DS2433設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)镈S24B33 4Kb 1-Wire EEPROM
引言
DS24B33是DS2433的替代產(chǎn)品,采用更新的半導(dǎo)體技術(shù)??偟膩碚f,DS24B33與DS2433引腳兼容,可直接代替DS2433;兩個(gè)器件均具有1-Wire接口和4Kb EEPROM,EEPROM劃分為16頁,每頁32字節(jié)。然而,新一代半導(dǎo)體技術(shù)使得器件在性能、特性以及工作條件等方面出現(xiàn)一些不可避免的變化。性能、特性變化不一定會(huì)對使用DS24B33的現(xiàn)有設(shè)計(jì)造成不利影響。本文詳細(xì)討論了這些變化的影響,幫助設(shè)計(jì)者評估這些變化是否對現(xiàn)有設(shè)計(jì)造成障礙。本文分析了參數(shù)變化,并給出了修改現(xiàn)有設(shè)計(jì)的建議。
性能和特性變化
- 讀操作低電平持續(xù)時(shí)間
說明:該參數(shù)規(guī)定了主控器件在一個(gè)讀時(shí)隙開始時(shí)必須將1-Wire拉低的持續(xù)時(shí)間。該持續(xù)時(shí)間必須足夠長,直到1-Wire從器件以邏輯0響應(yīng)總線,將總線拉低。
摘自DS2433數(shù)據(jù)資料SYMBOL CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS NOTES tLOWR Standard speed 1 15 μs 8 Overdrive speed 1 2 注8: 主控器件發(fā)出的低電平脈沖持續(xù)時(shí)間至少為1μs ,最大值應(yīng)盡可能小,使上拉電阻能夠在1-Wire器件采樣之前(寫1時(shí)間)或在主控器件采樣之前(讀1時(shí)間)接管總線。
摘自DS24B33數(shù)據(jù)資料SYMBOL CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS NOTES tRL Standard speed 5 15-δ μs 2, 17 Overdrive speed 1 2-δ 注2: 系統(tǒng)要求。 注17: δ表示上拉電路將IO電壓從VIL上拉至總線主控制器輸入高電平門限所需要的時(shí)間。主控制器將總線拉低的實(shí)際最大持續(xù)時(shí)間為tRLMAX+ tF。
影響:標(biāo)準(zhǔn)速度下,為改進(jìn)網(wǎng)絡(luò)性能在1-Wire前端增加了低通濾波,這也增大了響應(yīng)時(shí)間,但不影響最大指標(biāo)限值。為保證數(shù)學(xué)計(jì)算正確,引入了“δ”代表上限,與實(shí)際應(yīng)用的上升時(shí)間有關(guān)。注意,網(wǎng)絡(luò)性能的改進(jìn)也影響了“寫1”時(shí)低電平持續(xù)時(shí)間(分別為tLOW1和tW1L)的最小值,DS24B33的最小值為5μs,DS2433為1μs。通常情況下,主控制器以“寫1”時(shí)隙相同的方式產(chǎn)生讀數(shù)據(jù)時(shí)隙。因此,更新固件滿足DS24B33的tRL要求即為以正確方式更新“寫1”時(shí)隙的定時(shí)。
措施:驗(yàn)證1-Wire主控滿足DS24B33要求。如果不滿足下限,主控器件可能在從器件拉低總線之前停止拉低總線,從而在1-Wire信號(hào)線上產(chǎn)生尖峰脈沖。在多個(gè)從器件的網(wǎng)絡(luò)中,尖峰脈沖會(huì)導(dǎo)致其它從器件失去與主控器件的同步。如果是單點(diǎn)網(wǎng)絡(luò),這種潛在的尖峰脈沖不太可能影響通信。 - 恢復(fù)時(shí)間
說明:該參數(shù)規(guī)定1-Wire從器件恢復(fù)其寄生電源并準(zhǔn)備好下一操作(時(shí)隙或復(fù)位/在線檢測過程)時(shí)隙之間的最小空閑時(shí)間(高電平時(shí)間)。持續(xù)時(shí)間必須足以補(bǔ)充前一操作消耗的能量,并為下一操作積累能量。由于復(fù)位/在線檢測過程大于一個(gè)時(shí)隙,寄生電源必須充滿電,以便器件產(chǎn)生滿足定時(shí)指標(biāo)的應(yīng)答脈沖?;謴?fù)時(shí)間會(huì)影響有效的1-Wire數(shù)據(jù)速率,數(shù)據(jù)速率為1/tSLOT。注意,DS2433數(shù)據(jù)資料的時(shí)隙定義不包括恢復(fù)時(shí)間。
摘自DS2433數(shù)據(jù)資料
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