用C語言編程操作SPMC75內(nèi)部Flash的方法
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支持C語言幾乎是所有微控制器程序設計的一項基本要求，當然SPMC75系列單片機也不例外。μ'nSPTM 指令結構的設計就著重考慮對C語言的支持，GCC就是一種針對μ'nSPTM 操作平臺的ANSI－C編譯器。但是在應用中對于程序的設計，特別是C和ASM混合使用的時候有些地方是需要注意的，在C中如何嵌入ASM也是一個不可回避的問題。
2SPMC75單片機FLASH硬件資源分析
SPMC75系列微控制器Flash分為兩區(qū)：信息區(qū)和通用區(qū)，在同一時間只能訪問其中的一區(qū)。信息區(qū)包含64個字，尋址空間為0x8000 ～ 0x803F。地址0x8000為系統(tǒng)選項寄存器P_System_Option。其他地址空間可由用戶自定義重要信息比如：版本控制、日期、版權、項目名稱等等。信息區(qū)的內(nèi)容只有在仿真或燒錄的狀態(tài)下才能改變。
32k字的內(nèi)嵌Flash(embedded Flash)被劃分為16個頁，每頁2K字，每頁可分為8塊，這樣32K的Flash就可以分成128個塊。只有位于00F000 ～00F7FF區(qū)域的頁在自由運行模式下可以設置為只讀或可讀可寫，其他頁均為只讀。SPMC75系列微控制器的32K字的內(nèi)嵌式閃存結構入下圖2-1和圖2-2。
圖2-1信息區(qū)結構 圖2-2頁和幀結構
2.1 FLASH操作
◆ FLASH相關寄存器
Flash有兩個控制寄存器：P_Flash_RW ($704D)和P_Flash_Cmd ($7555).。
P_Flash_RW ($704D)是Flash訪問控制接口，用連續(xù)兩次寫操作進行設置，這樣避免誤寫入。首先向該寄存器寫入$5a5a，然后在16個CPU時鐘周期內(nèi)再向該寄存器寫入設置字。
表 2-1 Flash寄存器和系統(tǒng)寄存器
地址 | 寄存器 | 名稱 |
704Dh | P_Flash_RW | 內(nèi)嵌 Flash 的訪問控制寄存器 |
7555h | P_Flash_Cmd | 內(nèi)嵌 Flash 的控制寄存器 |
P_Flash_RW ($704D)：內(nèi)嵌的Flash訪問控制寄存器
P_Flash_RW ($704D)是Flash訪問控制接口，用連續(xù)兩次寫操作進行設置，這樣避免誤寫入：首先向該寄存器寫入$5a5a，然后在16個CPU時鐘周期內(nèi)再向該寄存器寫入設置字。
B15 | B14 | B13 | B12 | B11 | B10 | B9 | B8 |
R | R/W | R | R | R | R | R | R |
1 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
保留 | BK14WENB | BK13WENB | BK12WENB | BK11WENB | BK10WENB | BK9WENB | BK8WENB |
B7 | B6 | B5 | B4 | B3 | B2 | B1 | B0 |
R | R | R | R | R | R | R | R |
1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
BK7WENB | BK6WENB | BK5WENB | BK4WENB | BK3WENB | BK2WENB | BK1WENB | BK0WENB |
用控制寄存器將頁設置內(nèi)嵌FLASH為只讀或可讀可寫模式。
類型 ( 默認 ) | 頁 | 塊 | 描述 | |
B[15] | 保留 | |||
B[14] | R/W (0) | Bank 14 | Frame 112~119 | F000h-F7FFh 訪問控制 1= 只讀 0= 讀 / 寫 |
B[13:0] | 保留 | |||
P_Flash_Cmd ($7555)：內(nèi)嵌的Flash訪問控制寄存器
用于處理Flash的指令，見表2-3
B15 | B14 | B13 | B12 | B11 | B10 | B9 | B8 |
W | W | W | W | W | W | W | W |
0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
FlashCtrl | |||||||
B7 | B6 | B5 | B4 | B3 | B2 | B1 | B0 |
W | W | W | W | W | W | W | W |
0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
FlashCtrl | |||||||
表 2-2 指令功能和操作流程
塊擦除 | 單字寫模式 | 連續(xù)多字寫模式 | |
第一步 | P_Flash_CMD = 0xAAAA | ||
第二步 | [ P_Flash_CMD ] = 0x5511 | [ P_Flash_CMD ] = 0x5533 | [ P_Flash_CMD ] = 0x5544 |
第三步 | 設置擦除地址 | 寫數(shù)據(jù) | 寫數(shù)據(jù) |
第四步 | 自動等待 20ms 后結束 | 自動等待 40us 后結束 | 自動等待 40us |
未寫完則轉向第二步 | |||
[ P_Flash_CMD ]= 0xFFFF à 操作結束令 | |||
2.2 FLASH操作使用舉例
◆Flash塊擦除操作
 | //擦除Flash的第14頁的第0塊 |
◆ Flash單字寫操作
 | //擦除Flash的第14頁的第0塊 |
Flash的特點是編程數(shù)據(jù)寫入時只能將1變成0，不能從0變成1。因此，用戶在對Flash編程之前，必須首先執(zhí)行Flash塊擦除或者頁擦除命令，這樣就可以將數(shù)據(jù)從0"擦除"為1。
◆ Flash連續(xù)寫操作
采用連續(xù)編程模式向Flash的0xF000 到 0xF060地址空間連續(xù)寫入數(shù)據(jù)。
 | // 寫數(shù)據(jù)到 0xF001～0xF060的連續(xù)單元中，設這段空間已經(jīng)擦//除過。 |
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