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超低靜態(tài)電流LDO穩(wěn)壓器最佳選型詳解

作者: 時間:2013-01-18 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
差異及其對電池使用時間的影響

  下面將更密切地審視數(shù)據(jù)表中的規(guī)格與實際測量結(jié)果的比較。在某些情況下,數(shù)據(jù)表中標明的數(shù)據(jù)可能會與實際測量值差異極大。我們將確定要查看的某些參數(shù),從而避免電流消耗超出預計。

  例如,我們可以考慮都帶有自適應接地電流配置的兩款極相似的:典型IQ為10 μA的NCP702及典型IQ為11 μA的某競爭器件。表2顯示了IOUT為0 μA時數(shù)據(jù)表值及IOUT為10 μA和50 μA的實際接地電流消耗測量值。

  安森美半導體NCP702及LDO競爭測量值與數(shù)據(jù)表值比較

  表2:安森美半導體NCP702及競爭測量值與數(shù)據(jù)表值比較

  在NCP702的案例中,IOUT為10 μA時測得的IGND值與數(shù)據(jù)表中的IQ值極為接近。相比較而言,競爭器件在IOUT為10 μA時的實際IGND測量值要比數(shù)據(jù)表中的IQ值高出約49%。

  靜態(tài)電流的差異對電池使用時間到底有多大的影響?這個問題還不能簡單而論,它跟LDO的具體終端應用有關(guān)。安森美半導體以使用LDO將電池電壓向下轉(zhuǎn)換并為負載提供電流的應用為例,基于NCP702和上述LDO競爭器件進行了測試比較。結(jié)果顯示,在IOUT為40 μA的輕載條件下,NCP702節(jié)省能耗約20%。但較大負載時,由于LED接地電流相對于從電池吸收的輸出電流較小,就沒有明顯的節(jié)省能耗優(yōu)勢了。

  負載電流變化對電池使用時間的影響

  LDO輸出電流極少保持恒定,我們可以擴展研究范圍,考慮負載電流變化的情況。通常在這類應用中,采用LDO供電的電路會在休眠模式與工作模式之間轉(zhuǎn)換。例如,圖8顯示了占空比為10%的某應用的負載電流特性。負載在休眠模式下消耗40 μA電流,工作模式下電流消耗為100 mA。在輸出電流為40 μA時,NCP702將增加11.1 μA的接地電流,故總電池電流為51.1 μA。相同輸出電流時,LDO競爭器件增加的接地電流為21.4 μA,相應消耗的總電池電流為61.4 μA。兩者之間相差20.2%。這表示在休眠模式下NCL704能節(jié)省電池電量消耗。圖9顯示的則是NCP702在不同占空比時能夠節(jié)省的電池電量。

  負載電流特性示例

  圖8:負載電流特性示例

  不同占空比時節(jié)省的電池電量

  圖9:不同占空比時節(jié)省的電池電量
LDO進入壓降區(qū)時的接地電流

  LDO另一項很重要但又常常被輕視的參數(shù)就是LDO在進入壓降條件下的接地電流消耗。在鋰離子電池或鋰聚合物電池供電的產(chǎn)品中,常見使用LDO來高能效地對電源穩(wěn)壓,產(chǎn)生3.3 V或3.1 V輸出電壓。然而,隨著電池放電,電池電壓衰減,LDO的輸入電壓VIN可能接近輸出電壓VOUT,到達LDO進入壓降區(qū)的那個點。在這種情況下,市場上的大多數(shù)IQ LDO將開始消耗明顯高得多的接地電流,超出數(shù)據(jù)表中標出的值。圖10所示的不同輸入電壓條件下的IGND關(guān)系圖可以說明這一點。

  超低靜態(tài)電流LDO穩(wěn)壓器最佳選型詳解

  圖10:IGND vs. VIN示例

  如圖10所示,在壓降區(qū),LDO開始消耗多達100 μA電流。為了在功率敏感型應用中解決這個問題,建議增加帶可調(diào)節(jié)遲滯特性的極低功率監(jiān)控器,用于在負載移除后恢復電池電壓。在某些遲滯特性不充足的情況下,帶閂鎖輸出的其它電壓檢測器可能更適合。但這將導致需要使用按鈕或來自電池充電控制器的信息來清除閂鎖。

  安森美半導體最新世代的IQ LDO整合了集成壓降條件檢測器,可以防止低輸入電壓條件下接地電流上升。集成了這種理念的器件包括NCP702和NCP4681等。

  小結(jié):

  傳統(tǒng)上,改善LDO的電流消耗表示要損及動態(tài)性能。新的工藝技術(shù)及設(shè)計技巧帶來像安森美半導體提供的系列靜態(tài)電流LDO穩(wěn)壓器能夠更好地結(jié)合低靜態(tài)電流和動態(tài)性能。本文指出了設(shè)計人員在選擇LDO時應該顧及的一些因素,包括密切注意LDO數(shù)據(jù)表,理解器件的具體工作特性,進行根據(jù)應用的關(guān)鍵要求選擇適合的方案。

  超低靜態(tài)電流LDO穩(wěn)壓器最佳選型詳解

  表3:安森美半導體超低IQ LDO穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列(*表示工作模式可藉AE引腳來選擇)

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