一種LED點(diǎn)陣模塊的感光屏設(shè)計(jì)及系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)
根據(jù)光電效應(yīng),PN結(jié)在光的激勵下可以改變其電阻率,而LED也是PN結(jié),那么能否利用LED的PN結(jié)特性完成點(diǎn)陣感光屏呢?經(jīng)過簡單的實(shí)驗(yàn)探討,我們發(fā)現(xiàn)LED本身就具有很好的感光能力,這樣一來,感光屏就可以完全利用LED的感光特性來實(shí)現(xiàn)。本文就利用一塊8×8的點(diǎn)陣屏,結(jié)合C8051F020單片機(jī)實(shí)現(xiàn)了一塊具有感光功能的點(diǎn)陣屏,如圖1所示。
圖1
1 LED的感光原理
作為光電探測器的LED能夠工作在兩種檢測模式下:光伏模式(在外界光的作用下器件有產(chǎn)生電壓的能力)和光導(dǎo)模式(器件的導(dǎo)電性受外界光的控制)。在兩種檢測模式下產(chǎn)生的光電壓或者光電流通常大約是普通光電二極管的1/100~1/10,一般需要借助于運(yùn)放和ADC。而在沒有運(yùn)放和ADC的情況下,能否獲取LED的光電流呢?事實(shí)上利用二極管本身的內(nèi)電容(通常為pF級),帶有高阻態(tài)的三態(tài)雙向I/O口及內(nèi)部數(shù)字計(jì)數(shù)器的單片機(jī)也可以用來對其所產(chǎn)生的光電信號進(jìn)行很好的測量。
最簡單的實(shí)現(xiàn)的方法如圖2所示,通過單個LED的光延時來實(shí)現(xiàn)。它由一個LED連接兩個單片機(jī)的引腳構(gòu)成,LED發(fā)光的同時也測量入射光強(qiáng)并且表明是否超過預(yù)先已定義的閾值。
圖2
圖3
圖4
工作在感光模式下的LED被快速充電到+5 V(100~200 μs)。第一步如圖3所示,電荷被二極管的內(nèi)電容(通常為10~15 pF)所維持,然后,P1腳切換到高阻輸入模式(大約1015 Ω的阻抗)。第二步,在反向偏置條件下,LED的可以等效為一個電容與一個電流源iR(Φ)的并連,電流源中的電流為光電流,它隨光強(qiáng)Φ而變化,如圖4所示,P1腳的漏電流iL(很小,通常為0.002 pA)與通過二極管的在正常的環(huán)境光下產(chǎn)生的50 pA典型光電流iR(Φ)相比,可以忽略不計(jì)。經(jīng)過分析后,可知Cr的放電過程可以用以下公式來表達(dá):
若iR(Φ)是一常量,則上式可以變?yōu)椋?/P>
式(2)表明vP1(t)隨時間t 線性的減少到0,利用單片機(jī)的16位定時/計(jì)數(shù)器計(jì)時,每隔一段時間輪詢P1引腳輸入的邏輯電平vP1(t),直到變?yōu)檫壿嫛?”的門限電壓VTR (約2.2 V)為止。衰減時間Td(通常測得為μs級)與檢測到的光量成反比,由此,能夠計(jì)算出二極管的光電流iR(Φ)。經(jīng)分析,Td可以表示如下:
式中,NTCNT代表計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)的整數(shù)值,ftclk為計(jì)數(shù)器時鐘頻率,Np為縮放因子,fclk為主時鐘頻率。當(dāng)接收到的光量增加的時候,Td減小,二極管放電加快;而當(dāng)接收到的光量減少時,Td增加,二極管放電減慢。通過測量發(fā)光二極管的開和關(guān)的時間Td,能夠發(fā)現(xiàn)并補(bǔ)償環(huán)境光所導(dǎo)致的誤差。由ftclk即可測量Td,且可以通過選擇合適的Np來匹配單片機(jī)時鐘。
如果延遲時間長于或短于指定的門限值Tdcr(關(guān)鍵時間),LED接通并發(fā)光。比如通過閃爍來警告,第三步如圖3所示,單片機(jī)另外的一些引腳能被用來作為延時輸出或者光線控制PWM輸出。當(dāng)然,測出時間大小,是為了得到P1腳的電壓大小vP1(t),而事實(shí)上,對于實(shí)現(xiàn)感光點(diǎn)陣屏的來講,并不需要知道vP1(t)的具體大小,僅利用它來作為LED內(nèi)電容充放電時間的參考。根據(jù)以上分析可知,不管光強(qiáng)大小如何,衰減時間Td都很小,于是通過Td時間后的信號衰減,即可獲得高低電平信號。
