簡析LED燈具可靠性測試方法及成本控制問題
(5)加速(短期)壽命試驗(yàn)
電子器件加速壽命試驗(yàn)可以在加大應(yīng)力(電功率或溫度)下進(jìn)行試驗(yàn),這里要討論的是采用溫度應(yīng)力的辦法,測量計(jì)算出來的壽命是LED平均壽命,即失效前的平均工作時(shí)間。采用此方法將會大大地縮短LED壽命的測試時(shí)間,有利于及時(shí)改進(jìn)、提高LED可靠性。加溫度應(yīng)力的壽命試驗(yàn)方法在文章[2]中已詳細(xì)論述,主要是引用“亞瑪卡西”(yamakoshi)的發(fā)光管光功率緩慢退化公式,通過退化系數(shù)得到不同加速應(yīng)力溫度下LED的壽命試驗(yàn)數(shù)據(jù),再用“阿倫尼斯”(Arrhenius)方程的數(shù)值解析法得到正常應(yīng)力(室溫)下的LED的平均壽命,簡稱“退化系數(shù)解析法”,該方法采用三個不同應(yīng)力溫度即165℃、175℃和185℃下,測量的數(shù)據(jù)計(jì)算出室溫下平均壽命的一致性。該試驗(yàn)方法是可靠的,目前已在這個研究成果上,起草制定“半導(dǎo)體發(fā)光二極管壽命的試驗(yàn)方法”標(biāo)準(zhǔn),國內(nèi)一些企業(yè)也同時(shí)研制加速壽命試驗(yàn)的設(shè)備儀器。2、LED器件可靠性
LED器件可靠性主要取決于二個部分:外延芯片及器件封裝的性能質(zhì)量,這二種失效機(jī)理完全不一樣,現(xiàn)分別敘述。
(1)外延芯片的失效
影響外延芯片性能及質(zhì)量的,主要是與外延層特別是P-n結(jié)部分的位錯和缺陷的數(shù)目和分布情況,金屬與半導(dǎo)體接觸層質(zhì)量,以及外延層及芯片表面和周邊沾污引起離子數(shù)目及狀況有關(guān)。芯片在加熱加電條件下,會逐步引起位錯、缺陷、表面和周邊產(chǎn)生電漂移及離子熱擴(kuò)散,使芯片失效,正是上面所說的本質(zhì)失效。要提高外延芯片可靠性指標(biāo),從根本上要降低外延生長過程中產(chǎn)生的位錯和缺陷以及外延層表面和周邊的沾污,提高金屬與半導(dǎo)體接觸質(zhì)量,從而提高工作壽命的時(shí)間。目前有報(bào)道,對裸芯片作加速壽命試驗(yàn),并進(jìn)行推算,一般壽命達(dá)10萬小時(shí)以上,甚至幾十萬小時(shí)。
(2)器件封裝的失效
有報(bào)道稱:LED器件失效大約70%以上是由封裝引起,所以封裝技術(shù)對LED器件來說是關(guān)鍵技術(shù)。有關(guān)LED器件封裝技術(shù)在文章[3]、[4]中有詳細(xì)論述,所以在此不作介紹,只簡要分析有關(guān)LED器件封裝的可靠性問題。LED封裝引起的失效是從屬失效,其原因很復(fù)雜,主要來源有三部分:
其一,封裝材料不佳引起,如環(huán)氧、硅膠、熒光粉、基座、導(dǎo)電膠、固晶材料等。
其二,封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不合理,如材料不匹配、產(chǎn)生應(yīng)力、引起斷裂、開路等。
其三,封裝工藝不合適,如裝片、壓焊、點(diǎn)膠工藝、固化溫度及時(shí)間等。
為提高器件封裝可靠性,首先在原材料選用方面要嚴(yán)格控制材料的質(zhì)量,在封裝結(jié)構(gòu)上除了考慮出光效率和散熱外,還要考慮多種材料結(jié)合在一起時(shí)的熱漲匹配問題。在封裝工藝上,要嚴(yán)格控制每道工序的工藝流程,盡量采用自動化設(shè)備、確保工藝的一致性及重復(fù)性,保障LED器件性能和可靠性指標(biāo)。
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