實現(xiàn)LED恒定電流的漸進啟動/停止電路技術(shù)
但是,計算外部電阻器時將其納入考慮范圍可適當補償這種壓降。PSPICE模型捕捉的波形展示了這種電路特性(圖4)。
PSPICE模型捕捉的波形
可以看到,關(guān)閉時的曲線比打開時平緩,原因是兩個時間段的參考電壓有很大不同。盡管這并非關(guān)鍵性問題,但一些應用可能需要更對稱的時序,可以將額外電阻連接到小信號二極管來實現(xiàn)。圖6根據(jù)圖5 PSPICE基本電路圖給出了波形,說明了通過接入D2和R8可以實現(xiàn)的性能。
典型應用如圖7所示,時序可以調(diào)整,以便應對不同的狀態(tài)。任何情況下,延遲電容(圖7電路圖中的C5)必須為陶瓷型,以減小漏電流,低成本的電解電容不適合在這應用。如前所述,無需MCU的額外輸入/輸出即可激發(fā)漸進時序,啟動信號即可實現(xiàn)兩種功能。
另一方面,電流參考電阻(圖7電路圖中的R3)減小到5.6 kΩ時,可補償晶體管Q1的Vcesat。
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圖8、圖9中的波形說明了采用Rb=1.3 MΩ/Cbe=2.2mF產(chǎn)生軟啟動時,輸出至4個LED的電流均為25 mA。當然,通過調(diào)整Rb/Cbe網(wǎng)絡可以增加或減小斜升延遲。但1.5 MΩ以上的Rb值將造成系統(tǒng)對環(huán)境噪聲敏感。如前所述,Cbe電容不可采用低成本電解電容,必須采用陶瓷型電容,以實現(xiàn)所期望的長時序。
可以采用小信號NMOS器件替代外部晶體管Q1,如BSS138。由于門極輸入不吸收電流,可以產(chǎn)生更大時延。雖然還可以采用更小的器件運行這種應用,但必須避免所選NMOS的大Rdson造成的非受控工作電流。實際上,對于Rdson額定值為5000Ω的器件,上述參數(shù)變化
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