LED照亮一切 如何掌握好與發(fā)光效率的平衡?
掌握好與發(fā)光效率的平衡
除了提高發(fā)光效率外,led廠商加速開發(fā)的項(xiàng)目大致還有五項(xiàng)。即:白色LED的“成本競(jìng)爭(zhēng)力”、高溫下性能不會(huì)降低的“溫度穩(wěn)定性”、可用于照明的高“顯色指數(shù)”、白色LED產(chǎn)品間的色調(diào)“均勻性”、單位封裝可輸出的“光通量的大小”(圖1)。所有這些項(xiàng)目與發(fā)光效率均屬于此消彼長(zhǎng)關(guān)系,要想與發(fā)光效率取得平衡,需要仔細(xì)處理。
圖1:僅憑借高效率不會(huì)成為暢銷產(chǎn)品
LED廠商要想滿足市場(chǎng)要求,除了可實(shí)現(xiàn)200lm/W以上發(fā)光效率的技術(shù)實(shí)力外,還需要追求成本競(jìng)爭(zhēng)力、溫度穩(wěn)定性、顯色指數(shù)、光的均勻性以及單位白色LED的光通量大小。
“成本競(jìng)爭(zhēng)力”的關(guān)鍵是降低占白色LED成本約6成的藍(lán)色LED芯片的制造成本(圖2)。其常規(guī)方法是擴(kuò)充生產(chǎn)線。不過,單憑這一點(diǎn)并不能解決問題。在白色LED的開發(fā)方面領(lǐng)先一步的日美歐老牌LED廠商提出的方法是,縮小藍(lán)色LED芯片的尺寸。即增加一個(gè)晶圓上可制成的芯片數(shù)量。
圖2:白色LED的成本構(gòu)造
在白色LED的各種成本中,LED芯片占整體的一多半,為62%。(圖:DisplaySearch)
在亮度單價(jià)比照明用途還要低20~30%、正進(jìn)行激烈價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)的大尺寸液晶面板背照燈用途中,不同LED廠商間在芯片尺寸上已經(jīng)出現(xiàn)明顯差異(圖3)。與韓國(guó)廠商的產(chǎn)品相比,日亞化學(xué)工業(yè)的芯片尺寸只有韓國(guó)廠商的1/3~1/2左右。芯片的小型化今后也許還會(huì)波及到競(jìng)爭(zhēng)不斷激化的照明用途。
圖3:LED芯片的尺寸差別大
對(duì)各公司輸入功率相同的白色LED進(jìn)行調(diào)查后發(fā)現(xiàn),使用的藍(lán)色LED芯片的尺寸差別很大。例如,與韓國(guó)廠商的產(chǎn)品相比,日亞化學(xué)工業(yè)的0.1W產(chǎn)品只有其1/3左右,0.5W產(chǎn)品只有其1/2左右。(圖由本站根據(jù)DisplaySearch的資料制作)
提高電流密度縮小芯片尺寸
如果縮小了芯片尺寸,為獲得相同亮度就需要提高輸入給藍(lán)色LED芯片的電流密度。不過,此時(shí)存在電流密度越高,LED芯片的發(fā)光效率越低的“衰退(droop)現(xiàn)象”,因此能量損失會(huì)變大。要想縮小芯片尺寸,就需要設(shè)法減弱這種衰退現(xiàn)象。
減輕衰退現(xiàn)象不僅對(duì)想要降低制造成本的LED廠商有利,對(duì)于白色LED的用戶也有好處。原因是,可在抑制能源效率降低的同時(shí),削減部件成本。提高輸入白色LED的電流可增加單位亮度,由此能減少產(chǎn)品配備的白色LED個(gè)數(shù)(圖4)。
圖4:提高在高電流密度下的特性
