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基于電源生產(chǎn)流程的開關(guān)電源發(fā)展過程中的十個技術(shù)焦點(diǎn)

作者: 時間:2013-12-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
rd-wrap: break-word; text-indent: 2em; line-height: 24px; color: rgb(62, 62, 62); font-family: Tahoma, Arial, sans-serif; font-size: 14px; text-align: justify; ">二是應(yīng)用壓電變壓器。應(yīng)用壓電變壓器可使高頻功率變換器實現(xiàn)輕、小、薄和高功率密度。壓電變壓器利用壓電陶瓷材料特有的“電壓-振動”變換和“振動-電壓”變換的性質(zhì)傳送能量,其等效電路如同一個串并聯(lián)諧振電路,是功率變換領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/227216.htm

三是采用新型電容器。為了減小電力電子設(shè)備的體積和重量,須設(shè)法改進(jìn)電容器的性能,提高能量密度,并研究開發(fā)適合于電力電子及電源系統(tǒng)用的新型電容器,要求電容量大、等效串聯(lián)電阻ESR小、體積小等。

焦點(diǎn)三:高頻磁與同步整流技術(shù)

電源系統(tǒng)中應(yīng)用大量磁元件,高頻磁元件的材料、結(jié)構(gòu)和性能都不同于工頻磁元件,有許多問題需要研究。對高頻磁元件所用磁性材料有如下要求:損耗小,散熱性能好,磁性能優(yōu)越。適用于兆赫級頻率的磁性材料為人們所關(guān)注,納米結(jié)晶軟磁材料也已開發(fā)應(yīng)用。

高頻化以后,為了提高的效率,必須開發(fā)和應(yīng)用軟開關(guān)技術(shù)。它是過去幾十年國際電源界的一個研究熱點(diǎn)。

對于低電壓、大電流輸出的軟開關(guān)變換器,進(jìn)一步提高其效率的措施是設(shè)法降低開關(guān)的通態(tài)損耗。例如同步整流SR技術(shù),即以功率MOS管反接作為整流用開關(guān)二極管,代替蕭特基二極管(SBD),可降低管壓降,從而提高電路效率。

焦點(diǎn)四:分布電源結(jié)構(gòu)

分布電源系統(tǒng)適合于用作超高速集成電路組成的大型工作站(如圖像處理站)、大型數(shù)字電子交換系統(tǒng)等的電源,其優(yōu)點(diǎn)是:可實現(xiàn)DC/DC變換器組件模 塊化;容易實現(xiàn)N+1功率冗余,提高系統(tǒng)可靠性;易于擴(kuò)增負(fù)載容量;可降低48V母線上的電流和電壓降;容易做到熱分布均勻、便于散熱設(shè)計;瞬態(tài)響應(yīng)好; 可在線更換失效模塊等。

現(xiàn)在分布電源系統(tǒng)有兩種結(jié)構(gòu)類型,一是兩級結(jié)構(gòu),另一種是三級結(jié)構(gòu)。

焦點(diǎn)五:PFC變換器

由于AC/DC變換電路的輸入端有整流元件和濾波電容,在正弦電壓輸入時,單相整流電源供電的電子設(shè)備,電網(wǎng)側(cè)(交流輸入端)功率因數(shù)僅為 0.6~0.65。采用PFC(功率因數(shù)校正)變換器,網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)可提高到0.95~0.99,輸入電流THD小于10%。既治理了電網(wǎng)的諧波污染,又 提高了電源的整體效率。這一技術(shù)稱為有源功率因數(shù)校正APFC單相APFC國內(nèi)外開發(fā)較早,技術(shù)已較成熟;三相APFC的拓?fù)漕愋秃涂刂撇呗噪m然已經(jīng)有很多種,但還有待繼續(xù)研究發(fā)展。

一般高功率因數(shù)AC/DC,由兩級拓?fù)浣M成,對于小功率AC/DC來說,采用兩級拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)總體效率低、成本高。

如果對輸入端功率因數(shù)要求不特別高時,將PFC變換器和后級DC/DC變換器組合成一個拓?fù)?,?gòu)成單級高功率因數(shù)AC/DC開關(guān)電源,只用一個主開關(guān)管,可使功率因數(shù)校正到0.8以上,并使輸出直流電壓可調(diào),這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)稱為單管單級即S4PFC變換器。

焦點(diǎn)六:電壓調(diào)節(jié)器模塊VRM

電壓調(diào)節(jié)器模塊是一類低電壓、大電流輸出DC-DC變換器模塊,向微處理器提供電源。現(xiàn)在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的速度和效率日益提高,為降低微處理器IC的 電場強(qiáng)度和功耗,必須降低邏輯電壓,新一代微處理器的邏輯電壓已降低至1V,而電流則高達(dá)50A~100A,所以對VRM的要求是:輸出電壓很低、輸出電流大、電流變化率高、快速響應(yīng)等。

焦點(diǎn)七:全數(shù)字化控制

電源的控制已經(jīng)由模擬控制,模數(shù)混合控制,進(jìn)入到全數(shù)字控制階段。全數(shù)字控制是一個新的發(fā)展趨勢,已經(jīng)在許多功率變換設(shè)備中得到應(yīng)用。

但是過去數(shù)字控制在DC/DC變換器中用得較少。近兩年來,電源的高性能全數(shù)字控制芯片已經(jīng)開發(fā),費(fèi)用也已降到比較合理的水平,歐美已有多家公司開發(fā)并制造出開關(guān)變換器的數(shù)字控制芯片及軟件。

全數(shù)字控制的優(yōu)點(diǎn)是:數(shù)字信號與混合模數(shù)信號相比可以標(biāo)定更小的量,芯片價格也更低廉;對電流檢測誤差可以進(jìn)行精確的數(shù)字校正,電壓檢測也更精確;可以實現(xiàn)快速,靈活的控制設(shè)計。

焦點(diǎn)八:電磁兼容性

高頻開關(guān)電源的電磁兼容EMC問題有其特殊性。功率半導(dǎo)體開關(guān)管在開關(guān)過程中產(chǎn)生的di/dt和dv/dt,引起強(qiáng)大的傳導(dǎo)電磁干擾和諧波干擾。有 些情況還會引起強(qiáng)電磁場(通常是近場)輻射。不但嚴(yán)重污染周圍電磁環(huán)境,對附近的電氣設(shè)備造成電磁干擾,還可能危及附近操作人員的安全。同時,電力電子電路(如開關(guān)變換器)內(nèi)部的控制電路也必須能承受開關(guān)動作產(chǎn)生的EMI及應(yīng)用現(xiàn)場電磁噪聲的干擾。上述特殊性,再加上EMI測量上的具體困難,在電力電子的電磁兼容領(lǐng)域里,存在著許多交叉科學(xué)的前沿課題有待人們研究。國內(nèi)外許多大學(xué)均開展了電力電子電路的電磁干擾和電磁兼容性問題的研究,并取得了不少可喜成果。近幾年研究成果表明,開關(guān)變換器中的電磁噪音源,主要來自主開關(guān)器件的開關(guān)作用所產(chǎn)生的電壓、電流變化。變化速度越快,電磁噪音越大。焦點(diǎn)九:設(shè)計和測試技術(shù)

建模、仿真和CAD是一種新的設(shè)計工

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