基于L6562的高功率因數(shù)boost電路的設(shè)計(jì)
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時(shí)間：2013-06-22
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設(shè)Ku=0．3，δBmax=0．3T，由(4)式計(jì)算得：
AP_req(min)=6．64×10-10m4
這樣，可選擇磁芯EE16／6／5，其AP=7．5×10-10m4，可滿足設(shè)計(jì)要求；而由(5)式計(jì)算得Np=218．1匝，取215匝，并驗(yàn)證δBmax=0．304T，氣隙lgap=0．41 mm。
根據(jù)以上計(jì)算參數(shù)所搭建的試驗(yàn)?zāi)Ｐ蛠?lái)進(jìn)行的結(jié)果如圖6所示。
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由圖6可見，輸入電流能良好的跟隨輸入電壓，且電流電壓相位差接近于零，故可實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)的控制。另外，MOSFET的電流是一種高頻三角波，其包絡(luò)為輸入電壓。由于MOSFET可實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)，能有效減小開關(guān)損耗。根據(jù)測(cè)試結(jié)果，該電路的PF可達(dá)0．998以上，THD在5％以下。
5 結(jié)束語(yǔ)
本文基于L6562芯片設(shè)計(jì)了Boost高功率因數(shù)電路，并引用AP法則設(shè)計(jì)其關(guān)鍵元器件——Boost電感。經(jīng)試驗(yàn)驗(yàn)證，該電路啟動(dòng)電流小，外圍元器件少，成本低廉，能同時(shí)滿足電源系統(tǒng)重量輕，穩(wěn)定性好，可靠性高等要求。實(shí)驗(yàn)證明，AP法則是一種快速準(zhǔn)確的設(shè)計(jì)方法。
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