LED一般是電流密度越高發(fā)光效率越低。抑制這種衰退現(xiàn)象無論是對(duì)LED用戶還是對(duì)制造商來說都有好處。例如,對(duì)用戶來說,即使增加單位LED的輸入功率也能獲得高能源效率,因此可減少安裝在照明器具上的LED個(gè)數(shù)。對(duì)于制造商來說,能以更小的芯片面積獲得相同亮度的LED芯片,因此可降低LED芯片的制造成本。
在照明用白色LED中,目前已經(jīng)有產(chǎn)品采用了減輕衰退現(xiàn)象的技術(shù)。例如,德國(guó)歐司朗光電半導(dǎo)體(OSRAM Opto Semiconductors)的“UX:3”技術(shù)通過抑制衰退現(xiàn)象,將輸入350mA電流時(shí)的光輸出較原來提高了約10%。輸入電流越大該差值越明顯。
飛利浦流明在最新白色LED使用的藍(lán)色LED芯片中,使輸入1A電流時(shí)(芯片尺寸為1mm見方)的外部量子效率(內(nèi)部量子效率和光提取效率的乘積)達(dá)到了59%,與峰值相比抑制了約8個(gè)百分點(diǎn)的降低。如果不抑制衰退現(xiàn)象,通常會(huì)降低20個(gè)百分點(diǎn)左右。
利用均勻流過的電流抑制衰退現(xiàn)象
使電流密度在藍(lán)色LED芯片面內(nèi)均勻流過、改進(jìn)發(fā)光層使用的量子阱構(gòu)造以及提高結(jié)晶品質(zhì)等均為抑制衰退現(xiàn)象發(fā)揮了作用。
例如,歐司朗的UX:3技術(shù)將藍(lán)色LED芯片表面設(shè)置的n型接觸電極轉(zhuǎn)移到芯片內(nèi)部,使芯片面內(nèi)的電流密度均勻化(圖5)。電流密度局部較高的情況消失,由此減輕了電流密度越高表現(xiàn)越明顯的“俄歇復(fù)合”現(xiàn)象。俄歇復(fù)合是指,不會(huì)產(chǎn)生發(fā)光現(xiàn)象的電子與空穴的復(fù)合。抑制該現(xiàn)象有助于提高內(nèi)部量子效率。
圖5:通過改變電極構(gòu)造和配置減輕衰退現(xiàn)象
歐司朗光電開發(fā)的LED技術(shù)“UX:3”通過將n型接觸電極移動(dòng)到LED芯片內(nèi)部,使流經(jīng)LED芯片的電流密度在面內(nèi)均勻化(a)。如果輸入LED芯片的電流相同,可大幅減少局部電流密度升高的位置。由此,可抑制電流密度增加引起的俄歇復(fù)合現(xiàn)象,因此,可較原來進(jìn)一步提高輸入電流量增加時(shí)的發(fā)光強(qiáng)度(b)。(圖:歐司朗光電)
改進(jìn)量子阱構(gòu)造是指,即使電流密度提高也能持續(xù)有效到達(dá)電子與空穴復(fù)合的位置。各大LED廠商沒有公開將其具體應(yīng)用在產(chǎn)品中的方法,不過歐司朗日本表示,對(duì)量子阱構(gòu)造“阻擋層的帶隙大小和阱層寬度等進(jìn)行了改進(jìn)”。
還有觀點(diǎn)指出,今后要想進(jìn)一步提高電流密度,需要減少藍(lán)色LED芯片GaN系半導(dǎo)體結(jié)晶的結(jié)晶缺陷?!半m然此前一直認(rèn)為結(jié)晶缺陷數(shù)基本不會(huì)影響GaN系LED的發(fā)光,但那是在電流密度較低時(shí)的情況。在高電流密度下就會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重影響”(飛利浦流明日本)。通過將用于結(jié)晶成長(zhǎng)的基板由目前的藍(lán)寶石替換為GaN可以減少結(jié)晶缺陷。不過,GaN基板的價(jià)格目前高達(dá)藍(lán)寶石基板的10倍以上,要想普及還需要時(shí)間。
評(píng)論