安森美半導(dǎo)體推出帶專有集成保護(hù)電路的SmartDiscrete™功率MOSFET

安森美半導(dǎo)體（美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）進(jìn)一步拓展其經(jīng)濟(jì)高效的高性能功率MOSFET系列，推出新系列的自護(hù)式SmartDiscrete™器件，具有先進(jìn)的集成水平，由公司領(lǐng)先業(yè)界的HDPlus™芯片工藝制造，為要求苛嚴(yán)的汽車和工業(yè)應(yīng)用提供優(yōu)越的性能表現(xiàn)。

這些新型器件是低邊、自鉗位、46伏（V）、48-185毫歐MOSFET，集成了電流限制保護(hù)、過熱關(guān)斷、過壓保護(hù)以及靜電放電（ESD）保護(hù)。安森美半導(dǎo)體的HDPlus™芯片工藝以單片式設(shè)計(jì)在很寬的溫度范圍內(nèi)優(yōu)化性能。供選擇的集成功能，范圍從取代通用3055 MOSFET的業(yè)界首款主動(dòng)鉗位、ESD保護(hù)器件，到帶電流和溫度限制功能的全自護(hù)式MOSFET。

安森美半導(dǎo)體副總裁兼集成電源器件部總經(jīng)理Ramesh Ramchandani說：“系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員渴望獲得能減少元件數(shù)量、提高系統(tǒng)穩(wěn)定性并簡(jiǎn)化硬件和軟件設(shè)計(jì)的解決方案。安森美半導(dǎo)體的新型SmartDiscrete™ MOSFET為多種分立器件集成了保護(hù)電路，是開發(fā)可靠系統(tǒng)的節(jié)省空間且經(jīng)濟(jì)高效的解決方案?！?BR>
在功率MOSFET必須經(jīng)受高功率與/或短路情況的應(yīng)用中，強(qiáng)制需具備保護(hù)功能。針對(duì)這種需求，安森美半導(dǎo)體的新型SmartDiscrete™ 功率MOSFET的自護(hù)式電路設(shè)計(jì)結(jié)合了漏極電流感應(yīng)與限制。在負(fù)載短路的情況下，電流限制電路保護(hù)可阻止電流尖峰。如果這種情況持續(xù)下去，溫度電路監(jiān)測(cè)接點(diǎn)溫度將在到達(dá)某設(shè)定點(diǎn)時(shí)（典型值為175˚ C）關(guān)斷器件。內(nèi)部溫度限制電路設(shè)計(jì)為在接點(diǎn)溫度降低約15° C時(shí)自動(dòng)接通主MOSFET。器件不斷進(jìn)行熱循環(huán)，直到短路情況被修正。

該等器件采用低成本、節(jié)省空間的SOT-223和DPAK表面貼裝。