基于TopswitchⅡ芯片開關(guān)電源理論設(shè)計(jì)與仿真
引言
直流穩(wěn)壓電源是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要組成部分,好的直流電源系統(tǒng)是高質(zhì)量現(xiàn)代電子系統(tǒng)的重要保證。開關(guān)電源本身種類繁多,設(shè)計(jì)方法也復(fù)雜多樣,因此研究一種簡潔的方法去快速設(shè)計(jì)出所需要的通用型高效率,低廉價(jià)格的開關(guān)電源是很有必要的。
1 開關(guān)電源工作原理
開關(guān)直流穩(wěn)壓電源是基于方波電壓的平均值與其占空比成正比以及電感、電容電路的積分特性而形成的。其基本工作原理是,先對輸入交流電壓整流,從而形成脈動(dòng)直流電壓,經(jīng)過DC-DC 變換電路變壓,再通過斬波電路形成了不同脈沖寬度的高頻交流電,然后對其整流濾波輸出需要電壓電流波形。如果輸出電壓波形偏離所需值,便有電流或電壓采樣電路進(jìn)行取樣反饋,經(jīng)過與比較電路的電壓值進(jìn)行參數(shù)比較,把差值信號(hào)放大,從而控制開關(guān)電路的脈沖頻率f 和占空比D,以此來控制輸出端的導(dǎo)通狀態(tài)。因此,輸出端便可以得到所需的電壓電流值。
如圖1, 將開關(guān)電源模塊劃分為以下幾個(gè)部分。
根據(jù)電力系統(tǒng)的實(shí)際需要,通過對各個(gè)部分進(jìn)行分析,便可以設(shè)計(jì)出相應(yīng)的開關(guān)電源產(chǎn)品。
圖1 開關(guān)電源原理框圖。
2 TopswitchⅡ簡介
TOPSwitch Ⅱ是POWER 公司生產(chǎn)的高集成的用于開關(guān)電源的專用芯片。它將功率開關(guān)管與其控制電路集成于一個(gè)芯片內(nèi),并具有自動(dòng)復(fù)位,過熱保護(hù)與過流保護(hù)等功能,其功能原理圖如圖2 所示。當(dāng)系統(tǒng)上電時(shí),D 引腳變?yōu)楦唠娢?,?nèi)部電流源開始工作且片內(nèi)開關(guān)在0 位,TOPSwitch 給并接在C 引腳的電容C5(見圖2) 充電。當(dāng)C5 端電壓達(dá)到5.7 V 后,自動(dòng)重起電路關(guān)閉,片內(nèi)開關(guān)跳到1 位。C5 一方面提供TOPSwitch 內(nèi)部控制電路的電源,使誤差放大器開始工作,另一方面提供一反饋電流以控制開關(guān)管的占空比。MOSFET 開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)由內(nèi)部振蕩電路、保護(hù)電路和誤差放大電路共同產(chǎn)生。C5 兩端的電壓愈高,MOSFET 開關(guān)管驅(qū)動(dòng)脈沖的占空比愈小。
3 TOPSwitch 芯片的選型
在設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí),首先就要面臨如何選擇合適的開關(guān)電源控制芯片。在選擇芯片的時(shí)候,要既能滿足要求,又不因?yàn)檫x型造成資源的浪費(fèi)。下面就介紹利用TopswitchⅡ系列開關(guān)電源的功率損耗( PD ) 與電源效率(η),輸出功率( Po ) 關(guān)系曲線,快速選擇芯片的型號(hào),從而完成寬范圍輸入的通用開關(guān)電源的設(shè)計(jì)。
圖2 TOPSwitch芯片內(nèi)部原理圖。
3.1 PD,η, Po 關(guān)系曲線
寬范圍輸入的交流電壓為85~ 265 V, 在這種條件下,TOP221~ TOP227 系列單片開關(guān)電源的P D,η,Po 關(guān)系曲線如下,見圖3、圖4。
圖3 寬范圍輸入且輸出為5 V 時(shí)PD ,η, Po 關(guān)系曲線。
圖4 寬范圍輸入且輸出為12 V 時(shí)PD,η, Po 關(guān)系曲線。
注意,這里假定交流輸入電壓最小值umin= 85 V,最高輸入電壓umax = 265 V.途中的橫坐標(biāo)代表輸出功率,而15 條虛線均為芯片功耗的等值線。
首先確定適用的曲線圖,例如,當(dāng)u= 85~ 265 V,Uo= + 5 V 時(shí),應(yīng)該選擇圖3; 當(dāng)u= 220 V( 即230 V-230 V× 4.3% ),Uo= + 12 V 時(shí),就應(yīng)該選擇圖4; 然后在橫坐標(biāo)上找出欲設(shè)計(jì)的功率輸出點(diǎn)P o ; 從輸出功率點(diǎn)垂直向上移動(dòng),知道選中合適芯片所指的那條曲線。如果不適用,可以繼續(xù)向上查找另一條實(shí)線; 然后從等值線( 虛線) 上讀出芯片的功耗PD,進(jìn)而還可以求出芯片的結(jié)溫( Tj ) 以確定散熱片的大小。
