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【技術(shù)視點】開關(guān)電源設(shè)計原理及全過程

作者: 時間:2013-10-04 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
ans-serif; font-size: 14px; line-height: 26px; background-color: rgb(255, 255, 255); ">  180V/60Hz=0.86V

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/228118.htm

  230V/60Hz=0.88V

  264V/63Hz=0.91V

  4.1.1.2DutyCycle,fT:

  4.1.1.3Vin(min)=100V(90V/47Hzfullload)

  4.1.1.4Stress(264V/63Hzfullload):

  Q1MOSFET:

  4.1.1.5輔助電源(開機,滿載)、短路Pinmax.:

  4.1.1.6Static(fullload)

  Pin(w)Iin(A)Iout(A)Vout(V)P.F.Ripple(mV)Pout(w)eff

  90V/47Hz18.70.3643.300.573213.2270.7

  115V/60Hz18.603143.300.522813.2271.1

  132V/60Hz18.60.2843.300.502913.2271.1

  180V/60Hz18.70.2143.300.493013.2370.7

  230V/60Hz18.90.1843.300.462913.2269.9

  264V/60Hz19.20.1643.300.452913.2368.9

  4.1.1.7FullRange負載(0.3A-4A)

  (驗證是否有振蕩現(xiàn)象)

  4.1.1.8回授失效(輸出輕載)

  Vout=8.3Vê90V/47Hz

  Vout=6.03Vê264V/63Hz

  4.1.1.9O.C.P.(過電流保護)

  90V/47Hz=7.2A

  264V/63Hz=8.4A

  4.1.1.10Pin(max.)

  90V/47Hz=24.9W

  264V/63Hz=27.1W

  4.1.1.11Dynamictest

  H=4A,t1=25ms,slewRate=0.8A/ms(Rise)

  L=0.3A,t2=25ms,slewRate=0.8A/ms(Full)

  90V/47Hz

  264V/63Hz

  4.1.1.12HI-POTtest:

  HI-POTtest一般可分為兩種等級:  輸入為3Pin(有FG者),HI-POTtest為1500Vac/1?minute.Y-CAP使用Y2-CAP

  輸入為2Pin(無FG者),HI-POTtest為3000Vac/1?minute.Y-CAP使用Y1-CAP

  DA-14B33屬於輸入3PINHI-POTtest為1500Vac/1minute.

  4.1.1.13Groundingtest:

  輸入為3Pin(有FG者),一般均要測接地阻(Groundingtest),安規(guī)規(guī)定FG到輸出線材(輸出端)的接地電阻不能超過100MΩ(2.5mA/3Second)。

  4.1.1.14溫昇記錄

  設(shè)計實驗定案後(暫定),需針對整體溫昇及EMI做評估,若溫昇或EMI無法符合規(guī)格,則需重新實驗。溫昇記錄請參考附件,D5原來使用BYV118(10A/40VSchottkybarrier肖特基二極管),因溫昇較高改為PBYR1540CTX(15A/40V)。

  4.1.1.15EMI測試:

  EMI測試分為二類:

  Conduction(傳導(dǎo)干擾)

  Radiation(幅射干擾)

  前者視規(guī)范不同而有差異(FCC:450K-30MHz,CISPR22:150K-30MHz),前者可利用廠內(nèi)的頻譜分析儀驗證;後者(范圍由30M-300MHz,則因廠內(nèi)無設(shè)備必須到實驗室驗證,Conduction,Radiation測試資料請參考附件).

  4.1.1.16機構(gòu)尺寸:



關(guān)鍵詞: 開關(guān)電源 PWM 晶體管

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