新聞中心

EEPW首頁 > 電源與新能源 > 新品快遞 > 飛利浦推出P信道MOSFET擴展創(chuàng)新的mTrenchMOS系列

飛利浦推出P信道MOSFET擴展創(chuàng)新的mTrenchMOS系列

作者:電子設計應用 時間:2004-01-07 來源:電子設計應用 收藏
皇家電子公司宣布推出多個低導通電阻RDS(ON) MOSFET器件,進一步拓展其mTrenchMOS產(chǎn)品系列,并廣泛應用于無線通信、移動計算和消費多媒體等領(lǐng)域。這些新型的P信道器件可向從事節(jié)省占位面積應用研發(fā)的設計人員提供超小型和業(yè)界標準封裝高性能功率控制能力。型號為PMN50XP的首個P通道MOSFET器件具有20伏電壓和50毫歐姆電阻,并采用2.9毫米X 1.5毫米TSOP6封裝,以小型封裝向設計人員提供成本經(jīng)濟型電源管理的最佳方案。

根據(jù)iSuppli的預測,每年被用于手機領(lǐng)域的P信道器件超過10億件,而手機的付運量則有望從2003年的4.8億部增長到2007年的6.4億部。隨著筆記本電腦和手持消費產(chǎn)品等移動應用的迅猛發(fā)展,亞洲地區(qū)的廠商將成為經(jīng)濟型封裝和高效電源管理解決方案的領(lǐng)導者。P信道器件可以滿足成本經(jīng)濟型電源管理器件的需求,幫助設計人員節(jié)省板占位,提高能效,延長電池使用時間。

半導體電源管理事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理Manuel Frade表示:“這些新型的P信道器件結(jié)合早前發(fā)布的n信道m(xù)TrenchMOS器件,為設計人員提供了大量各類電源管理產(chǎn)品,以滿足亞洲客戶對移動計算和手機應用不斷提升的需求。這些新器件對于那些需要高性能MOSFET,且對板占位和能效要求嚴格的消費類應用是至關(guān)重要的?!?/P>

P信道MOSFETS廣泛應用于移動領(lǐng)域的負載和電池轉(zhuǎn)換。目前的電源管理系統(tǒng)通常需要根據(jù)系統(tǒng)的特殊需求在任意特定時間轉(zhuǎn)換一個或多個電源線。例如在“睡眠”狀態(tài)的筆記本電腦顯示器和磁盤驅(qū)動器處于關(guān)斷,以節(jié)省電池能耗。此類系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換必須能在“開”狀態(tài)下顯現(xiàn)低壓差,使驅(qū)動操作更為簡便且僅占用較小的PCB面積。

此外,電源轉(zhuǎn)換還必須能夠“浮動”,主電流端都不與0V連接。由于P信道可以在“浮動”應用中出色地發(fā)揮驅(qū)動功能,低導通電阻RDS(ON) MOSFET器件是此類應用的最佳選擇方案。P信道在LCD監(jiān)控器和負載點應用中與N信道器件配合使用的需求亦呈現(xiàn)增長勢頭。

飛利浦正致力于擴展業(yè)界標準封裝的P通道MOSFET,并將于未來數(shù)月推出更多相關(guān)產(chǎn)品。飛利浦 P信道器件具有50毫歐姆電阻和4.5伏電壓,柵驅(qū)動為2.5伏。新型MOSFET包括20伏和30伏額定VDS,其驅(qū)動特性在柵驅(qū)動電壓低至2.5伏時可完全打開。



關(guān)鍵詞: 飛利浦

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