新聞中心

EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 少量元件實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)零交越檢測(cè)器

少量元件實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)零交越檢測(cè)器

作者: 時(shí)間:2012-10-22 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本設(shè)計(jì)中的電路可生成一個(gè)交流電源的零交越脈沖,并提供電氣絕緣。輸出脈沖的下降沿出現(xiàn)在零交越點(diǎn)前約200μs。使用這個(gè)電路可以安全地停止一個(gè)可控硅柵極的觸發(fā),使之有時(shí)間正常地關(guān)斷。只有當(dāng)主電壓約為0V時(shí),電路才產(chǎn)生短脈沖,因此在230V、50Hz輸入下只耗電200mW。

  電路為電容C1充電,直至達(dá)到22V齊納二極管D3的上限(圖1與參考文獻(xiàn)1)。電阻R1和R5用于限制輸入電流。當(dāng)輸入整流電壓降至C1電壓以下時(shí),Q1開始導(dǎo)通,產(chǎn)生一個(gè)幾百微秒長(zhǎng)的脈沖。IC1的耦合使得Q1方波發(fā)生器作出響應(yīng)。rms工作電壓只需要R1和R5。SMD的1206型電阻一般能承受rms為200V的電壓。本設(shè)計(jì)將R1和R5之間的輸入電壓一分為二,總額定電壓為rms值400V。D3用于將橋的電壓限制在22V,因此后面所有都有較低的額定電壓。22V齊納管可以箝位在30V,因此本設(shè)計(jì)使用了一只50V、470nF的陶瓷電容。陶瓷電容較電解電容或鉭電容有更好的可靠性,尤其是在高溫下。如果愿意使用更便宜更小的25V,可以將齊納管的電壓改為18V,仍保有不錯(cuò)的安全邊際。R4用于限制LED上的峰值電流。對(duì)LED電流的主要限制是整流AC輸入的斜率。緩慢的斜率使得C1釋放儲(chǔ)存的能量時(shí),Q1不會(huì)產(chǎn)生電流尖峰。

  

驅(qū)動(dòng)零交越檢測(cè)器電路

  圖1,這個(gè)零使用了低壓,功耗很低

  可以在LTspice Version IV中仿真此電路的運(yùn)行(圖2與參考文獻(xiàn)2)。在230V、50Hz下,仿真顯示在光耦LED上有一個(gè)17mA的峰值。仿真在90V~250V(50Hz和60Hz)輸入時(shí)都有好的結(jié)果。在110V、60Hz輸入時(shí),LED電流峰值為8.5mA,因此IC1仍能工作。如果需要更高的LED驅(qū)動(dòng)電流,可以減小R3的值,或增加C1的值。

  

圖2,這是個(gè)LTspice仿真,當(dāng)輸入電壓跌穿0V時(shí),LED電流產(chǎn)生一個(gè)脈沖,其邊沿領(lǐng)先和滯后于交越點(diǎn)。光耦LED的峰值電流為17mA

  圖2,這是個(gè)LTspice仿真,當(dāng)輸入電壓跌穿0V時(shí),LED電流產(chǎn)生一個(gè)脈沖,其邊沿領(lǐng)先和滯后于交越點(diǎn)。光耦LED的峰值電流為17mA

  

圖3,原型電路的結(jié)果與仿真有很好的相關(guān)性
少量元件實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)零交越檢測(cè)器

  圖3,原型電路的結(jié)果與仿真有很好的相關(guān)性

  對(duì)一個(gè)實(shí)際電路的測(cè)試表明與仿真有很好的相關(guān)性(圖3)。用一個(gè)5V邏輯電源驅(qū)動(dòng)絕緣輸出,可獲得好的脈沖波形(軌跡1)。為保證安全,主輸入端通過一個(gè)15V隔離變壓器送至示波器(軌跡2)。用示波器的余輝特性可以顯示出過渡的零交越點(diǎn)(圖4)。這種方案能夠精確地測(cè)量出與輸入零交相關(guān)的脈沖時(shí)序。

  

圖4,使用示波器的余輝功能,顯示出精準(zhǔn)的零交越

  圖4,使用示波器的余輝功能,顯示出精準(zhǔn)的零交越



評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