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基于TOP210的小功率開關(guān)穩(wěn)壓電源設(shè)計

作者: 時間:2013-06-09 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
1、引言

  隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,直流在十幾瓦至中大功率范圍內(nèi)得到了廣泛的應(yīng)用。而在十瓦以下的范圍,由于其電路復(fù)雜,性價比低等原因,通常被線性所替代。然而,隨著各種設(shè)備集成度的提高,線性電源體積大、效率低的缺陷已嚴重影響了整機的進展。為了解決這一難題,將PWM控制電路與功率管集成為一體的TopSwitch系列集成塊應(yīng)運而生,采用其制作電源,電路可以與線性一樣簡單,效率卻遠高于后者,而成本也不會有明顯的增加。

基于TOP210的小功率開關(guān)穩(wěn)壓電源設(shè)計

  2、功能介紹

  是美國功率集成公司(POWERINTEGRATIONS)推出的適用于場合的集成功率轉(zhuǎn)換器。它在應(yīng)用中有很高的性價比,其集成化程度高,電路設(shè)計簡單,比分立元件電路減少了15個~20個元器件。用其替代線性電源可以使電源的體積和重量大大減小。具有以下主要優(yōu)點:

  (1)耐壓700VN溝道小容量MOSFET開關(guān)管減小了交流損耗;

 ?。?)內(nèi)置的開啟和電流限制減小了直流損耗;

  (3)MOSFET的導(dǎo)通可控,減小了電磁干擾(EMI),降低了EMI濾波器的費用;

  (4)CMOS控制器/柵極驅(qū)動器的功耗僅有6mW;

  (5)70%的最大占空比使導(dǎo)通損耗最??;

  (6)只需1個外部電容器即可完成補償、旁路、開啟/自動重啟等功能;

  (7)過熱關(guān)閉功能可防止整個系統(tǒng)過載。

  2.1引腳功能

  圖1為TOP210的兩種封裝形式,其中圖1(a)為DIP8引腳封裝,圖1(b)為3引腳封裝,其引腳功能如下所述。

圖1(a)為DIP8引腳封裝,圖1(b)為3引腳封裝


  漏極端:是MOSFET漏極輸出連接端,在開啟工作時,通過一個內(nèi)部開關(guān)高壓電流源提供內(nèi)部偏置電流,同時,也是內(nèi)部電流檢測點。

  控制端:是控制占空比的誤差放大器和反饋電流的輸入端。在正常工作時,通過和內(nèi)部分流調(diào)節(jié)器連接來提供內(nèi)部偏置電流,同時用作旁路電源和自動重啟/補償電容器的連接點。

  源極端:該端與源極相連。

電路結(jié)構(gòu)#e#

  2.2電路結(jié)構(gòu)

  TOP210變換器內(nèi)部功能框圖如圖2所示,它由帶隙參考、振蕩器、脈寬調(diào)制器、柵極驅(qū)動器、誤差放大器、逐個周期電流限制、關(guān)閉與自動重啟、過熱保護、高壓偏流源等9部分組成,各部分的功能如下:

TOP210變換器內(nèi)部功能框圖


  帶隙參考:1個溫度補償?shù)膸秴⒖蓟鶞侍峁﹥?nèi)部電壓,該基準也產(chǎn)生1個溫度補償?shù)碾娏髟???蓽蚀_地調(diào)整振蕩器的頻率和MOSFET的柵極驅(qū)動電流。

  振蕩器:內(nèi)部振蕩器對內(nèi)部電容器進行線性充電和放電,它在兩個電壓電平(4.7V和5.7V)之間產(chǎn)生鋸齒波。一般頻率選擇100kHz,可使電磁干擾最小,并使效率最高。微調(diào)電流可改進振蕩頻率精度。

  脈寬調(diào)制器:脈寬調(diào)制器輸出脈沖的占空比與流入控制端的電流成反比,以此來驅(qū)動MOSFET,實現(xiàn)電壓閉環(huán)控制。Re上的誤差信號經(jīng)過角頻率為7kHz的RC網(wǎng)絡(luò)濾波,濾波后的誤差信號和內(nèi)部振蕩器的鋸齒波相比較,產(chǎn)生占空比波形。當控制電流上升時,占空比下降。由振蕩器產(chǎn)生的時鐘信號置位1個寄存器,使MOSFET關(guān)斷。

