然后，內(nèi)部FET導(dǎo)通，V X結(jié)點驅(qū)動至地，而高壓FET的柵極保持恒定，導(dǎo)通高壓FET。較低的FET用作一個低電阻柵極驅(qū)動器，而FET快速導(dǎo)通，獲得了低導(dǎo)通損耗。當內(nèi)部FET關(guān)斷時，電感電流拉高SW結(jié)點， 直到外接F E T 也關(guān)斷。內(nèi)部FET可看到的最高電壓是柵極電壓減外接FET的閾值電壓。本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/230812.htm
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