U盤及微硬盤的存儲(chǔ)介質(zhì)

U盤及微硬盤的存儲(chǔ)介質(zhì)


一、閃存

　　Flash Memory，即閃存，是一種EEPROM（電可擦寫）芯片。它包含縱橫交錯(cuò)的柵格，其中的單元格的每一個(gè)交叉點(diǎn)都有兩個(gè)晶體管。這兩個(gè)晶體管被一層薄薄的氧化物隔開，分別稱為柵極和控制極。柵極通過(guò)控制極直線相連。一旦發(fā)生連接，單元格的值即為“1”。單元格的值要變?yōu)椤?”需要經(jīng)過(guò)一個(gè)“空穴運(yùn)動(dòng)”來(lái)改變柵極上電子的位置，此時(shí)柵極上通常需要施加10～13V的電壓。這些電荷從位線進(jìn)入柵極和漏極再流向地。這些電荷使得柵極的晶體管象一把電子槍。被激活的電子被推向并聚集在氧化層的另一面，并形成一個(gè)負(fù)電壓。這些帶負(fù)電的電子將控制極和柵極隔離開。專門的單元格傳感器監(jiān)控通過(guò)柵極的電荷的電壓大小，如果高于前述電壓的50%，則值為“1”；反之則為“0”。一個(gè)空白的EEPROM所有門極都是完全打開的，其中每一個(gè)單元格的值為“1”。

　　Flash Memory芯片中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區(qū)還原為正常的“1”。Flash Memory采用內(nèi)部閉合電路，這樣不僅使電子區(qū)能夠作用于整個(gè)芯片，還可以預(yù)先設(shè)定“塊”。在設(shè)定“塊”的同時(shí)就將芯片中的目標(biāo)區(qū)域擦除干凈，以備重新寫入。傳統(tǒng)的EEPROM芯片每次只能擦除一個(gè)字節(jié)，而Flash Memory每次可擦寫一塊或整個(gè)芯片。Flash Memory的工作速度大大領(lǐng)先于傳統(tǒng)EEPROM芯片。

在人們追求大容量和小體積的新時(shí)代中，閃存（容量小）和傳統(tǒng)硬盤（體積大）均無(wú)法滿足市場(chǎng)需求。由超小型筆記本和數(shù)碼相機(jī)領(lǐng)域發(fā)展過(guò)來(lái)的微硬盤，順理成章地拿過(guò)了兩個(gè)老前輩的接力棒。

二、微硬盤

微硬盤（Microdrive）最早是由IBM公司開發(fā)的一款超級(jí)迷你硬盤機(jī)產(chǎn)品。其最初的容量為340MB和512MB，而現(xiàn)在的產(chǎn)品容量有1GB、2GB以及4GB等。與以前相比，目前的微硬盤降低了轉(zhuǎn)速（4200rpm降為3600rpm），從而降低了功耗，但增強(qiáng)了穩(wěn)定性。

微硬盤（Microdrive）最早是由IBM公司開發(fā)的一款超級(jí)迷你硬盤機(jī)產(chǎn)品。其最初的容量為340MB和512MB，而現(xiàn)在的產(chǎn)品容量有1GB、2GB以及4GB等。與以前相比，目前的微硬盤降低了轉(zhuǎn)速（4200rpm降為3600rpm），從而降低了功耗，但增強(qiáng)了穩(wěn)定性。