PWM DC/DC轉(zhuǎn)換器肖特基二極管(SBD)
肖特基(Schottky)二極管是將金屬層沉積在N型硅的薄薄外延層上,利用金屬和半導(dǎo)體之間的接觸勢(shì)壘獲得單向?qū)щ娮饔?,相?dāng)于PN結(jié)。這個(gè)接觸面稱為“金屬半導(dǎo)體結(jié)”。肖特基二極管的全名應(yīng)為肖特基勢(shì)壘二極管(Schottky Barrier Diode,SBD)?,F(xiàn)有的大多數(shù)肖特基二極管都是用硅(51)半導(dǎo)體材料,新材料碳化硅(SiC)的SBD也已被應(yīng)用。
1)硅SBD的特點(diǎn)
正向壓降比PN結(jié)二極管低,約為后者的1/2~1/3,典型值為0.45~0.55V,新型低壓的可以低達(dá)0.32V;反向電壓較低,在數(shù)十伏以下的較多(最高200 V),適用于低電壓的電路中。
2)硅SBD的關(guān)斷速度
硅MD的關(guān)斷速度極快,屬于快恢復(fù)二極管,其整流作用僅取決于多數(shù)載流子的漂移現(xiàn)象,沒(méi)有多余的少數(shù)載流子,無(wú)存儲(chǔ)效應(yīng),不存在正向和反向恢復(fù)現(xiàn)象,trr僅是勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間,故函小于相同額定的結(jié)型二極管,而且與反向di/dt無(wú)關(guān)。反向恢復(fù)時(shí)間trr約為10ns數(shù)量級(jí)。
3)硅SBD的缺點(diǎn)
硅SBD的缺點(diǎn)是反向漏電流比結(jié)型二極管大得多,結(jié)電容也較大。
4)碳化硅肖特基二極管
碳化硅肖特基二極管的最高反向電壓能達(dá)到2200V;已在市場(chǎng)上見(jiàn)到的有600V、1200V、1700V的產(chǎn)品,正向壓降約為1V。
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