基于L6562的高功率因數(shù)boost電路的設計
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設Ku=0．3，δBmax=0．3T，由(4)式計算得：
AP_req(min)=6．64×10-10m4
這樣，可選擇磁芯EE16／6／5，其AP=7．5×10-10m4，可滿足設計要求；而由(5)式計算得Np=218．1匝，取215匝，并驗證δBmax=0．304T，氣隙lgap=0．41 mm。
根據(jù)以上計算參數(shù)所搭建的試驗模型來進行的結果如圖6所示。
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由圖6可見，輸入電流能良好的跟隨輸入電壓，且電流電壓相位差接近于零，故可實現(xiàn)高功率因數(shù)的控制。另外，MOSFET的電流是一種高頻三角波，其包絡為輸入電壓。由于MOSFET可實現(xiàn)軟開關，能有效減小開關損耗。根據(jù)測試結果，該電路的PF可達0．998以上，THD在5％以下。
5 結束語
本文基于L6562芯片設計了Boost高功率因數(shù)電路，并引用AP法則設計其關鍵元器件——Boost電感。經試驗驗證，該電路啟動電流小，外圍元器件少，成本低廉，能同時滿足電源系統(tǒng)重量輕，穩(wěn)定性好，可靠性高等要求。實驗證明，AP法則是一種快速準確的設計方法。
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