超低IQ LDO穩(wěn)壓器的選擇技巧

　　電子應(yīng)用設(shè)計人員現(xiàn)今面臨的一項極重要挑戰(zhàn)是將電子系統(tǒng)能耗降至最低。為了達(dá)到此目的，大多數(shù)系統(tǒng)利用不同的低功率模式，幫助降低整體功耗。在利用不同工作模式時，系統(tǒng)供電電流差異極大，低者如休眠模式下僅為數(shù)微安（μA）或不足1微安，高者如完整功率模式下達(dá)數(shù)十毫安（mA）甚至數(shù)百毫安。低壓降線性穩(wěn)壓器（通常簡稱為LDO）是任何電源系統(tǒng)的常見構(gòu)建模塊，而線性穩(wěn)壓器的選擇對系統(tǒng)總體能耗有重要影響。不僅如此，系統(tǒng)設(shè)計常常要求LDO不僅具有超低靜態(tài)電流特性，還應(yīng)當(dāng)提供良好的動態(tài)性能，確保提供穩(wěn)定及無噪聲的電壓輸入端，適合敏感電路應(yīng)用。這些要求還常常相互排斥，為IC設(shè)計人員帶來切實的挑戰(zhàn)。因此，市場上同時滿足兩方面要求的LDO為數(shù)不多。

　　本文將探討在選擇LDO時需要在提供低IQ與良好動態(tài)性能之間進(jìn)行的折衷，及現(xiàn)時一些能達(dá)至可接受的平衡的技巧。

　　選擇LDO時要顧及的因素

　　為低功率應(yīng)用選擇線性穩(wěn)壓器時，工程師主要搜尋符合他們輸入電壓及輸出電流規(guī)格的超低IQ（本文的定義是靜態(tài)電流IQ15 μA） LDO.當(dāng)根據(jù)IQ規(guī)格來進(jìn)行選擇可提供一些很好的LDO電流消耗相關(guān)的初始信息，但I(xiàn)Q相同或近似的兩款LDO在動態(tài)性能方面可能差異很大。如果我們回想起來IQ的定義是沒有施加任何負(fù)載條件下的接地電流消耗，那么IQ就變成一個實際參數(shù)了。在實際案例中，可能更適宜于查看極輕載條件下的接地電流消耗（數(shù)微安至數(shù)百微安）。需要說明的是，在評估不同制造商的各種LDO產(chǎn)品后，不難發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)表中的IQ規(guī)格僅針對的是完美的空載條件，而非較真實的10至100 μA輸出負(fù)載。某些時候，知道與輸入電壓或溫度相關(guān)的接地電流特性也有實質(zhì)意義。市場上某些穩(wěn)壓器在輸入電壓下降時接地電流明顯增大，LDO進(jìn)入其壓降區(qū)。在選擇用于電池供電設(shè)備的LDO時，這可能是重要因素。其它意料之外的電流消耗可能對產(chǎn)品有負(fù)責(zé)影響，大幅縮短電池使用時間。如果應(yīng)用在大部分時間處于空閑或休眠狀態(tài)，僅消耗極小電流，這種意料之外的影響就尤為嚴(yán)重了。設(shè)計人員應(yīng)常閱讀數(shù)據(jù)表的IQ規(guī)格，而且若有可能，在決定選擇某個特定LDO之前，還要審查相關(guān)的IQ與ILOAD對比圖表。

　　超低IQ LDO的動態(tài)性能參數(shù)

　　影響超低IQ LDO穩(wěn)壓器動態(tài)性能參數(shù)主要有兩項因素。一是使用的技術(shù)節(jié)點。安森美半導(dǎo)體的大多數(shù)超低IQ LDO采用的是先進(jìn)的CMOS或BiCMOS技術(shù)，并提供針對低功耗、高速電源管理IC優(yōu)化的特定工藝流程。雖然恰當(dāng)?shù)募夹g(shù)選擇必不可少，但很明顯的是，這還不能確保LDO穩(wěn)壓器具有良好的動態(tài)性能。確定最終性能的第二個關(guān)鍵是設(shè)計LDO時應(yīng)用的設(shè)計技術(shù)，而這來自于此領(lǐng)域的設(shè)計經(jīng)驗。安森美半導(dǎo)體在這個領(lǐng)域擁有40多年的經(jīng)驗，最新世代的器件同時提供超低噪聲、良好的電源抑制比（PSRR）及超低IQ.為了詳細(xì)闡明這一點，下文將探討不同類型穩(wěn)壓器的動態(tài)性能。

