AVR 內(nèi)部EEPROM讀寫式例

eeprom_write_block (ORGDATA[0], Eval[0], 16); //塊寫入
//看看EEPROM數(shù)據(jù)是否是能失電永久保存，可以注釋上面這句程序(不寫入，只是讀出)，然后編譯，燒寫,斷電(一段時間),上電,調(diào)試。
eeprom_read_block (CMPDATA[0],Eval[0], 16); //塊讀出,然后看看數(shù)據(jù)對不對？

while (1);
}
/*
ATmega16 包含512 字節(jié)的EEPROM 數(shù)據(jù)存儲器。
它是作為一個獨立的數(shù)據(jù)空間而存在的，可以按字節(jié)讀寫。
EEPROM的壽命至少為100,000 次擦除周期。
EEPROM的訪問由地址寄存器EEAR、數(shù)據(jù)寄存器EEDR和控制寄存器EECR決定。
也可以通過ISP和JTAG及并行電纜來固化EEPROM數(shù)據(jù)
EEPROM數(shù)據(jù)的讀取:
當(dāng)EEPROM地址設(shè)置好之后，需置位EERE以便將數(shù)據(jù)讀入EEDR。
EEPROM數(shù)據(jù)的讀取需要一條指令，且無需等待。
讀取EEPROM后CPU 要停止4 個時鐘周期才可以執(zhí)行下一條指令。
注意:用戶在讀取EEPROM 時應(yīng)該檢測EEWE。如果一個寫操作正在進(jìn)行，就無法讀取EEPROM，也無法改變寄存器EEAR。
EEPROM數(shù)據(jù)的寫入:
1 EEPROM的寫訪問時間(自定時時間，編程時間)
自定時功能可以讓用戶軟件監(jiān)測何時可以開始寫下一字節(jié)。(可以采用中斷方式)
經(jīng)過校準(zhǔn)的1MHz片內(nèi)振蕩器用于EEPROM定時,不倚賴CKSEL熔絲位的設(shè)置。
改變OSCCAL寄存器的值會影響內(nèi)部RC振蕩器的頻率因而影響寫EEPROM的時間。
EEPROM自定時時間約為8.5 ms 即1MHz片內(nèi)振蕩器的8448個周期
注意：這個時間是硬件定時的，數(shù)值比較保險，其實真正的寫入時間根本就用不了8.5mS那么長,而且跟電壓有關(guān)，但芯片沒有提供其他的檢測編程完成的方法
這個問題表現(xiàn)在舊版的AT90S系列上面，由于沒有自定時，數(shù)值定得太短，ATMEL給人投訴到頭都爆，呵呵！
參考: 《用ATmega8535替換AT90S8535》文檔里面的
寫EEPROM定時的改進(jìn)
在AT90S8535中寫EEPROM的時間取決于供電電壓，通常為2.5ms@VCC=5V，4ms@VCC=2.7V。
ATmega8535中寫EEPROM的時間為8448個校準(zhǔn)過的RC振蕩器周期 (與系統(tǒng)時鐘的時鐘源和頻率無關(guān))。
假定校準(zhǔn)過的RC振蕩器為1.0MHz，則寫時間的典型值為8.4ms，與VCC 無關(guān)。

2 為了防止無意識的EEPROM 寫操作，需要執(zhí)行一個特定的寫時序
(如果使用編譯器的自帶函數(shù)，無須自己操心)
寫時序如下( 第3 步和第4 步的次序并不重要)：
1. 等待EEWE 位變?yōu)榱?BR>2. 等待SPMCSR 中的SPMEN 位變?yōu)榱?BR>3. 將新的EEPROM 地址寫入EEAR( 可選)
4. 將新的EEPROM 數(shù)據(jù)寫入EEDR( 可選)
5. 對EECR 寄存器的EEMWE 寫"1"，同時清零EEWE
6. 在置位EEMWE 的4 個周期內(nèi)，置位EEWE
經(jīng)過寫訪問時間之后，EEWE 硬件清零。
用戶可以憑借這一位判斷寫時序是否已經(jīng)完成。
EEWE 置位后，CPU要停止兩個時鐘周期才會運行下一條指令。

