飛凌嵌入式OK335xS開發(fā)平臺評測
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飛凌FET335xS(TI AM335X系列)采用了2片256M DDR3內(nèi)存，即能滿足Android系統(tǒng)的運(yùn)行要求，又能有效降低成本
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/221494.htm
圖四：Nand-Flash
飛凌FET335xS(TI AM335X系列)采用了鎂光256M SLC Nand-flash作為存儲介質(zhì)，相對于工業(yè)產(chǎn)品開發(fā)來說足夠使用了，另外SLC的NandFlash可達(dá)到10萬次的擦寫使用壽命更長更加穩(wěn)定
圖五：屏蔽罩焊接點(diǎn)
飛凌FET335xS(TI AM335X系列)在四個(gè)角預(yù)留了屏蔽罩的焊點(diǎn)，并在四邊絲印出了屏蔽罩定位點(diǎn)，用戶可以根據(jù)自己需要和產(chǎn)品使用環(huán)境添加屏蔽罩以增強(qiáng)核心板的抗干擾性?！ ?/p>
圖六：jtag調(diào)試點(diǎn)
TI AM335X(TI AM335X系列)系列處理器本身支持裸機(jī)程序和裸機(jī)調(diào)試，因此飛凌FET335xS核心板上預(yù)留出了JTAG連接點(diǎn)，用戶可以自己進(jìn)行裸機(jī)調(diào)試
圖七：定位孔
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