高亮度LED生產(chǎn)環(huán)節(jié)的全方位測試

高亮發(fā)光二極管（High brightness light emitting diodes，HBled）綜合具備了高輸出、高效率和長壽命等優(yōu)勢。制造商們正在開發(fā)可以實現(xiàn)光通量更高、壽命更長、色彩更豐富而且單位功率發(fā)光度更高的器件。要確保其性能和可靠性，就必須在生產(chǎn)的每個階段實施精確的、成本經(jīng)濟的測試。

　　圖1示出了典型的二極管的電I－V特性曲線。雖然一個完整的測試程序可以包括數(shù)百個點，但對一個有限的樣本的探查一般就足以提供優(yōu)值。許多HBLED測試需要以一個已知的電流信號源驅(qū)動器件并相應測量其電壓，或者反過來。同時具備了可同步動作的信號源和測量功能可以加速系統(tǒng)的設(shè)置并提升吞吐率。測試可以在管芯層次（圓片和封裝）或者模塊/子組件水平上進行。在模塊/子組件水平上，HBLED可以采取串聯(lián)和/或并聯(lián)方式；于是一般需要使用更高的電流，有時達50A或者更高，具體則取決于實際應用。有些管芯級的測試所用的電流在5～10A的范圍內(nèi)，具體取決于管芯的尺寸。

圖1 典型的HBLED DC I－V曲線和測試點（未按比例繪出）

　　1 正向電壓測試

　　要理解新的結(jié)構(gòu)單元材料，如石墨烯、碳納米管、硅納米線或者量子點，在未來的電子器件中是如何發(fā)揮其功效的，就必須采用那些能在很寬范圍上測量電阻、電阻率、遷移率和電導率的計測手段。這常常需要對極低的電流和電壓進行測量。對于那些力圖開發(fā)這些下一代材料并使之商業(yè)化的工程師而言，在納米尺度上進行精確的、可重復的測量的能力顯得極為重要。

　　2　漏電流測試

　　當施加一個低于擊穿電壓的反向電壓時，對HBLED兩端的漏電流（IL）的測量一般使用中等的電壓值。在生產(chǎn)測試中，常見的做法是僅確保漏電流不不至于超過一個特定的閾值。

　　3　提升HBLED的生產(chǎn)測試的吞吐率

　　過去，HBLED的生產(chǎn)測試的所有環(huán)節(jié)都由單臺PC來控制。換而言之，在測試程序的每個要素中，必須針對每次測試配置信號源和測量裝置，并在執(zhí)行預期的行動后，將書記返回給PC。控制PC根據(jù)通過/不通過的標準進行評估，并決定DUT應歸入哪一類。PC發(fā)送指令和結(jié)果返回PC的過程將耗費大量的時間。

　　最新一代的智能儀器，包括吉時利公司最新的大功率2651A系統(tǒng)信號源/測量儀（SourceMeter），由于可以最大限度減少通信的流量，從而可以大幅度提升測試吞吐率。測試程序的主體嵌入到儀器中的一個Test 處理器（TSP）中，該處理器是一個用于控制測試步驟的測試程序引擎，內(nèi)置通過/不通過標準、計算和數(shù)字I/O的控制。一個TSP可以將用戶定義的測試程序存放到存儲器中，并根據(jù)用戶需要來執(zhí)行該程序，從而減少了測試程序中每個步驟的建立和配置時間。

4　單器件的LED測試系統(tǒng)

　　元器件操控器將單個HBLED（或者一組HBLED）運送到一個測試夾具上，夾具可以屏蔽環(huán)境光，且內(nèi)帶一個用于光測量的光電探測器（PD）。需要使用兩個SMU：SMU#1向HBLED提供測試信號，并測量其電響應；SMU#2則在光學測量過程中檢測光電探測器。

　　測試程序可以被編程設(shè)定為，在一根來自于元器件操控器的數(shù)字信號線作為“測試啟動”（SOT）控制下啟動。當儀器探測到該信號時，測試程序啟動。一旦執(zhí)行完畢，則讓元器件操縱器的一條數(shù)字信號線發(fā)出“測試完畢”的標志。此外，儀器的內(nèi)建智能可以執(zhí)行所有的通過/不通過操縱并通過儀器的數(shù)字I/O端口發(fā)送數(shù)字指令至元器件操縱器，以便讓HBLED能根據(jù)通過/不通過標準來對HBLED進行分類。于是可以通過編程讓兩個動作同時執(zhí)行：數(shù)據(jù)傳送至PC進行統(tǒng)計處理，而同時一個新的DUT運送到測試夾具上。

　　5　光學測試

　　光學測量中也需要使用正向電流偏置，因為電流與HBLED的發(fā)光量密切相關(guān)?？梢杂霉怆姸O管或者積分球來捕捉發(fā)射的光子，從而可以測量光功率?？梢詫l(fā)光變換為一個電流，并用電流計或者一個信號源－測量單元的單個通道來測量該電流。

　　6　反向擊穿電壓測試

　　對HBLED施加的反向偏置電流可以實現(xiàn)反向擊穿電壓（VR）的測試。該測試電流的設(shè)置應當使所測得的電壓值不再隨著電流的輕微增加而顯著上升。在更高的電壓下，反向偏置電流的大幅增加所造成的反向電壓的變化并不顯著。VR的測試方法是，在一段特定時間內(nèi)輸出低反向偏置電流，然后測量HBLED兩端的電壓降。其結(jié)果一般為數(shù)十伏特。