關于光通信模塊中電磁兼容結構的研究與設計
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圖3改善前水平方向測試圖
表1改善前水平方向測試數(shù)據(jù)改善后的XFP模塊電磁騷擾場強在水平方向的測試結果如圖4和表2所示：
圖4 改善后水平方向測試圖
表2改善后水平方向測試數(shù)據(jù)
由以上測試數(shù)據(jù)可見，改善后的電磁騷擾場強最大峰值下降了近2dBμV/m，平均值下降了近6dBμV/m。
4 結束語
在光收發(fā)合一模塊的結構設計中，必須要將電磁屏蔽設計作為重點考慮的內(nèi)容。具體展開屏蔽設計時，應先確定騷擾源的特征，再選擇合適的屏蔽材料，然后結合適當?shù)钠帘畏绞揭郧筮_到最佳的屏蔽效果。通過樣品的測試結果表明，模塊的電磁兼容性能得到了很大的改善，且模塊各項工作性能指標沒有受到任何影響。
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