高頻開關(guān)的集成電路直接驅(qū)動(dòng)
?。?)應(yīng)用條件。驅(qū)動(dòng)芯片的浮地端可以與MOSFET源端同電位相連,驅(qū)動(dòng)芯片PWM功率輸出級(jí)能拉、灌電流500 mA,一般可以直接驅(qū)動(dòng)數(shù)十安的MOSFET和IGBT。
?。?)電路,其電路如圖1所示,其中V3為被驅(qū)動(dòng)的MOSFET,V1提供“拉”電流,V2提供“灌”電流。R1(5~10Ω)用米限制峰值電流,以減小尖峰干擾。R2為靜態(tài)放電電阻(1≈100 kΩ),電路不通電時(shí),保證CGS處在無(wú)電壓狀態(tài),以防止V3長(zhǎng)期處于導(dǎo)通狀態(tài),并使柵-源之間處在低電阻狀態(tài),不易受到外界的干擾,或使柵一源擊穿。
圖1直接驅(qū)動(dòng)電路
評(píng)論