注意：
1:在CPU 寫Flash 存儲器的時候不能對EEPROM 進(jìn)行編程。
在啟動EEPROM 寫操作之前軟件必須檢查 Flash 寫操作是否已經(jīng)完成
步驟(2) 僅在軟件包含引導(dǎo)程序并允許CPU對Flash 進(jìn)行編程時才有用。
如果CPU 永遠(yuǎn)都不會寫Flash，步驟(2) 可省略。

2:如果在步驟5 和6 之間發(fā)生了中斷，寫操作將失敗。
因為此時EEPROM 寫使能操作將超時。
如果一個操作EEPROM的中斷打斷了另一個EEPROM操作，EEAR 或EEDR寄存器可能被修改，引起EEPROM 操作失敗。
建議此時關(guān)閉全局中斷標(biāo)志I。
經(jīng)過寫訪問時間之后，EEWE 硬件清零。用戶可以憑借這一位判斷寫時序是否已經(jīng)完成。
EEWE 置位后，CPU要停止兩個時鐘周期才會運行下一條指令。

在掉電休眠模式下的EEPROM寫操作
若程序執(zhí)行掉電指令時EEPROM 的寫操作正在進(jìn)行， EEPROM 的寫操作將繼續(xù)，并在指定的寫訪問時間之前完成。
但寫操作結(jié)束后，振蕩器還將繼續(xù)運行，單片機(jī)并非處于完全的掉電模式。因此在執(zhí)行掉電指令之前應(yīng)結(jié)束EEPROM 的寫操作。

防止EEPROM數(shù)據(jù)丟失
若電源電壓過低，CPU和EEPROM有可能工作不正常，造成EEPROM數(shù)據(jù)的毀壞(丟失)。
**這種情況在使用獨立的EEPROM 器件時也會遇到。因而需要使用相同的保護(hù)方案。
由于電壓過低造成EEPROM 數(shù)據(jù)損壞有兩種可能：
一是電壓低于EEPROM 寫操作所需要的最低電壓；
二是CPU本身已經(jīng)無法正常工作。
EEPROM 數(shù)據(jù)損壞的問題可以通過以下方法解決：
當(dāng)電壓過低時保持AVR RESET信號為低。
這可以通過使能芯片的掉電檢測電路BOD來實現(xiàn)。如果BOD電平無法滿足要求則可以使用外部復(fù)位電路。
若寫操作過程當(dāng)中發(fā)生了復(fù)位，只要電壓足夠高，寫操作仍將正常結(jié)束。
(EEPROM在2V低壓下也能進(jìn)行寫操作---有可以工作到1.8V的AVR芯片)

掉電檢測BOD的誤解
AVR自帶的BOD(Brown-out Detection)電路，作用是在電壓過低(低于設(shè)定值)時產(chǎn)生復(fù)位信號，防止CPU意外動作.
對EEPROM的保護(hù)作用是當(dāng)電壓過低時保持RESET信號為低，防止CPU意外動作，錯誤修改了EEPROM的內(nèi)容

而我們所理解的掉電檢測功能是指 具有預(yù)測功能的可以進(jìn)行軟件處理的功能。
例如，用戶想在電源掉電時把SRAM數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到EEPROM，可行的方法是
外接一個在4.5V翻轉(zhuǎn)的電壓比較器(VCC=5.0V,BOD=2.7V)，輸出接到外部中斷引腳(或其他中斷)
一但電壓低于4.5V,馬上觸發(fā)中斷，在中斷服務(wù)程序中把數(shù)據(jù)寫到EEPROM中保護(hù)起來
注意: 寫一個字節(jié)的EEPROM時間長達(dá)8mS,所以不能寫入太多數(shù)據(jù)，電源濾波電容也要選大一些