圖1:MC78LC負(fù)載瞬態(tài)改善

　　不同類型的超低IQ LDO簡介

　　1） 恒定偏置LDO穩(wěn)壓器

　　傳統(tǒng)上的超低IQ CMOS LDO使用恒定偏置（constant biasing）原理。這表示在能夠提供的輸出電流范圍內(nèi)，接地電流消耗保持相對恒定。如MC78LC或NCP551器件，各自的接地電流IGND（或靜態(tài)電流IQ）分別為1.5 μA和4 μA.這些器件非常適合性能要求相對不那么嚴(yán)格的電池供電應(yīng)用。它們的主要劣勢是動態(tài)性能較差，如負(fù)載及線路瞬態(tài)、PSRR或輸出噪聲等。通常可以使用較大的輸出電容來調(diào)節(jié)動態(tài)性能。圖1顯示了通過將輸出電容由1 μF增加至100 μF來改善MC78LC的負(fù)載瞬態(tài)過沖及欠沖。

　　但提升輸出電容COUT并不總是能夠提供想要的性能，甚至還可能更麻煩，因可能需要增加額外保護(hù)二極管，或某些應(yīng)用要求快速設(shè)定時間、小尺寸方案或小浪涌電流。在這些情況下，推薦使用后文提到的一些更新的LDO.

　　2） 正比例偏置LDO穩(wěn)壓器

　　為了改善恒定偏置（恒定IGND） LDO較弱的動態(tài)性能，一些相對較新器件的接地電流與輸出電流成正比例地變化。這樣的LDO有如安森美半導(dǎo)體的NCP4681及NCP4624,兩者的典型靜態(tài)電流分別為1 μA和2 μA.圖2顯示了正比例IGND LDO所使用的概念。這些器件被設(shè)計為在輸出電流IOUT > 2 mA時IGND開始上升。這就確保LDO在輕載時的電流消耗實際上恒定，符合數(shù)據(jù)表中的IQ規(guī)格。

圖2:NCP4681、NCP4624的IGND vs. IOUT.

　　3） 自適應(yīng)偏置LDO穩(wěn)壓器

　　為了同時提供極佳的動態(tài)參數(shù)及超低IQ,最新代的安森美半導(dǎo)體LDO應(yīng)用了稱作"自適應(yīng)接地電流"的技術(shù)。這些穩(wěn)壓器使用特殊技巧來在某種輸出電流電平提升接地電流，而不會損及輕載能效。正因為此，終端應(yīng)用可以提供良好的負(fù)載/線路瞬態(tài)、PSRR及輸出噪聲性能的優(yōu)勢。帶自適應(yīng)偏置技術(shù)的IC有如NCP4587/NCP4589及NCP702,IQ分別為1.5 μA和9 μA.NCP702還在噪聲方面進(jìn)行了額外優(yōu)化，100 Hz至100 kHz噪聲帶寬時的典型噪聲僅為11.5 μVRMS.它非常適合于為要求長電池使用時間及小方案尺寸環(huán)境中的敏感模擬及射頻電路供電。

圖3:NCP702輸出噪聲密度。

　　三類超低IQ LDO動態(tài)性能比較

　　圖4顯示了上述三類超低IQ LDO的接地電流與輸出電流對比圖。比較中使用的所有LDO都具有在1 μA至1.5 μA之間的極相近靜態(tài)電流規(guī)格。它們的接地電流與輸出電流的相關(guān)關(guān)系大為不同。因此，這些穩(wěn)壓器的動態(tài)性能也差異極大。NCP4587作為自適應(yīng)偏置LDO,其負(fù)載瞬態(tài)性能優(yōu)勢很明顯。三款器件的瞬態(tài)幅度比較如圖5所示。

圖4:IGND vs. IOUT比較。

圖5:負(fù)載瞬態(tài)比較。

表1:超低IQ LDO負(fù)載瞬態(tài)幅度比較。

　　AE引腳功能

　　另一值得提及可以用于改善超低IQ LDO動態(tài)參數(shù)的特性通常稱作Auto-ECO（AE）功能（見圖6）。將額外的AE引腳設(shè)為邏輯低電平時，用戶可以將LDO穩(wěn)壓器配置為自適應(yīng)接地電流超低IQ LDO.將AE引腳拉至高電平時，低輸出電流時的接地電流消耗上升至約40 μA,實質(zhì)提升從極輕載到高負(fù)載條件下的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。在負(fù)載電流較大時，兩種工作模式下IGND大致相等，動態(tài)性能基本沒有差別。圖7顯示了AE引腳狀態(tài)影響LDO穩(wěn)壓器的接地電流消耗。

圖6:帶AE引腳的NCP4587/9 LDO電路圖。

圖7:帶AE引腳的NCP4587/9 LDO電流。

　　在系統(tǒng)周期性地從休眠模式進(jìn)入滿額功率模式的應(yīng)用中，AE引腳非常有用。如果這兩種狀態(tài)之間的過渡極快，就會遭受大的欠沖。雖然NCP4587/9與其它LDO相比具有極佳的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)，通過將AE引腳與微控制器（MCU） I/O線路（舉例而言）連接并通過此I/O線路提前提示負(fù)載電流需求