內(nèi)存條芯片參數(shù)

Infineon（億恒）

Infineon是德國(guó)西門子的一個(gè)分公司，目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上西門子的子公司Infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號(hào)中詳細(xì)列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊(duì)列組織管理模式都是每個(gè)顆粒由4個(gè)Bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號(hào)比較少，辨別也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標(biāo)識(shí)的是該顆粒的容量，后三位標(biāo)識(shí)的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號(hào)最后加一短線，然后標(biāo)上工作速率。

-7.5——表示該內(nèi)存的工作頻率是133MHz；
-8——表示該內(nèi)存的工作頻率是100MHz。

例如：
1條Kingston的內(nèi)存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為： 128Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=256MB（兆字節(jié)）。

1條Ramaxel的內(nèi)存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為： 128Mbits（兆數(shù)位） × 8 片/8=128MB（兆字節(jié)）。

KINGMAX、kti

KINGMAX內(nèi)存的說(shuō)明

Kingmax內(nèi)存都是采用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。Kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號(hào)列表出來(lái)。

容量備注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數(shù)據(jù)寬度。

Kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài)，是在型號(hào)后用短線符號(hào)隔開(kāi)標(biāo)識(shí)內(nèi)存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。

例如一條Kingmax內(nèi)存條，采用16片KSV884T4A0A-7A 的內(nèi)存顆粒制造，其容量計(jì)算為： 64Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=128MB（兆字節(jié)）。

Micron（美光）

以MT48LC16M8A2TG-75這個(gè)編號(hào)來(lái)說(shuō)明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內(nèi)存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——內(nèi)存顆粒容量為128Mbits，計(jì)算方法是：16M（地址）×8位數(shù)據(jù)寬度。
A2——內(nèi)存內(nèi)核版本號(hào)。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內(nèi)存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

實(shí)例：一條Micron DDR內(nèi)存條，采用18片編號(hào)為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ECC功能。所以每個(gè)Bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。

其容量計(jì)算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字節(jié)）。

Winbond（華邦）

含義說(shuō)明：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5

1、W代表內(nèi)存顆粒是由Winbond生產(chǎn)

　　2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM?

　　3、代表顆粒的版本號(hào)：常見(jiàn)的版本號(hào)為B和H；

　　4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為L(zhǎng)QFP封裝

　　5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz