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如何降低射頻功率放大器的功耗方案比較

作者: 時(shí)間:2012-10-17 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

在向著4G手機(jī)發(fā)展的過程中,便攜式系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師將面臨的最大挑戰(zhàn)是支持現(xiàn)有的多種移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn),包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA和HSDPA,與此同時(shí),要要支持100Mb/s~1Gb/s的數(shù)據(jù)率以及支持OFDMA調(diào)制、支持MIMO天線技術(shù),乃至支持VoWLAN的組網(wǎng),因此,在信號(hào)鏈設(shè)計(jì)的過程中,如何降低及提升效率成為了半導(dǎo)體行業(yè)的競爭焦點(diǎn)之一。目前行業(yè)發(fā)展呈現(xiàn)三條技術(shù)路線,本文就這三條技術(shù)路線進(jìn)行簡要的比較。

  利用超CMOS工藝,從提高集成度來間接提升PA效率

  UltraCMOS采用了SOI技術(shù),在絕緣的藍(lán)寶石基片上淀積了一層很薄的硅。類似CMOS,UltraCMOS能夠提供低,較好的可制造性、可重復(fù)性以及可升級(jí)性,是一種易用的工藝,支持IP塊的復(fù)用和更高的集成度。

  與CMOS不同的是,UltraCMOS能夠提供與在手機(jī)、和微波應(yīng)用領(lǐng)域普遍使用的GaAs或SiGe技術(shù)相媲美甚至更好的性能。盡管UltraCMOS和pHEMT GaAs都能提供相同級(jí)別的小信號(hào)性能并具有相當(dāng)?shù)木W(wǎng)格通態(tài)電阻,但是,UltraCMOS能夠提供比GaAs或SiGe更優(yōu)異的線性度和防靜電放電(ESD)性能。

  對(duì)于更復(fù)雜的應(yīng)用,如最新的多模式、多頻帶手機(jī),選擇合適的工藝技術(shù)更為關(guān)鍵。例如,在這些應(yīng)用中,天線必須能夠覆蓋800~2200MHz的頻段,開關(guān)必須能管理多達(dá)8路的大射頻信號(hào),同時(shí)還必須具有低插損、高隔離度、極好的線性度和低。適當(dāng)?shù)墓に嚰夹g(shù)能夠改善技術(shù)選項(xiàng)的可用性,進(jìn)而改善天線和射頻開關(guān)的性能,最終改善器件的總體性能。更重要的是,如果工程師在整個(gè)設(shè)計(jì)中采用同一工藝技術(shù),能夠獲取更高的集成度。

  例如,Peregrine公司在UltraCMOS RFIC方面的最新進(jìn)展是推出SP6T和SP7T天線開關(guān)。這些符合3GPP的開關(guān)滿足WCDMA和GSM的要求,使得設(shè)計(jì)工程師可以在兼容WCDMA/GSM的手機(jī)中使用一套射頻電路,并且實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的性能。SP6T和SP7T天線開關(guān)采用了Peregrine公司的HaR技術(shù),實(shí)現(xiàn)了二次諧波為-85dBc、三次諧波為-83dBc、2.14GHz上的三階交調(diào)失真(IMD3)為-111dBm這樣的優(yōu)異指標(biāo)。

  在手機(jī)設(shè)計(jì)中兩個(gè)最耗電的部分就是基帶處理器和射頻前端。(PA)消耗了射頻前端中的絕大部分功率。實(shí)現(xiàn)低功耗的關(guān)鍵是使射頻前端中的其他電路消耗盡可能少的功耗且不影響PA的工作。在目前所用的選擇中,帶解碼器的GaAs開關(guān)吸納的電流為600μA,但在典型的射頻前端應(yīng)用中,UltraCMOS SP7T開關(guān)只吸納10μA的電流,因此,可以大幅降低射頻前端的功耗,從而提高射頻功率的效率。

  目前,采用CMOS工藝制造射頻功率放大器的公司包括:英飛凌、飛思卡爾、Silicon Labs、Peregrine、Jazz半導(dǎo)體等公司。

  利用InGaP工藝,實(shí)現(xiàn)功率放大器的低功耗和高效率

  InGaP HBT(異結(jié)雙極晶體管)技術(shù)的很多優(yōu)點(diǎn)讓它非常適合高頻應(yīng)用。InGaP HBT采用GaAs制成,而GaAs是RF領(lǐng)域用于制造RF IC的最常用的底層材料。原因在于:1. GaAs的電子遷移率比作為CMOS襯底材料的硅要高大約6倍;2. GaAs襯底是半絕緣的,而CMOS中的襯底則是傳導(dǎo)性的。電子活遷移率越高,器件的工作頻率越高。

  半絕緣的GaAs襯底可以使IC上實(shí)現(xiàn)更好的信號(hào)絕緣,并采用損耗更低的無源元件。而如果襯底是傳導(dǎo)性的話,就無法實(shí)現(xiàn)這一優(yōu)勢(shì)。在CMOS中,由于襯底具有較高的傳導(dǎo)性,很難構(gòu)建起功能型微波電路元件,例如高Q電感器和低損耗傳導(dǎo)線等。這些困難雖然可以在一定程度上得到克服,但必須通過在IC裝配中采用各種非標(biāo)準(zhǔn)的制程來能實(shí)現(xiàn),而這會(huì)增加CMOS設(shè)備的制造成本。

  nGaP特別適合要求相當(dāng)高功率輸出的高頻應(yīng)用。InGaP工藝的改進(jìn)讓產(chǎn)量得到了提高,并帶來了更高程度的集成,使芯片可以集成更多功能。這樣既簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì),降低了原材料成本,也節(jié)省了板空間。有些InGaP PA也采用包含了CMOS控制電路的多芯片封裝。如今,在接收端集成了PA和低噪音放大器(LNA)并結(jié)合了RF開關(guān)的前端WLAN模塊已經(jīng)可以采用精簡型封裝。例如,ANADIGICS公司提出的InGaP-Plus工藝可以在同一個(gè)InGaP芯片上集成雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這一技術(shù)正被用于尺寸和PAE(功率增加效率)有所改進(jìn)的新型CDMA和WCDMA功率放大器。

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