  柵極驅(qū)動器:柵極驅(qū)動器在1個受控的速率時使MOSFET導(dǎo)通,從而使EMI最小,柵極電流可微調(diào)以改進精度。

  誤差放大器:在前級反饋應(yīng)用場合,分流調(diào)節(jié)器可完成誤差放大器的功能,通過溫度補償?shù)膸秴⒖蓟鶞?精確地獲得分流調(diào)節(jié)器的電壓。誤差放大器的增益由控制端的動態(tài)阻抗設(shè)置,控制端將外部電路信號箝位到VC電壓值,超過電源電流的控制端電流由分流調(diào)節(jié)器加以分離,并流過Re作為誤差信號。

  逐個周期的電流限制:將MOSFET導(dǎo)通輸出電阻作為逐個周期峰值電流的檢測電阻,因而,電流限制比較器把導(dǎo)通狀態(tài)的漏源電壓和門限電壓相比較,高的漏極電流使VDS(ON)大于此門限電壓,并且使MOSFET關(guān)斷,直到下1個時鐘周期開始。電流限制比較器的門限電壓經(jīng)過溫度補償后,可使峰值電流變化達到最小。在輸出級導(dǎo)通之后1個短的時間內(nèi),前沿消隱電路將阻止電流限制比較工作,因為前沿消隱時間已被確定,故由初級電容器和次級整流器反向恢復(fù)時間引起的電流尖峰不會造成開關(guān)脈沖過早地結(jié)束。

  關(guān)閉與自動重啟:為了減小TOP開關(guān)的功耗,在失調(diào)情況存在時,關(guān)閉/重啟電路使電源以5%的占空比導(dǎo)通和截止,此時,喪失調(diào)節(jié)能力時,阻止外部電流流入控制端。當錯誤被排除后,恢復(fù)調(diào)節(jié)能力,電源重新正常工作。

  過熱保護:溫度保護由1個精密的模擬電路提供,當連接點的溫度超過熱關(guān)閉溫度時(典型值為135℃),該電路將使MOSFET關(guān)斷。。

高壓偏流源:該電流源從漏極端對TOP開關(guān)提供偏壓,并且在開啟或滯后工作時,對外部電容器CT充電。電流源以35%的占空比導(dǎo)通或關(guān)斷,占空比由控制端的充電電流IC和放電電流(ICD1+ICD2)的比率決定,當MOSFET開通時,此電流源被關(guān)斷。

  由圖2可見,TOP210變換器是1種具有自偏壓和保護功能的變換器,它用線性控制端電流來改變占空比,實現(xiàn)穩(wěn)壓輸出。在正常工作時,內(nèi)部MOSFET占空比輸出隨著控制端電流的增加而線性的減小。

  3、反激式開關(guān)電源

  由TOP210組成的低功耗、小功率的反激式開關(guān)電源原理電路如圖3所示。輸入直流Ui由85V~265V的交流經(jīng)過整流得到。D1、VR1用來箝位由于變壓器的漏感引起的尖峰電壓,并能衰減漏極振鈴電壓。次級線圈經(jīng)D2、C2、L1、C3整流和濾波來產(chǎn)生5V輸出電壓,輸出端的反饋電壓由VR2穩(wěn)壓值、光耦的正向壓降和R1上的壓降三者之和來決定。通過調(diào)節(jié)變壓器匝比,可獲得不同的輸出電壓。同時,R2和VR2為輸出提供一個假負載,通過調(diào)節(jié)占空比達到穩(wěn)壓的假負載,用以提高輕載時的負載調(diào)整率。當輸出端電壓升高時,由于穩(wěn)壓二極管VR2基本不變,光耦輸入電流增加,輸出三極管c?e間的等效電阻減小,二極管隨之導(dǎo)通,控制端電流增加,占空比減小,輸出電壓降低,實現(xiàn)穩(wěn)壓的目的。偏壓線圈經(jīng)D3、C4整流和濾波,為TOP210提供偏壓。C5對內(nèi)部柵極驅(qū)動充電電流尖峰進行濾波,還決定自動重啟頻率,并且與R1一起對控制環(huán)進行補償。

基于TOP210的小功率開關(guān)穩(wěn)壓電源設(shè)計


  4、結(jié)束語

  以TOP210為核心設(shè)計的開關(guān)電源,其電壓調(diào)整率和負載調(diào)整率可達0.2%,效率達85%。若同時選用光耦反饋與精密基準電壓器件,并合理選擇磁芯與氣隙,精心設(shè)計與制作主功率變壓器繞組,可以十分方便地實現(xiàn)高精度穩(wěn)壓電源。

脈寬調(diào)制相關(guān)文章:脈寬調(diào)制原理


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