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耳機放大器架構(gòu)設(shè)置全新解決方案一

作者: 時間:2012-09-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

伴隨DVD、MP3、MP4、智能手機等越來越多的便攜式音頻設(shè)備的出現(xiàn),這些設(shè)備的電路板設(shè)計空間越來越不足?,F(xiàn)今,根據(jù)特定功能設(shè)計解決方案的尺寸,在預(yù)期功能的條件下將需要的組件數(shù)量降到最低,顯得越來越重要。將音頻信號傳輸?shù)?a class="contentlabel" href="http://m.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/耳機">耳機,一直以來都使用DC 阻隔電容,除此之外,其他替代的解決方案,不是有先天的限制,就是過于簡單化而不切實際需求,不被市場認可與接受。

  本文特別著重在架構(gòu),除了說明其優(yōu)缺點,也介紹全新的解決方案,該解決方案可解決某些架構(gòu)所造成的問題。

  不同的耳機配置

  不采用大型 DC 阻隔電容驅(qū)動耳機的其中一種傳統(tǒng)方法,是將連接器的接地接腳偏移到中軌,也就是 VDD/2 (VBIAS)。由于大多數(shù)消費性耳機放大器都是單一供應(yīng)電源,因此,要達到良好的動態(tài)范圍,唯一的方法是以 DC 將音頻偏移到 VDD/2,使信號能擺蕩到接地及 VDD。由于接地接腳連接 VDD/2,因此其中主要的缺點是,只要連接 到Hi-Fi 放大器或以電源驅(qū)動的喇叭等接地為真實接地 (亦即 0V) 的外部設(shè)備,就會造成接地回路問題,并引發(fā)不必要的噪聲或設(shè)計問題。

  耳機放大器架構(gòu)設(shè)置全新解決方案一

  圖 1. 含偏移接地套管的輸出單端耳機放大器

  如圖 1 所示,最傳統(tǒng)的耳機放大器架構(gòu)是含 DC 阻隔電容的單端放大器。

  耳機放大器架構(gòu)設(shè)置全新解決方案一

  圖 2. 含 DC 阻隔電容的單端耳機放大器

  從中可看出,耳機驅(qū)動的輸出偏移到 VDD/2 (VOUT),而音頻從 VDD 擺蕩到接地。其中需要 DC 阻隔電容,才能將移除此偏壓,讓訊號在接地周圍有效擺蕩,也就是在 –VDD/2 至 +VDD/2 之間擺蕩。此架構(gòu)的優(yōu)點是能夠使用標準的耳機接孔,然而,這類方法的主要問題在于低頻率響應(yīng)。耳機阻抗一般是 16Ω 或 32Ω,而輸出電容及耳機喇叭阻抗兩者會形成高通濾波,其截止頻率為 3dB,如等式 1 所示:

  耳機放大器架構(gòu)設(shè)置全新解決方案一

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  截止頻率必須在耳機的音頻頻帶范圍內(nèi),此頻帶會因制造商的不同而有所差異,但一般的范圍是 20Hz 至 20kHz 之間。為了不使低音頻頻率衰減,高通濾波的截止頻率至少必須大約是 500Hz 以下。

  將等式 1 改寫為等式 2,即得出:

  耳機放大器架構(gòu)設(shè)置全新解決方案一

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  對于 100Hz 的截止頻率及 16Ω 的耳機喇叭阻抗,電容必須是 110μF。對于需要小體積尺寸的情況而言,這會造成電容值及實體尺寸過大,而且使得成本過高。許多工程人員只能改用 22μF 的較小電容,不過這會影響耳機的低頻率傳真度,而導(dǎo)致低音響應(yīng)不佳。

  各種執(zhí)行都有其優(yōu)缺點,不過,對于需要較佳音頻并避免潛在接地回路問題或大型 DC 阻隔電容的設(shè)計人員而言,一種稱為接地置中或「無電容」的較新架構(gòu)開始備受矚目。

TPA4411、TPA6130A2 及 TPA6132A2 等由德州儀器提供的接地置中或 DirectPathTM 耳機放大器使用創(chuàng)新的做法來省卻通常使用的 DC 阻隔輸出電容。其做法并非將音頻偏移至裝置內(nèi)的 VDD/2,而是整合了一顆電荷泵并提供一組負電源軌,進而讓耳機放大器在正電源軌 (VDD) 與負電源電壓 (VSS) 之間擺蕩。這完全不需要任何偏移,因此不再需要輸出的高通濾波。這能夠讓耳機喇叭播放整個音頻頻帶,提供更好的音質(zhì)。

  耳機放大器架構(gòu)設(shè)置全新解決方案一

  圖 3. 含整合式電荷泵的接地置中 DirectPathTM 耳機放大器

  圖 4 顯示該高通濾波器的頻率響應(yīng)如何隨著不同的 DC 阻隔電容產(chǎn)生變化。對于 16Ω 的固定負載阻抗,只要改變輸出 DC 阻隔電容,截止頻率便會隨之變動。結(jié)果是當電容值減小,截止頻率就會提高,而且越少音頻低音內(nèi)容能被傳輸?shù)蕉鷻C喇叭。

  耳機放大器架構(gòu)設(shè)置全新解決方案一

  圖 4. 輸出頻率響應(yīng)比較

  這種做法看起來很理想,不過,由于整合式電荷泵的低效運作,相較于含偏移接地套管或大型 DC 阻隔電容的傳統(tǒng)耳機放大器,接地置中耳機放大器會耗用較多的電源,而略微縮短系統(tǒng)的電池使用時間。為解決這個問題的創(chuàng)新做法是使用改良的 Class-G技術(shù)。

  Class-G 技術(shù)

  在 AB 類放大器的接地置中架構(gòu)做法中,放大器總是以最高電源電壓運作,這表示,對于音頻的無噪聲階段而言,整個輸出 FET 的電壓降幅相當大。以鋰離子電池為例,一般的電池電壓范圍是 3.0V 至 4.2V。假設(shè)電池供應(yīng) 3.6V 的電壓,圖 5 的紅色箭頭表示播放輸出音頻時整個輸出 FET 的電壓降幅。

  耳機放大器架構(gòu)設(shè)置全新解決方案一

  圖 5. AB 類接地置中耳機放大器運作

  假設(shè)放大器的靜態(tài)電流相較于流向負載的電流來說非常地小,即可推算電池電流與輸出電流呈正比。

  耳機放大器架構(gòu)設(shè)置全新解決方案一

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  圖 6 顯示 AB 類接地置中耳機簡易示意圖。隨著音頻的變化,整個輸出 FET 的電壓降幅也會變動。裝置的功率損耗是電壓降幅乘以電池電流 (IBATT) 所得的乘積。

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