AVR熔絲位快速入門
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AVR通過熔絲來控制芯片內(nèi)部的一些功能，比如JTAG，時(shí)鐘的使用，掉電檢測(cè)電壓，是否允許調(diào)試等。
AVR Studio 中 STK500 處理熔絲位有巨大的優(yōu)勢(shì)：它是以功能組合讓用戶配置。 這種方式與小馬(PnoyProg2000,SL-ISP)相比，具有以下的優(yōu)勢(shì)(優(yōu)勢(shì)是如此明顯，可以用“巨大優(yōu)勢(shì)”來形容)：
有效避免因不熟悉熔絲位讓芯片鎖死 (這是初學(xué)者的惡夢(mèng))， 筆者曾經(jīng)鎖死過三片Atmega16。
不需要靠記憶與查文檔，就能配置熔絲位(這也是初學(xué)者的惡夢(mèng))
動(dòng)手之前：請(qǐng)你一定弄清楚了，你這樣改會(huì)有什么后果，除非你有很多錢不在乎多鎖死幾個(gè)芯片。備份你的熔絲位狀態(tài)，在點(diǎn)擊Program之前再次檢查熔絲位設(shè)置正確與否，不要誤點(diǎn)了某項(xiàng)而沒有注意到。
通過下圖的方法打開連接：
使用操作界面如下： (注意：下圖中，打勾的表示選中，代表0。沒有打勾的表示1)。
上圖的資料有很多相關(guān)項(xiàng)，你需要認(rèn)識(shí)以下的代碼，以理解意思。英文翻譯說明如下：
| 英文 | 中文 |
| On-Chip Debug Enabled | 片內(nèi) 調(diào)試 使能 |
| JTAG Interface Enabled | JTAG 接口 使能 |
| Serial program downloading (SPI) enabled | 串行編程下載(SPI) 使能 (ISP下載時(shí)該位不能修改) |
| Preserve EEPROM memory through the Chip Erase cycle; | 芯片擦除時(shí)EEPROM的內(nèi)容保留 |
| Boot Flash section size=xxxx words | 引導(dǎo)(Boot)區(qū)大小為xxx個(gè)詞 |
| Boot start address=$yyyy; | 引導(dǎo)(Boot)區(qū)開始地址為 $yyyy |
| Boot Reset vector Enabled | 引導(dǎo)(Boot)、復(fù)位 向量 使能 |
| Brown-out detection level at VCC=xxxx V; | 掉電檢測(cè)的電平為 VCC=xxxx 伏 |
| Brown-out detection enabled; | 掉電檢測(cè)使能 |
| Start-up time: xxx CK + yy ms | 啟動(dòng)時(shí)間 xxx 個(gè)時(shí)鐘周期 + yy 毫秒 |
| Ext. Clock; | 外部時(shí)鐘 |
| Int. RC Osc. | 內(nèi)部 RC(阻容) 振蕩器 |
| Ext. RC Osc. | 外部 RC(阻容) 振蕩器 |
| Ext. Low-Freq. Crystal; | 外部 低頻 晶體 |
| Ext. Crystal/Resonator Low Freq | 外部晶體/陶瓷振蕩器 低頻 |
| Ext. Crystal/Resonator Medium Freq | 外部晶體/陶瓷振蕩器 中頻 |
| Ext. Crystal/Resonator High Freq | 外部晶體/陶瓷振蕩器 高頻 |
注：以上中文是對(duì)照 ATmega16的中、英文版本數(shù)據(jù)手冊(cè)而翻譯。盡量按照了官方的中文術(shù)語。
應(yīng)用舉例：
比如我們想使用片內(nèi)的RC振蕩(即不需要接晶振)，可以選擇選擇下面三者之一：
- Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms;
- [CKSEL=0100 SUT=00] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms;
- [CKSEL=0100 SUT=01] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0100 SUT=10]
如圖：內(nèi)部1M晶振，默認(rèn)情況典型設(shè)置。（兩個(gè)圖分別為上下兩部分，沒有顯示的部分均為不選中狀態(tài)。）
下圖顯示的是選擇內(nèi)部晶振，1 Mhz RC
比如我們想使用外部7.3728M晶振，可以選擇選擇下面三者之一：
- Ext. Crystal/Resonator High Freq.;
- Start-up time: 258 CK + 4 ms;
- [CKSEL=1110 SUT=00] 或后面與Ext. Crystal/Resonator High Freq.;.... 有關(guān)的選擇。
如下兩圖：7.3728M晶振典型融絲位（及本站的開發(fā)板使用時(shí)候的典型設(shè)置）
如果你在使用過程中遇到什么問題，歡迎討論，http://bbs.avrvi.com。
后記：說說Mega128的熔絲位
ATmega128是avr系列中一款高性能的芯片，設(shè)計(jì)的時(shí)候兼容M103模式，但是這個(gè)M103模式經(jīng)常害人?；诖?，說說ATmega128的熔絲位，順便說說其他的功能。
默認(rèn)情況下M103模式是選中的，應(yīng)該將其去掉；晶振是內(nèi)部1M晶振，如果你使用外部晶振，應(yīng)該進(jìn)行修改。M128可以開啟硬件的看門狗，選中此項(xiàng)，看門狗不需要程序初始化，只需要程序里面喂狗就可以了。
默認(rèn)熔絲第一部分
M103兼容模式，使能JTAG，使能SPI，Bootloader區(qū)大小4096，未使能BOOT。
默認(rèn)熔絲第二部分
DOD為2.7V，內(nèi)部1M晶振。
下面是本站使用M128開發(fā)板的典型設(shè)置，M103模式取消，使用M128模式，使用外部7.3728M晶振。
典型熔絲第一部分（只說修改部分）
去掉了M103，從而使用M128模式。
典型熔絲第二部分
選擇最后一項(xiàng)，即使用外部高頻晶振。
評(píng)論