造成系統(tǒng)毀損及耗能的浪涌電流
它們也有兩種不同類型,負(fù)溫度系數(shù) (negative temperature coefficient;NTC) 與正溫度系數(shù)(positive temperature coefficient;PTC)。NTC熱敏電阻的電阻隨著溫度升高而降低,而PTC熱敏電阻器的電阻則隨著溫度升高而升高。故在設(shè)計中可以將PTC及NTC串結(jié)以減少溫度變化造成阻尼改變的影響。
圖六 : 有效限制浪涌?流的串??阻?路
圖七 : 標(biāo)準(zhǔn)的熱敏電阻溫度曲線
再據(jù)交流-直流(AC-DC)電源如圖7為例說明其架構(gòu)及量測出來的inrush current波形,顯示出的EMI X-電容僅為約1.0μF,導(dǎo)致浪涌電流主要是內(nèi)部大容量電容器,故需于前端放置NTC電阻來降低其浪涌電流其電流圖如圖8~9分別依交流115V及230V量測電流的結(jié)果 。
圖八 : 標(biāo)準(zhǔn)的AC-DC內(nèi)置熱敏電阻的電源方塊圖
圖九 : 輸入為AC115V/90。 的電流waveform CH1: Vin (100V/div), CH2: Iin (10A/div),
圖十 : 輸入為AC230V/90。 的電流waveform CH1: Vin (100V/div), CH2: Iin (10A/div),
第二種就是主動式限制浪涌電流(Active Inrush Limiting),其等效電路如圖10所示。這個電路在電源端負(fù)極使用一個MOS場效應(yīng)管(MOSFET)系列器件Q1。Q1通過R2拉低其門限電壓,通常是斷開的。當(dāng)施加輸入電壓時,通過R1為柵極充電。
Q1的充電時間和開啟時間將由于C1的存在而減慢??梢赃x用R1和C1來為輸入電容緩慢充電,來限制浪涌電流。在輸入電容充好后,Q1柵極將會充電,直至被齊納(穩(wěn)壓)二極管(Zener Diode)限制,然后Q1將保持完全開啟。
圖十一 : 有效限制浪涌電流的串聯(lián)晶體管離散電
這個電路可以修改為將Q1 放置正極。 P channel MOS場效應(yīng)管或者N channel MOS場效應(yīng)管都可用,但是需使用由充電泵(charge pump)或者隔離供給(isolated supply)來驅(qū)動?xùn)艠O。另外還存在其他一些有效的浪涌限制電路。他們均在輸入電源端使用一些串聯(lián)組件且以幾乎相同的方式發(fā)揮作用。很重要的是一旦輸入電容器被充電,這些裝置應(yīng)被旁路或完全開啟,以限制線阻抗和功率耗損。
筆者另外研究了PULS電源采用一個新的方法,即透過延后開啟(Soft start)有效的降低其脈沖充電對電解電容充電的電流,其電路示意圖如圖11透過控制MOSFET對電解電容充電及飛輪二極管放電的有效限制浪涌電流串聯(lián)線路,其量測的結(jié)果如圖12一般采用NTC與采用延后開啟(Soft start)的inrush current波形圖,透過延后開啟有效控制了浪涌電流降至3安培。
圖十二 : 延后開?(Soft start)電路圖
圖十三 : 一般采用NTC 與采用延後開?(Soft start)的inrush current 波形圖
浪涌電流量測方式
直流浪涌尖峰電流量測需透過直流供應(yīng)器先充飽電容治具,電容治具(電容治具的容值必須大于待測物(DUT)機(jī)器內(nèi)部輸入電容值的10倍以上) 。
電容治具與待測物間, 需串結(jié)電阻以量測其電壓值來換算成電流值,當(dāng)開關(guān)啟動時就可以取得浪涌尖峰電流,開關(guān)最好使用低Ron值的MOSFET,因使用Relay 或著SSR固態(tài)功率開關(guān)(solid state relay) 會?生彈跳造成量測不準(zhǔn),其接線方式如圖13浪涌尖峰電流量測接線圖。
打開電源供應(yīng)器,先對電容充電,此時開關(guān)應(yīng)為OFF,等待約20秒鐘,打開開關(guān)使DUT開機(jī),并在數(shù)字示波器上擷取到波形。將在數(shù)字示波器擷取到的波形,調(diào)整其電流尺度使其可在畫面顯示出最大尺度,接著量測電壓最大值,電流最大值,以及打開光標(biāo)將游標(biāo)停留至1ms,并儲存波形,其量測的波形如圖14波形圖。
測試條件:
●環(huán)境條件:溫度25℃相對濕度65%
●測試條件:輸入電壓以產(chǎn)品規(guī)格之全電壓頻率范圍 Min/115Vac/230Vac/Max
●輸出負(fù)載以產(chǎn)品規(guī)格之最大
評論