部噪聲的影響從而可能導致邏輯錯誤。

  除了數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性問題之外,不斷增大的芯片漏電流也是另一個需要考慮的問題。在現(xiàn)代高性能微處理器,超過40%的功耗是由于泄漏電流引起的。隨著越來越多的晶體管集成到微處理器上,漏電功耗的問題將會更加突出。此外,漏電是待機模式下惟一的能耗來源,SRAM單元是漏電流的一個重要來源。

  本文在分析傳統(tǒng)6T-SRAM基礎上,并基于以上考慮,提出了一種高可靠性的新單元。由于讀電流與噪聲容限的沖突,這個結構采用讀/寫分開機制,將存儲節(jié)點和讀輸出分開,從而不會使位線的波動干擾到存儲節(jié)點的值;另外,每次讀或寫過程中,只需要一個位線參與工作,因此相比較而言,降低了功耗,仿真結果顯示這種結構讀/寫速度也和普通相差無幾。

  1 6T-SRAM存儲單元簡介

  6管存儲單元結構如圖1所示。

  

6管存儲單元結構

  1.1 6管單元結構及工作原理

  6T-SRAM單元結構晶體管級電路如圖1所示,它由6個管子組成,整個單元具有對稱性。其中M1~M4構成雙穩(wěn)態(tài)電路,用來鎖存1位數(shù)字信號。M5,M6是傳輸管,它們在對存儲器進行讀/寫操作時完成將存儲單元與外圍電路進行連接或斷開的作用。對單元的存取通過字線WL(Word Line)使能,字線WL為高電平時傳輸管導通,使存儲單元的內容傳遞到位線BL(Bit Line),單元信息的反信號傳遞到位線

g.jpg

,外圍電路通過BL和

g.jpg

讀取信息。寫操作時,SRAM單元陣列的外圍電路將電壓傳遞到BL和

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上作為輸入,字線WL使能后,信息寫入存儲單元。

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關鍵詞: 低功耗 6管SRAM 單元設計

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