工程師:基于PT4201的離線式LED射燈設(shè)計(jì)方案
LED短路及采樣電阻短路保護(hù):
當(dāng)LED負(fù)載發(fā)生短路時(shí),光耦發(fā)光管兩端電壓等于輸出電壓,由于輸出功率很小因此整個(gè)系統(tǒng)工作是安全的。當(dāng)采樣電阻發(fā)生短路時(shí),由于光耦發(fā)光管兩端電壓為零,發(fā)光管不導(dǎo)通導(dǎo)致FB電壓快速爬升到保護(hù)閾值。在Rosc為100Kohm情況下,過32mS后PT4201將自動(dòng)關(guān)閉。工作頻率設(shè)定:
PT4201的Rosc引腳為設(shè)定PWM頻率提供了方便,用一個(gè)電阻接在Rosc引腳和GND之間可以對PWM頻率進(jìn)行設(shè)定(圖4)。PWM頻率與設(shè)定電阻之間的關(guān)系遵循以下關(guān)系:Fosc=6500/Rosc。FOSC單位KHz,Rosc單位Kohm。
圖4 工作頻率設(shè)定
PT4201在正常工作時(shí)會周期性地改變PWM工作頻率進(jìn)行頻率抖動(dòng),周期性改變的頻率把EMI傳導(dǎo)干擾擴(kuò)展到更寬的頻譜范圍內(nèi)從而降低了傳導(dǎo)段的EMI干擾。
電流采樣以及前沿消隱:
PT4201的CS引腳的功能之一是采樣外部MOSFET電流進(jìn)行電流斜率補(bǔ)償;二是提供逐周期的MOSFET過流保護(hù)功能。PT4201通過采樣與功率 MOSFET串聯(lián)的采樣電阻來采樣流過MOSFET的電流,流過MOSFET的電流在采樣電阻Rcs上轉(zhuǎn)換成電壓信號,CS上電壓和FB電壓共同決定了 PWM脈沖占空比。
在PWM每個(gè)導(dǎo)通周期當(dāng)CS引腳的電壓超過內(nèi)部門限電壓時(shí)MOSFET將立即被關(guān)掉防止過流對器件的損傷。過流門限電壓與MOSFET的電流可由以下關(guān)系確定:IOC=Voc/Rcs
其中IOC為MOSFET電流,Voc為過流門限電壓,Rcs為采樣電阻大小。內(nèi)部過流的門限值與PWM占空比大小有關(guān),當(dāng)PWM占空比為0時(shí),過流門限值為0.80V。
圖5 省略RC濾波器
由于變壓器副繞組整流電路反向恢復(fù)時(shí)間以及初級繞組寄生電容等因素影響,在每一個(gè)PWM周期開啟瞬間會在采樣電阻上產(chǎn)生一個(gè)持續(xù)時(shí)間很短的尖峰電壓。為此 PT4201會在MOSFET開啟后屏蔽CS采樣輸入一段時(shí)間TBLK,在這段時(shí)間內(nèi),過流保護(hù)被關(guān)閉不會關(guān)掉外部MOSFET。這樣可以避免 MOSFET開啟瞬間在采樣電阻上產(chǎn)生的電壓毛刺而造成誤動(dòng)作。PT4201提供的這種功能可以省去電流采樣電路所需的RC濾波器(圖5)。
VDD 過壓保護(hù)
當(dāng)系統(tǒng)發(fā)生嚴(yán)重故障時(shí),例如對于光耦開路或者反饋開路的情況,光耦輸出電流接近零致使FB端電壓上升。FB電壓上升將會使PT4201工作在過流保護(hù)狀態(tài),因?yàn)橛卸嘤嗟碾娏鞴┙o負(fù)載,如果超出了負(fù)載所需電流大小會使輸出電壓迅速爬升。由于輔助繞組的電壓與輸出電壓成一定的比例,輸出電壓升高引起輔助繞組電壓升高進(jìn)而使VDD電壓升高,當(dāng)PT4201檢測到VDD引腳電壓達(dá)到過壓保護(hù)點(diǎn)時(shí)會關(guān)閉PWM。當(dāng)OVP被觸發(fā)時(shí)由于沒有能量供給負(fù)載及輔助繞組,VDD 電壓和輸出電壓下降,當(dāng)降低到OVP解除電壓時(shí)將重新開啟正常工作。這時(shí)如果故障解除則正常工作,如果故障依然存在將重新進(jìn)入OVP保護(hù)狀態(tài)(圖6)。
圖6 VDD過壓保護(hù)
OUT輸出驅(qū)動(dòng):
PT4201的OUT腳用來驅(qū)動(dòng)功率MOSFET的柵極。優(yōu)化設(shè)計(jì)圖騰柱形式輸出的驅(qū)動(dòng)能力使驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和EMI得到良好的折衷。同時(shí),OUT的輸出高電位被限制到了18V,從而可以保護(hù)由于VDD升高可能對MOSFET造成的損傷。內(nèi)部OUT和GND之間有一個(gè)電阻,可以在芯片不工作時(shí)將外部MOSFET的柵極可靠置為0電位。基于PT4201的E27 3W離線式射燈方案
基于PT4201的E27 3W離線式射燈方案應(yīng)用線路是典型的反激式的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),采用副邊反饋(即光耦反饋),以提高輸出電流精度。相比于原邊反饋電路電流精度+-5%,副邊反饋的電路精度在+-2%以內(nèi),成本只增加了0.3RMB,但卻給大批量生產(chǎn)時(shí)提供了便利。
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