2 感光屏系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)
2.1 器件選擇
根據(jù)以上原理,LED接收的入射光的波長與其發(fā)射光波長相等的時候,系統(tǒng)有最好的靈敏度,所以為了增強(qiáng)系統(tǒng)的靈敏度,采用發(fā)射光波長和點(diǎn)陣屏差不多的LED制作成發(fā)光筆。
對于點(diǎn)陣屏,選用了TOP23088DU與SZ420788K兩種不同大小的點(diǎn)陣模塊做對比測試。其中,TOP23088DU模塊的像素點(diǎn)LED直徑為5 mm,像素間距7.62×7 mm,模組尺寸 60.2×60.2 mm,像素點(diǎn)透明;SZ420788K模塊的像素點(diǎn)LED直徑為2 mm,像素間距 2.5×7 mm,模組尺寸 20.2 mm×20.2 mm,像素點(diǎn)半透明。兩種模塊通電測試均為共陰發(fā)紅色光的點(diǎn)陣模塊。
C8051F020 MCU是高集成度的混合信號片上系統(tǒng),有按 8 位端口組織的 64 個數(shù)字I/O引腳(C8051F020)。低端口(P0、P1、P2 和 P3)既可以按位尋址也可以按字節(jié)尋址。高端口(P4、P5、P6和 P7)只能按字節(jié)尋址。所有引腳都耐 5 V電壓,都可以被配置為漏極開路或推挽輸出方式和弱上拉。端口 I/O單元的原理框圖如圖5所示。
圖5
圖6
由圖5中I/O口結(jié)構(gòu)可知,C8051F020具有漏極開路狀態(tài),完全可以滿足測量所要求。2.2系統(tǒng)構(gòu)成考慮到實(shí)驗(yàn)的方便,用8×8點(diǎn)陣,并采用常見的行列式掃描結(jié)構(gòu),所以共需要16個I/O口,這里考慮使用P0、P1口。系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖6和圖7所示。
圖7
2.3 系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)
根據(jù)上述原理,結(jié)合具體的LED點(diǎn)陣屏,程序流程如圖8所示。
圖8
由圖6中的矩陣所示,先將P0口全部置高電平,然后輪流對每一列進(jìn)行置低電平、高阻態(tài)、延時、檢測是否為低電平、反轉(zhuǎn)點(diǎn)亮LED的操作,完成對8×8=64像素點(diǎn)陣的操作。由于單片機(jī)操作速度很快,而且LED的滾降時間很快,所以每完成一次操作,可以很快在點(diǎn)陣屏上形成一幅文字畫面。
3 測試結(jié)果
?、?兩種模塊的對比,通過對TOP23088DU與SZ420788K兩種不同大小的點(diǎn)陣模塊做對比測試發(fā)現(xiàn),由于TOP23088DU屏的像素點(diǎn)是全透明的像素點(diǎn),而SZ420788K雖小, 但像素點(diǎn)為半透明像素點(diǎn), TOP23088DU屏明顯對入射的紅光更為敏感,實(shí)現(xiàn)效果更好。
?、?功能實(shí)現(xiàn): 可用光筆在點(diǎn)陣屏上連續(xù)掃描, 觀察到點(diǎn)陣被點(diǎn)亮;可在點(diǎn)陣屏上寫入漢字筆畫擦除,逐個顯示及其移動;可以在屏上全部點(diǎn)亮后,通過掃描熄滅。用示波器觀察,可以明顯檢測到在充放電的一瞬間出現(xiàn)的脈沖電壓。
結(jié)語
本文所述的LED感光屏的具有操作簡單、成本低、穩(wěn)定性較好的優(yōu)點(diǎn)。利用PN結(jié)光電效應(yīng)的原理發(fā)掘了普通LED的更多功能,既可以作為發(fā)光元件,也可以作為感光元件,從而為開發(fā)低成本的多功能顯示屏提供了很好的參考。當(dāng)然,該感光屏也有些許不足,如點(diǎn)陣像素點(diǎn)較多時延時明顯,感光靈敏度、抗干擾性等也有待進(jìn)一步提高。
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