例如,設(shè)計(jì)輸出5 V, 30 W 的通用開關(guān)電源時(shí),就要選擇圖3.因?yàn)橥ㄓ瞄_關(guān)電源輸入交流電壓范圍85~ 265 V.首先從橫坐標(biāo)上找到Po = 30 W 的輸出功率點(diǎn),然后垂直上移,與T OP224 的實(shí)線相交于一點(diǎn),由縱坐標(biāo)上查出該點(diǎn)的η= 71.2%,最后從經(jīng)過這點(diǎn)的那條等值線上,查得PD = 2.5 W.這表明,選擇TOP224 就能輸出30 W 功率,并且預(yù)期的電源效率為71.2%,芯片功耗為2.5 W.如果覺得指標(biāo)效率偏低,還可以繼續(xù)往上查TOP225 的實(shí)線。同理,選擇TOP225 也能輸出30 W 的功率,而預(yù)期的電源效率可以提高到75%,芯片功耗可以降低1.7 W.然后根據(jù)所得到的PD 值,還可以進(jìn)而完成散熱片設(shè)計(jì)。
3.2 等效輸出功率的修正
PD ,η, Po 關(guān)系曲線均對交流輸入電壓的最小值進(jìn)行了限制,umin = 85 V.如果交流輸入電壓最小值不符合上述的要求,就會(huì)直接影響芯片的正確選擇。此時(shí)必須從實(shí)際的交流輸入電壓u? min最小值對應(yīng)的功率P‘o 折算成umin為規(guī)定值時(shí)的等效功率Po,才能使用上面的圖。功率修正的方法如下: 選擇使用的特性曲線,然后根據(jù)已知的u’min值查出折算系數(shù)K;將P ‘o折算成umin為規(guī)定值時(shí)的等效功率Po,表達(dá)公式P o=P’o / K;然后從圖3、圖4 中選用適當(dāng)?shù)年P(guān)系曲線。
圖5 寬范圍輸入時(shí)K 與u‘min 的關(guān)系。
例如設(shè)計(jì)12 V, 35 W 的通用開關(guān)電源,已知umin= 90% × 115 V = 103.5 V.從圖5中查出K =1.15.將P ’o = 3.5 W, K = 1.15帶入P o= P ‘o / K 中,計(jì)算出Po= 30.4 W; 再根據(jù)Po 的值,從圖4 中查出選擇的最佳型號(hào)是T OP224 芯片,此時(shí)η = 81.6%,PD= 2 W.如果選擇了T OP223, 則η 降到73.5%,PD 增加到5 W, 顯然不合適。如果選擇T OP225 型,就會(huì)造成資源浪費(fèi),因?yàn)樗萒OP224 的價(jià)格要高一些,而且適合輸出40~ 60 W 的更大的功率。
4 主要元件參數(shù)計(jì)算
4.1 變壓器變比的設(shè)計(jì)
開關(guān)變壓器的變比與開關(guān)變換電路的具體形式有關(guān),正激、半橋變換電路中開關(guān)變壓器的變比公式為:
式中,Uin,Uout分別為開關(guān)變壓器的輸入和輸出電壓;Nin,Nout 分別為開關(guān)變壓器初級(jí)和次級(jí)線圈的匝數(shù)。
當(dāng)輸入電壓最低時(shí),實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)該按最低輸入電壓代入計(jì)算。
推挽電路的輸出電壓與輸入電壓之間的關(guān)系公式為:
Uout= 2DUin/n
因此得到關(guān)系式:n= 2D Uin / Uout= N 1 / N 2.
輸入電壓最低時(shí),占空比D 值最大,這時(shí)候仍然能保持設(shè)計(jì)要求的輸出電壓,所以上式的D 應(yīng)取最大值,Uin取最小值。
4.2 輸入濾波電容的選擇
輸入濾波電容器C 的容量與電源效率,輸出功率密切相關(guān),對于寬范圍輸入的開關(guān)電源,C 的容量取μF 為單位時(shí),可按比例系數(shù)3μF/ W 來選取。例如當(dāng)Po= 30 W 時(shí),C= ( 3μF/W)×30 W= 90μF, 以此類推。在固定輸入時(shí),比例系數(shù)變成1μF/W, 上例中的C 就變成30μF.在設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí)還要注意C 的容量誤差要盡量小,以免影響開關(guān)電源的性能。當(dāng)C 的容量過小時(shí),會(huì)降低TopswitchⅡ的可用功率。如果把30μF 改成20μF, 則輸出功率會(huì)降低15 %; 當(dāng)C《 20μF 時(shí),會(huì)造成可用功率的明顯下降。
另外,C 容量的大小還決定直流高壓Ui 的數(shù)值,圖3、圖4 實(shí)際上是在Ui= 105 V 的情況下繪制的,這個(gè)充分體現(xiàn)了C 對Ui 的影響。
4.3 開關(guān)管保護(hù)電路
在開關(guān)芯片的漏極D 側(cè)可以利用VDZ 和VD 兩個(gè)二極管對高頻變壓器的漏感產(chǎn)生的尖峰電壓進(jìn)行箝位,可保護(hù)μ的D-S 極間不被擊穿。例如VDZ 可以選用瞬態(tài)電壓抑制器P6K200, 其反向擊穿電壓為200 V.VD 采用反向耐壓為600 V 的UF4005 型超快恢復(fù)二極管,亦稱阻塞二極管。
5 應(yīng)用電路及其仿真
圖6給出了由TOPSwitch 構(gòu)成的反激式電源的原理圖。其工作過程如下: 輸入交流電經(jīng)整流橋BR1 整流后再經(jīng)電容C1 濾波,變?yōu)槊}動(dòng)的直流電。
反激式變壓器與TOPSwitch 將存儲(chǔ)于電容C1 的能量傳遞給負(fù)載。當(dāng)TOPswitch 開關(guān)管導(dǎo)通時(shí),電容C1兩端的電壓加到反激變壓器的原邊,流過原邊繞組的電流線性增加( 如若
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